本发明专利技术属于云石胶技术领域，具体涉及一种延长云石胶存储期的方法。该延长云石胶存储期的方法，一方面是对容器进行表面处理，另一方面是对云石胶进行修饰。对云石胶体相的修饰是在云石胶中添加微量的荧光素钠。容器的表面处理包括镀锡处理、脉冲沉积处理和老化处理三步。本发明专利技术提供的方法能够有效地延长云石胶的存储期，且具有较高的稳定性和可靠性。常规云石胶常温储不到半年开始出现自聚物，80℃条件下存储期不到两周开始出现自聚物；按照本发明专利技术的方法，常规云石胶常温储两年半未发生自聚，80℃条件下存储半年不发生自聚。80℃条件下存储半年不发生自聚。80℃条件下存储半年不发生自聚。
【技术实现步骤摘要】
一种延长云石胶存储期的方法
[0001]本专利技术属于云石胶
，具体涉及一种延长云石胶存储期的方法。
技术介绍
[0002]云石胶具有优良的综合性能，其固化速度快、硬度高、抛光性良好，广泛应用于各类石材间的拼花、修补和粘接。实践中，云石胶自生产完成至实际使用，一般都会经历一段时间的存储期。在这期间，云石胶中的活性稀释剂苯乙烯从体相内逐渐挥发出来，并在一定温度下在储罐内壁发生自聚，尤其容易在液面与内壁交界处以及储罐封口处和发生自聚，导致体相内苯乙烯损失和开罐困难。
技术实现思路
[0003]针对现有技术存在的不足，本专利技术提供一种延长云石胶存储期的方法，旨在通过改变容器表面与气相中苯乙烯分子的相互作用抑制苯乙烯在容器表面附着自聚，同时旨在通过改变容器、云石胶、气相三者在交界处的相互作用关系抑制苯乙烯的附着自聚。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现：一种延长云石胶存储期的方法，通过两个方面配合实现，一方面是改变容器的表面状态，另一方面是对云石胶本身作一定的修饰。
[0005]对云石胶体相的修饰是在云石胶中添加质量分数为0.5-0.8
‰
的荧光素钠。荧光素钠CAS号为518-47-8，分子式如图1所示，其常应用于磁性材料以及医学造影，而本专利技术在实践过程中发现其修饰的云石胶配合一定的容器表面处理工艺能够有效抑制云石胶在存储期间形成自聚物，从而延长云石胶的存储时间。
[0006]本专利技术所述的针对容器的表面处理工艺如下，其中，容器优选铁质容器，包括罐体及盖体。
[0007](S1)镀锡处理，镀锌处理采用现有的常规镀锡处理工艺。为了简化操作步骤，也可以直接采购镀锡容器使用，但使用前需要深度清洗以达到较高的表面洁净度。
[0008](S2)脉冲沉积处理：将金属靶标和经过表面镀锡的容器置于强流脉冲电子束发生装置中，通入少量甲烷，控制甲烷分压为12-25Pa，总压不超过30Pa，预热至150-175℃；然后开启电子束轰击金属靶标，工艺参数如下，加速电压15-18kV，脉冲电流200-220A，脉冲持续时间5μs，脉冲频率1Hz，轰击次数为5-10次。脉冲沉积处理是通过电子束轰击使甲烷分子离子化，轰击产生的离子碎片在电场作用下沉积并固化在镀锡层表面，从而改变镀锡层的表面微环境。其中，金属靶标可选自性质稳定且耐高温的金属，优选惰性金属，如铂、钯等。
[0009](S3)老化处理：在氮气保护下将容器加热至200-215℃，保温3-5h，自然冷却至室温。
[0010]其中，镀锡处理工艺参数如下：硫酸亚锡25-40g/L、硫酸105-115g/L、光亮剂10-20g/L、开缸剂15-20g/L，电流0.5-2A/dm2，温度22-25℃，镀锡层厚度2-5um。
[0011]进一步地，镀锡处理前，使用丙酮洗去容器表面的油污。
[0012]优选地，镀锡处理工艺参数如下：硫酸亚锡28g/L、硫酸110g/L、光亮剂15g/L、开缸剂18g/L，电流1A/dm2，温度25℃，镀锡层厚度3um。
[0013]优选地，在步骤(S2)中，控制甲烷分压为20Pa，总压不超过25Pa，预热至160℃；调节加速电压18kV，脉冲电流210A，脉冲持续时间5μs，脉冲频率1Hz，轰击次数为10次。
[0014]优选地，在步骤(S3)中，在氮气保护下将容器加热至210℃，保温4h，自然冷却至室温。
[0015]进一步地，本专利技术的方法适用于常规的云石胶，例如包括以下重量组分云石胶；双酚A型不饱和聚酯树脂100份、氢氧化铝120份、硫酸钡30份、钛白粉8份、滑石粉20份、苯乙烯15份、羟甲基纤维素10份、氢化蓖麻油2份。
[0016]有益效果：与现有技术相比，本专利技术所述的延长云石胶存储期的方法，能够有效地延长云石胶的存储期，且具有较高的稳定性和可靠性。常规云石胶常温储不到半年开始出现自聚物，80℃条件下存储期不到两周开始出现自聚物；按照本专利技术的方法，常规云石胶常温储两年半未发生自聚，80℃条件下存储月半年不发生自聚。
附图说明
[0017]图1为荧光素钠的结构式。
具体实施方式
[0018]下面通过具体实施例进一步阐明本专利技术，这些实施例是示例性的，旨在说明问题和解释本专利技术，并不是一种限制。
[0019]实施例1
[0020]一种延长云石胶存储期的方法，对储存云石胶的铁质容器进行表面处理，容器包括罐体及盖体；在云石胶中添加质量分数为0.6
‰
的荧光素钠。
[0021]所述表面处理工艺包括以下步骤：
[0022](S1)镀锡处理：用丙酮洗净容器并烘干，然后按照以下工艺参数进行镀锡处理：硫酸亚锡28g/L、硫酸110g/L、光亮剂15g/L、开缸剂18g/L，电流1A/dm2，温度25℃，镀锡层厚度3um。
[0023](S2)脉冲沉积处理：将金属靶标和经过表面镀锡的容器置于强流脉冲电子束发生装置中，通入少量甲烷，控制甲烷分压为20Pa，总压不超过25Pa，预热至160℃；调节加速电压18kV，脉冲电流210A，脉冲持续时间5μs，脉冲频率1Hz，轰击次数为10次。
[0024](S3)老化处理：在氮气保护下将容器加热至210℃，保温4h，自然冷却至室温。
[0025]实施例2
[0026]一种延长云石胶存储期的方法，对储存云石胶的铁质容器进行表面处理，容器包括罐体及盖体；在云石胶中添加质量分数为0.5
‰
的荧光素钠。
[0027]所述表面处理工艺包括以下步骤：
[0028](S1)镀锡处理：用丙酮洗净容器并烘干，然后按照以下工艺参数进行镀锡处理：硫酸亚锡25g/L、硫酸105g/L、光亮剂10g/L、开缸剂15g/L，电流0.5A/dm2，温度25℃，镀锡层厚度2um。
[0029](S2)脉冲沉积处理：将金属靶标和经过表面镀锡的容器置于强流脉冲电子束发生
装置中，通入少量甲烷，控制甲烷分压为12Pa，总压不超过20Pa，预热至150℃；然后开启电子束轰击金属靶标，工艺参数如下，加速电压15kV，脉冲电流200A，脉冲持续时间5μs，脉冲频率1Hz，轰击次数为10次。
[0030](S3)老化处理：在氮气保护下将容器加热至200℃，保温5h，自然冷却至室温。
[0031]实施例3
[0032]一种延长云石胶存储期的方法，对储存云石胶的铁质容器进行表面处理，容器包括罐体及盖体；在云石胶中添加质量分数为0.8
‰
的荧光素钠。
[0033]所述表面处理工艺包括以下步骤：
[0034](S1)镀锡处理：用丙酮洗净容器并烘干，然后按照以下工艺参数进行镀锡处理：硫酸亚锡40g/L、硫酸115g/L、光亮剂20g/L、开缸剂20g/L，电流2A/dm2，温度22℃，镀锡层厚度5um。
[0035](S2)脉冲沉积处理：将金属靶标和经过表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种延长云石胶存储期的方法，其特征在于：对储存云石胶的铁质容器进行表面处理，容器包括罐体及盖体；在云石胶中添加质量分数为0.5-0.8
‰
的荧光素钠；所述表面处理工艺包括以下步骤：（S1）镀锡处理；（S2）脉冲沉积处理：将金属靶标和经过表面镀锡的容器置于强流脉冲电子束发生装置中，通入少量甲烷，控制甲烷分压为12-25Pa，总压不超过30Pa，预热至150-175℃；然后开启电子束轰击金属靶标，工艺参数如下，加速电压15-18kV，脉冲电流200-220A，脉冲持续时间5μs，脉冲频率1Hz，轰击次数为5-10次；（S3）老化处理：在氮气保护下将容器加热至200-215℃，保温3-5h，自然冷却至室温。2.根据权利要求1所述的延长云石胶存储期的方法，其特征在于：镀锡处理工艺参数如下：硫酸亚锡25-40g/L、硫酸105-115g/L、光亮剂10-20g/L、开缸剂15-20g/L，电流0.5-2A/dm2，温度22-25℃，镀锡层厚度2-5um。3.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林传军，沈栎峰，
申请(专利权)人：江苏大力士投资有限公司，
类型：发明
国别省市：
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