维护机器部件的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种维护机器部件的方法，该机器部件设置在机器（１）的内部空间（１１），其中该内部空间（１１）保持第一压力（Ｐ↓［ｖａｃ］）并且通过装载闸（ＬＬ）和具有第二压力（Ｐ↓［ｅｎｖ］）的环境隔离。该方法包括：通过装载闸（ＬＬ）将机器部件（３２，ＷＴ）输送出内部空间（１１），以及通过装载闸（ＬＬ）将已维护的机器部件和单独替换的机器部件中的一个输送进内部空间（１１）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种维护机器部件的方法和装置，该部件设置在机器的内部空间，其中，内部空间保持第一压力并且通过装载闸和具有第二压力的环境隔离。本专利技术还涉及一种用该方法设置的装置，例如光刻投影装置，和器件生产方法。
技术介绍
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图部件的示例包括■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。■可程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个可程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。■可程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器或者分步重复装置。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和极远紫外辐射(EUV)(例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。为了制造例如，小特征的高质量芯片，需要将用于产生这种芯片的图案正确地并且精确地投射到基底上。这意味着需要限制污染颗粒的存在，因为即使是单个污染颗粒也可以干扰图案的正确投射。在基底曝光于投射光束之前，基底涂敷抗蚀剂，用不同的机械手将其装卸并放置到不同的处理位置。每个处理和装卸步骤都会产生污染颗粒。这些污染颗粒在装卸基底的夹子上、放置基底的底座和卡盘等上面堆积。在投射光束路径上例如在基底最上面的污染颗粒阻止所投射的辐射到达基底。这将导致投射误差，经常产生带有缺陷的芯片。另一方面，基底底面即支撑基底的面上的污染颗粒，可能引起基底错误地定位或者基底弯曲。当污染颗粒在支撑基底的基底载体表面上时会发生同样的情况。这可能引起投射光束聚焦时的基底偏移和误差，同样可能产生有缺陷的芯片。为了获得光刻投影装置的最佳结果，维护过程需要在正常基座上进行。这种维护过程可能包括一种或者多种行为，如清洗过程、替换过程、修复过程和/或(耗费品的)补充过程。在多数光刻投影装置中，采取多种措施来减少污染颗粒的产生和转移。然而，仍然不能完全杜绝光刻投影装置中出现污染颗粒。这就是为什么每个光刻投影装置都需要打开以使其在正常基座上进行清洗，这个过程非常耗时。特别是在使用EUV辐射的光刻投影装置中，打开光刻投影装置非常耗时，因为它涉及对这种光刻投影装置中建立的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对设置在机器（１）内部空间（１１）的机器部件进行维护的方法，其中内部空间（１１）保持第一压力（Ｐ↓［ｖａｃ］）并且通过装载闸（ＬＬ）和具有第二压力（Ｐ↓［ｅｎｖ］）的环境隔离，其特征在于：－通过装载闸（ＬＬ）将机器部件（３２ ，ＷＴ）输送出内部空间（１１）并且－通过装载闸（ＬＬ）将已维护的机器部件和单独替换的机器部件中的一个输送进内部空间（１１）。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：PJM范格鲁斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]