光刻设备及其清洁方法技术

公开了一种光刻设备及其清洁方法。所述设备包括用于供给氢基团的源；用于与所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的目标的应用表面。所述引导件设置有具有低于０．２的氢基团复合常数的涂层。以这种方式，所述氢基团可以以较少的损失输送，并能够更好地与应用表面（例如反射镜表面）上残留的污染物相互作用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(retide)的图案形成装置用于 在所述IC的单层上产生待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的部分)上。典 型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网 络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图 案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器， 在所述扫描器中，通过沿给定方向("扫描"方向)的辐射束扫描所述图 案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述 图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在用于在电磁波谱的极紫外(EUY)范围(典型地具有5-20nm的波 长)中操作的光刻设备的当前设计中，典型地，提供高反射元件，以便调 节辐射束和对辐射束进行图案化，以将图案从图案形成装置转移到衬底上。由于辐射易于被大多数表面吸收，所以该部分电磁波谱对于透射损失 敏感。为了增加反射率，已经开发出通常包括钌顶层的反射镜元件(例如 覆盖有Ru的多层反射镜和Ru切向入射反射镜)。进而，用于产生这种EUV 辐射的源典型地是等离子体源，其中当前设计特别采用锡源。这些等离子 体源具有除去产生EUV辐射之外还产生各种碎片颗粒的趋势，所述碎片颗 粒在没有进行合适的处理情况下，可能进入系统，并造成污染和故障。尤其，来自等离子体源的锡污染物将沉积在反射镜元件上并造成反射 镜的反射率的严重损失。在其可能产生任何伤害之前，这可通过捕捉所述 碎片的精巧设计来避免。然而，这种精巧的设计可能具有一定的失效比率。典型地，这种精巧的设计是所谓箔阱(foil trap),所述箔阱被设计用于捕 5 捉在大致对齐的箔板上的碎片颗粒。在相对于EUV辐射方向的下游，采集 器典型地设置用于采集从EUV源发出的辐射的优化部分。这种采集器典型 地是反射镜元件的配置，其采用切向入射反射，以将入射辐射采集并引导 成EUV辐射束。因此，需要提供一种用于清洁这些反射镜元件以除去污染 物的清洁技术，尤其是对于采集器的反射镜元件，以及其他经受严重污染10的反射镜元件。这种技术之一是所谓的氢清洁。以这种方式，尤其结合锡 源，氢基团与锡反应，形成气态氢化锡(SnH4)。另一种技术是卤化物清 洁。另外，可以采用组合技术，尤其是，其中采用氢将氧化锡还原为锡， 且其中由此形成的锡被采用卤化物清洁而去除。然而，发现对于典型的反 射镜元件，尤其是包括钌的反射镜元件，清洁速率对于很薄的锡沉积物急15剧下降。这种薄的污染沉积物可以恶化EUV反射镜的透射率，并很难去除。 对于氢清洁，去除这种薄的沉积物可以导致光刻设备不可接受的停机。
技术实现思路
旨在提供一种用于有效地进行污染物去除的光刻设备以及清洁方法， 20采用所述的设备和清洁方法，即使污染物的痕迹形成很薄的层，也可以去 除污染物的痕迹。尤其，旨在提供一种光刻设备，其中氢清洁对在可接受 的时间范围内清洁反射镜元件是最有效的。相应地，提供一种光刻设备。尤其，根据本专利技术，提供一种EUV光刻设备，包括辐射源，用于生成EUV辐射；用于供给氢基团的源；用于与25所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的 目标的应用表面;其中所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。典型地，引导件可以包括反射镜元件，所述反射镜元件用于朝向作 为EUV投影束的目标的衬底引导EUV辐射。在本专利技术的另一个方面，提供一种清洁EUV反射镜元件的污染物的方 30法，包括为所述反射镜元件提供具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层;以及将氢基团提供给所述反射镜元件，以便从所述反射镜元件上蚀刻掉所 述污染物。在本专利技术的另一个方面，提供一种将氢基团从源提供到应用表面的方 法，包括提供用于将所述氢基团从所述源朝向所述应用表面引导的引导5件；其中所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。在本专利技术的另一个方面，提供一种保护EUV反射镜元件免受氢基团影响的方法，包括为所述反射镜元件提供具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层；以及将氢基团提供给所述反射镜元件。在本专利技术的另一个方面，提供一种用于制造切向入射反射镜元件的制 10造方法，所述切向入射反射镜元件用于朝向作为EUV投影束的目标的衬底引导EUV辐射束，所述制造方法包括提供反射镜元件，并将所述反射镜元件退火至至少30(TC的温度下。在本专利技术的上下文中，涂层是具有基本一致的厚度的基本一致的、基本均匀的层，所述涂层彻底覆盖出于引导目的或清洁目的而被覆盖的利害 15表面。该涂层可以被施加以任何公知技术(包括热丝沉积、溅射或化学气相沉积工艺)。在全文中，除去另外表示之外，术语"氢"和"氢基团"表示也包括其同位素，尤其是気。附图说明20 在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中 图l示出根据本专利技术的实施例的光刻设备； 图2示出图1的设备的一部分的示意图； 图3示出图1的设备的辐射系统； 25 图4示出根据图1的设备的部件的、选定数量的涂层材料而计算的透射 损失；图5示出图1的设备的具有涂层的采集器反射镜的清洁速率，并与正常采集器反射镜的清洁速率进行对比；图6示出图1的设备的反射镜的经过清洁的样本的测量到的EUV反射30率，并与正常的采集器反射镜进行对比；图7示出氢基团通量的计算，所述氢基团通量作为无涂层的引导件的 距离的函数；图8示出氢基团通量的计算，所述氢基团通量作为图l的设备的具有涂 层的引导件的距离的函数； 5 图9示出根据本专利技术的一个方面的另一个实施例；以及图IO示出根据本专利技术的一个方面的又一个实施例。具体实施方式图l示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包10 括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外辐射或 极紫外辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩 模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定 15 位器PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂 的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位器 PW相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装 20置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多 根管芯)上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、 成形、或控制辐射。25 支撑结构支撑图案形成装置，即承担图案形成装置的重量。它以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持 在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极紫外光刻设备，包括：辐射源，用于生成极紫外辐射；用于供给氢基团的源；用于与所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的目标的应用表面；其中所述引导件设置有具有低于０．２的氢基团复合常数的涂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾马瑞内斯约翰内斯威尔赫尔姆斯，威迪姆耶乌根耶维奇班尼恩，约翰内斯休伯特斯约瑟芬妮摩尔斯，德克简威尔弗瑞德克拉恩德尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]