基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种基片处理系统。多个处理腔室并排地配置，并且分别能够实施基片处理。多个电源系统单元分别配置在多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。本发明专利技术能够抑制设置面积。抑制设置面积。抑制设置面积。

【技术实现步骤摘要】
基片处理系统


[0001]本专利技术涉及一种基片处理系统。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了这样的技术，即：在制造半导体的制造工厂中，在不同的地面上配置：多个处理腔室和将基片输送到各处理腔室的输送区块；以及分别对各处理腔室供电的多个电源系统单元。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017-695664号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够抑制设置面积的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一方式的基片处理系统包括多个处理腔室和多个电源系统单元。多个处理腔室并排地配置，并且分别能够实施基片处理。多个电源系统单元分别配置在多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够抑制设置面积。
附图说明
[0012]图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概要结构的一例的立体图。
[0013]图2是表示第一实施方式的基片处理系统的概要结构的一例的俯视图。
[0014]图3是表示第一实施方式的基片处理系统的概要结构的一例的侧视图。
[0015]图4是表示配置了多个第一实施方式的基片处理系统的一例的图。
[0016]图5是表示第一实施方式的基片处理系统的配电箱的概要结构的一例的图。
[0017]图6是表示在第一实施方式的基片处理系统中将导轨和框架折叠起来的状态的图。
[0018]图7是表示在第一实施方式的基片处理系统中对导轨和框架进行维护时的状态的图。
[0019]图8是表示移动第一实施方式的基片处理系统的单元的一例的图。
[0020]图9是表示配置了多个第一实施方式的基片处理系统的一例的图。
[0021]图10是表示第二实施方式的基片处理系统的概要结构的一例的侧视图。
[0022]附图标记说明
[0023]10 基片处理系统
[0024]11 处理区块
[0025]12 真空输送区块
[0026]13 负载锁定区块
[0027]14 常压输送区块
[0028]20 气体箱
[0029]21 电气单元
[0030]30 台座
[0031]31 支柱
[0032]32 顶板
[0033]40 配电箱
[0034]41 发电机
[0035]50 导轨
[0036]51 框架
[0037]52 支柱
[0038]55 导轨
[0039]56 框架
[0040]57 支柱
[0041]60 吊车
[0042]61 吊钩
[0043]62 线缆
[0044]63 绞盘
[0045]70 断路器
[0046]71 连接器
[0047]72 电源线。
具体实施方式
[0048]下面，参考附图，对本专利技术公开的基片处理系统的实施方式进行详细的说明。此外，所公开的基片处理系统并不限于该实施方式。
[0049]近年来，在基片处理系统中，处理腔室的数量增加了，并且对应地搭载在处理腔室中的单元也向大型化发展，因此设置面积增加了。例如，在专利文献1中，处理腔室和输送区块以及电源系统单元被配置在不同的地面上，并且处理腔室的数量增加和电源系统单元的尺寸增大，因此设置面积增加了。在制造工厂中，能够安装基片处理系统的面积有限，为了更多地配置基片处理系统，需要抑制设置面积。
[0050](第一实施方式)
[0051][基片处理系统的结构][0052]下面，对第一实施方式的基片处理系统的概要结构的一例进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统10的概要结构的一例的立体图。图2是表示第一实施方式的基片处理系统10的概略结构的一例的俯视图。图3是表示第一实施方式的基片处理系统10的概要结构的一例的侧视图。基片处理系统10是对基片实施基片处理的装置。在下文中，为了
明确位置关系，对彼此正交的X方向、Y方向和Z方向定义如下。如图1所示，X方向和Y方向是彼此正交的水平的两个方向。将Z方向设为铅垂向上的方向。图3是从X方向观察的基片处理系统10的侧视图，省略了后述的导轨和框架。
[0053]如图1所示，基片处理系统10包括多个处理区块11。此外，基片处理系统10所具有的处理区块11的数量并不限于图中所示的数量。
[0054]多个处理区块11并排地配置。在本实施方式中，多个处理区块11在X方向上以直线状并排地配置成2列。
[0055]处理区块11是对基片进行基片处理的装置。作为基片处理，例如能够例举出使用等离子体的成膜、蚀刻等。基片是半导体晶片(以下，也称为晶片)。
[0056]处理区块11在其内部具有真空腔室等的真空处理室，对配置于真空处理室的晶片进行基片处理。处理区块11在处理晶片的期间将真空处理室内维持为减压气氛。此外，也可以为基片处理系统10的各处理区块11实施相同类型的基片处理。此外，也可以为基片处理系统10的一部分处理区块11实施与其他处理区块11不同类型的基片处理。例如，也可以为基片处理系统10在各处理区块11中分散地实施多种类型的基片处理。
[0057]真空输送区块12配置于2列处理区块11之间。如图2所示，真空输送区块12形成为长条且平板的矩形形状，并且在内部具有真空输送室。真空输送区块12在处理晶片的期间将真空输送室内维持为减压气氛。真空输送区块12中，在与各处理区块11相对的侧面设置有用于将晶片输送至处理区块11的输送口，并通过输送口与各处理区块11的真空处理室导通。在真空输送区块12的各输送口分别设置有能够开闭输送口的未图示的闸阀。
[0058]在真空输送区块12的X方向的一端，经由未图示的闸阀连接有两个负载锁定区块13。两个负载锁定区块13经由未图示的闸阀连接到常压输送区块14。
[0059]在真空输送区块12的隔着负载锁定区块13的相反侧，设置有常压输送区块14。常压输送区块14的俯视形状形成为大致矩形的形状。常压输送区块14的内部被维持为常压气氛。在常压输送区块14的一条长边并排地设置有两个负载锁定区块13。此外，常压输送区块14中，可以在与设置有负载锁定区块13的壁部相反的一侧的壁部安装收纳晶片的承载器。
[0060]常压输送区块14在内部配置有臂等的输送机构，能够用输送机构在负载锁定区块13与承载器之间输送晶片。
[0061]当在真空输送区块12与常压输送区块14之间输送晶片时，负载锁定区块13在大气压与真空之间控制压力。
[0062]真空输送区块12在真空输送室中配置有臂等的输送机构，能够用输送机构在处理区块11与负载锁定区块13之间输送晶片。
[0063]处理区块11对晶片实施基片处理。例如，处理区块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：并排地配置的多个处理腔室，其分别能够实施基片处理；和多个电源系统单元，其分别配置在所述多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：在所述多个处理腔室与地面之间具有台座，所述多个电源系统单元配置于所述台座之下。3.如权利要求2所述的基片处理系统，其特征在于：还包括输送区块，其配置在所述多个处理腔室的一侧的侧面，能够对所述多个处理腔室输送基片；所述台座的顶板被配置成延长到所述多个处理腔室的所述一侧的相反侧，所述处理腔室的所述相反侧的所述顶板被设置成可拆卸的；所述电源系统单元包括配电箱和发电机，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：茂木卓，熊谷隆，小田岛章，吉村启佑，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：