像素阵列基板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素阵列基板，包括多个栅极元件及多个转接元件。多个栅极元件包括第n个栅极元件及第m个栅极元件。多个转接元件包括分别电性连接至第n个栅极元件及第m个栅极元件的第n转接元件及第m转接元件。每一转接元件的周边部包括第一直向段。第n转接元件的周边部更包括第一横向段，且第n转接元件的第一横向段及第n转接元件的第一直向段分别属于第一导电层及第二导电层。第m转接元件的周边部跨越第n转接元件的周边部的第一横向段。跨越第n转接元件的周边部的第一横向段。跨越第n转接元件的周边部的第一横向段。

【技术实现步骤摘要】
像素阵列基板


[0001]本专利技术是有关于一种像素阵列基板。

技术介绍

[0002]随着显示科技的发达，人们对显示装置的需求，不再满足于高解析度、高对比、广视角等光学特性，人们还期待显示装置具有优雅的外观。举例而言，人们期待显示装置的边框窄，甚至无边框。
[0003]一般而言，显示装置包括设置于主动区的像素阵列、设置于主动区的上方或下方的数据驱动电路以及设置于主动区的左侧、右侧或左右两侧的栅极驱动电路。为减少显示装置的边框的左右两侧的宽度，可将栅极驱动电路与数据驱动电路均设置于显示区的单一侧。当栅极驱动电路设置于显示区的单一侧时，在水平方向上延伸的栅极线须通过在垂直方向上延伸的转接元件方能电性连接至栅极驱动电路。然而，当转接元件设置于显示区时，转接元件势必会与数据线相邻；转接元件与数据线之间的耦合效应，会使数据线上的数据信号偏移，进而影响显示品质。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种像素阵列基板，性能佳。
[0005]本专利技术一实施例的像素阵列基板包括基底、多条数据线、多个栅极元件、多个像素结构以及多个转接元件。基底具有主动区及主动区外的周边区。多条数据线设置于基底上，且在第一方向上排列。多个栅极元件设置于基底上，且在第二方向上排列，其中第一方向与第二方向交错。多个像素结构设置于基底的主动区上，且电性连接至多条数据线及多个栅极元件。多个转接元件设置于基底上，且分别电性连接至多个栅极元件，其中每一转接元件包括设置于主动区的一主要部及设置于周边区的一周边部，且多个转接元件的多个主要部在第一方向上排列。多个栅极元件在第二方向上依序排列，多个栅极元件包括第n个栅极元件及第m个栅极元件，n及m为正整数，且n与m不同。多个转接元件包括分别电性连接至第n个栅极元件及第m个栅极元件的第n转接元件及第m转接元件。每一转接元件的周边部包括在第二方向延伸的一第一直向段，且第一直向段具有一信号输入端。第n转接元件的周边部更包括一第一横向段，第一横向段在第一方向上延伸，第n转接元件的第一直向段电性连接至第n转接元件的第一横向段，且第n转接元件的第一横向段及第n转接元件的第一直向段分别属于不同的第一导电层及第二导电层。第m转接元件的周边部跨越第n转接元件的周边部的第一横向段。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的第n转接元件的周边部的第一直向段及第m转接元件的周边部的第一直向段在第一方向上依序排列，第n转接元件的主要部及第m转接元件的主要部在第三方向上依序排列，且第一方向与第三方向相反。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的多个栅极元件在第二方向上依序排列，多个栅极元件包括第k个栅极元件，k为正整数，n、m及k互不相同；多个转接元件更包括电性连接至第
k个栅极元件的第k转接元件；第k转接元件的周边部更包括一第一横向段，第k转接元件的周边部的第一横向段在第一方向延伸，第k转接元件的周边部的第一横向段及第k转接元件的周边部的第一直向段分别属于不同的第一导电层及第二导电层；多个转接元件的a个转接元件的周边部跨越第n转接元件的周边部的第一横向段，多个转接元件的b个转接元件的周边部跨越第k转接元件的周边部的第一横向段，a及b为正整数，且a与b不同。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的多个栅极元件更包括第p个栅极元件及第q个栅极元件，第n个栅极元件、第m个栅极元件，第p个栅极元件及第q个栅极元件在第二方向上依序排列，p及q为正整数，且n<m<p<q；多个转接元件更包括分别电性连接至第p个栅极元件及第q个栅极元件的第p转接元件及第q转接元件，且第n转接元件的周边部的第一直向段、第m转接元件的周边部的第一直向段、第p转接元件的周边部的第一直向段及第q转接元件的周边部的第一直向段在第一方向上依序排列。第q转接元件的周边部更包括第一横向段，第q转接元件的周边部的第一横向段由第q转接元件的第一直向段沿第三方向延伸，第一方向与第三方向相反，第q转接元件的周边部的第一直向段电性连接至第q转接元件的周边部的第一横向段，且第q转接元件的周边部的第一直向段及第q转接元件的周边部的第一横向段分别属于不同的第一导电层及第二导电层。第p转接元件的周边部跨越第q转接元件的周边部的第一横向段。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的第n转接元件的周边部更包括第二直向段及第二横向段，第二直向段在第二方向上延伸，第二横向段在第一方向上延伸，第n转接元件的第一横向段电性连接至第n转接元件的周边部的第二直向段，第n转接元件的周边部的第二直向段电性连接至第n转接元件的第二横向段，第n转接元件的周边部的第一横向段及第二横向段属于第一导电层，且第n转接元件的周边部的第一直向段及第二直向段属于第二导电层。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的多个栅极元件更包括第l个栅极元件，l为正整数，n、m及l互不相同；多个转接元件更包括电性连接至第l个栅极元件的第l转接元件；第l转接元件跨越第n转接元件的周边部的第二横向段。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的多个栅极元件更包括第r个栅极元件，r为正整数，n、m及r互不相同；多个转接元件更包括电性连接至第r个栅极元件的一第r转接元件；第r转接元件的周边部更包括第一横向段及第二直向段，第r转接元件的周边部的第一横向段在第一方向上延伸，第r转接元件的第一直向段电性连接至第r转接元件的第一横向段，第r转接元件的周边部的第二直向段在第二方向上延伸，第r转接元件的周边部的第二直向段电性连接至第r转接元件的第一横向段，第r转接元件的第一横向段属于第一导电层，第r转接元件的第一直向段及第二直向段属于第二导电层；第n转接元件的周边部的第一直向段与第r转接元件的周边部的第二直向段在第二方向上实质上对齐。
[0012]本专利技术一实施例的像素阵列基板包括基底、多条数据线、多个栅极元件、多个像素结构、多个转接元件以及绝缘层。基底具有主动区及主动区外的周边区。多条数据线设置于基底上，且在第一方向上排列。多个栅极元件设置于基底上，且在第二方向上排列，其中第一方向与第二方向交错。多个像素结构设置于基底的主动区上，且电性连接至多条数据线及多个栅极元件。多个转接元件设置于基底上，其中每一转接元件包括设置于主动区的主要部，且多个转接元件的多个主要部在第一方向上排列。绝缘层设置于多个转接元件的多
个主要部及多个栅极元件之间，其中多个转接元件的多个主要部通过绝缘层的多个接触窗电性连接至多个栅极元件。多个像素结构排成多个像素行及多个像素列，其中多个像素列在第一方向上依序排列，多个像素行在第二方向上依序排列，位于第x个像素列及第y个像素行的一像素结构的坐标为(x-1,y-1)，且x及y为正整数。多个接触窗包括第一接触窗及第二接触窗。多个像素结构包括紧邻第一接触窗的第一像素结构。多个像素结构包括紧邻第二接触窗的第二像素结构。第一像素结构的坐标为(x
1-1,y
1-1)，其中x1、y1满足下列一：(x
1-1)＝[(a/c)
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(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：一基底，具有一主动区及该主动区外的一周边区；多条数据线，设置于该基底上，且在一第一方向上排列；多个栅极元件，设置于该基底上，且在一第二方向上排列，其中该第一方向与该第二方向交错；多个像素结构，设置于该基底的主动区上，且电性连接至该些数据线及该些栅极元件；以及多个转接元件，设置于该基底上，且分别电性连接至该些栅极元件，其中每一该转接元件包括设置于该主动区的一主要部及设置于该周边区的一周边部，且该些转接元件的多个主要部在该第一方向上排列；该些栅极元件在该第二方向上依序排列，该些栅极元件包括第n个栅极元件及第m个栅极元件，n及m为正整数，且n与m不同；该些转接元件包括分别电性连接至该第n个栅极元件及该第m个栅极元件的一第n转接元件及一第m转接元件；每一该转接元件的该周边部包括在该第二方向延伸的一第一直向段，且该第一直向段具有一信号输入端；该第n转接元件的该周边部更包括一第一横向段，该第一横向段在该第一方向上延伸，该第n转接元件的该周边部的该第一直向段电性连接至该第n转接元件的该周边部的该第一横向段，且该第n转接元件的该周边部的该第一横向段及该第n转接元件的该周边部的该第一直向段分别属于不同的一第一导电层及一第二导电层；该第m转接元件的该周边部跨越该第n转接元件的该周边部的该第一横向段。2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该第n转接元件的该周边部的该第一直向段及该第m转接元件的该周边部的该第一直向段在该第一方向上依序排列，该第n转接元件的该主要部及该第m转接元件的该主要部在一第三方向上依序排列，且该第一方向与该第三方向相反。3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该些栅极元件在该第二方向上依序排列，该些栅极元件包括第k个栅极元件，k为正整数，n、m及k互不相同；该些转接元件更包括电性连接至该第k个栅极元件的一第k转接元件；该第k转接元件的该周边部更包括一第一横向段，该第k转接元件的该周边部的该第一横向段在该第一方向延伸，该第k转接元件的该周边部的该第一横向段及该第k转接元件的该周边部的该第一直向段分别属于不同的该第一导电层及该第二导电层；该些转接元件的a个转接元件的该周边部跨越该第n转接元件的该周边部的该第一横向段，该些转接元件的b个转接元件的该周边部跨越该第k转接元件的该周边部的该第一横向段，a及b为正整数，且a与b不同。4.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该些栅极元件更包括一第p个栅极元件及一第q个栅极元件，该第n个栅极元件、该第m个栅极元件、该第p个栅极元件及该第q个栅极元件在该第二方向上依序排列，p及q为正整数，且n<m<p<q；该些转接元件更包括分别电性连接至该第p个栅极元件及该第q个栅极元件的一第p转接元件及一第q转接元件，且该第n转接元件的该周边部的该第一直向段、该第m转接元件的该周边部的该第一直向段、该第p转接元件的该周边部的该第一直向段及该第q转接元件的
该周边部的该第一直向段在该第一方向上依序排列；该第q转接元件的该周边部更包括一第一横向段，该第q转接元件的该周边部的该第一横向段由该第q转接元件的该周边部的该第一直向段沿一第三方向延伸，该第一方向与该第三方向相反，该第q转接元件的该周边部的该第一直向段电性连接至该第q转接元件的该周边部的该第一横向段，且该第q转接元件的该周边部的该第一直向段及该第q转接元件的该周边部的该第一横向段分别属于不同的该第一导电层及该第二导电层；该第p转接元件的该周边部跨越该第q转接元件的该周边部的该第一横向段。5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其特征在于，该第n转接元件的该周边部更包括一第二直向段及一第二横向段，该第二直向段在该第二方向上延伸，该第二横向段在该第一方向上延...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珉泽，郑圣谚，钟岳宏，徐雅玲，廖烝贤，戴鹏哲，石秉弘，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：