硅氧烷树脂组合物及其制造方法技术

本发明专利技术提供硅氧烷树脂组合物，所述组合物即使在具有高低差的基板上也可以无涂布不均地进行涂布，衬底高低差的被覆性良好，为此，所述硅氧烷树脂组合物含有硅氧烷化合物和１－叔丁氧基－２－丙醇。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及、以及使用其的光学物 品。本专利技术的硅氧烷树脂组合物和光学物品适用于以固体摄像元件用微透镜阵列为代表的光学透镜、液晶或有机EL ( electroluminescence,电 致发光)显示器的TFT (thin film transistor,薄膜晶体管)用平坦化膜、 防反射膜、防反射膜、防反射板、滤光片等。
技术介绍
在CCD (charge coupled devices:电荷耦合器件)或CMOS (Complementary Metal - Oxide Semiconductor: 互补型金属氧化物半导 体)图像传感器等固体摄像元件、或者显示器用基板、各种防反射膜等 中，使用各种透镜材料、平坦化膜等多种涂布材料。上述涂布材料除要 求透明性、适当的折射率等学特性之外，还要求耐热性、光刻法加工 性等多种特性。针对上述要求，已知含有硅氧烷化合物的树脂组合物是 合适的(例如参见专利文献l)。上述用途中使用的涂布材料大多被涂布在具有大小不同的高低差 的衬底或基板上。因此，除上述特性之外，还要求完全被覆衬底高低差、 不产生涂布不均的性能。但是，现有的含有硅氧烷化合物的树脂组合物 容易产生由衬底高低差或与基板的润湿性不良导致的涂布不均，衬底高 低差的被覆性也不充分。特别是，固体摄像元件用微透镜的平坦化膜具有将凹凸大的微透镜 平坦化的特性，为了进一步提高微透镜的聚光效率，优选低折射率的膜。 但是，满足上述两特性的良好的平坦化膜还是未知的。专利文献l:日本特开2001 - 81404号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供即使在具有高低差的基板上也能够无涂布 不均地涂布的、衬底高低差被覆性良好的硅氧烷树脂组合物。本专利技术为含有硅氧烷化合物和1 -叔丁氧基-2-丙醇的硅氧烷树脂组合物。另外，本专利技术为具有固化膜的光学物品，所述固化膜是将上述硅氧 烷树脂组合物固化而成。另外，本专利技术为硅氧烷树脂组合物的制造方法，其中，在1-叔丁 氧基-2 -丙醇存在下使烷氧基硅烷化合物的水解物进行缩合反应。本专利技术的硅氧烷树脂组合物通过含有1 -叔丁氧基-2 -丙醇，即使在具有高低差的基板上也能够无涂布不均地涂布，衬底高低差的被覆性 良好。将本专利技术的硅氧烷树脂组合物固化得到的固化膜可适用作以固体摄像元件用微透镜为代表的光学透镜、液晶或有机EL显示器的TFT用 平坦化膜、防反射膜或防反射膜等硬涂层、滤光片材料。附图说明为表示涂布膜高低差被覆性评价概况的基板剖面图。为涂布不均评价用基板的图。为涂布不均评价用基板的光学显微镜像。符号说明1:聚酰亚胺图案(高0.7pm) 2:涂布膜 3:硅基板a:距离聚酰亚胺图案端部10(xm的测定点b:距离聚酰亚胺图案端部100|am的测定点c:距离聚酰亚胺图案端部500|iim的测定点d:距离聚酰亚胺图案端部5mm以上、无高低差部分的测定点具体实施方式以下具体地说明本专利技术。本专利技术的硅氧烷树脂组合物含有后述硅氧烷化合物和1 -叔丁氧基 -2-丙醇。通过含有1-叔丁氧基-2-丙醇，可以得到无涂布不均的 膜，并且衬底高低差的被覆性也良好。本专利技术的硅氧烷树脂组合物中使用的硅氧烷化合物优选为通过水 解烷氧基硅烷化合物形成硅烷醇化合物后，通过使该硅烷醇化合物进行 缩合反应得到的硅氧烷化合物。烷氧基硅烷化合物优选为由下述通式(1) ~ (3)中任一个表示的烷氧基硅烷化合物中选择的l种以上。 R'Si(OR4) (1)3W表示氢原子、烷基、烯基、芳基或它们的取代物。W的碳数优选为1~20。 r^可以根据固化膜的用途适当地选择。例如，从固化膜的耐 断裂性的方面考虑，优选使用具有苯基作为W的烷氧基硅烷化合物。 另外，希望得到折射率低的固化膜时，优选使用具有曱基或含有氟原子 的烷基作为r1的烷氧基硅烷化合物。W表示曱基、乙基、丙基、异丙 基或丁基，可以分别相同或不同。ra从水解反应的容易性或获得原料的 方面考虑，优选甲基或乙基。R2R3Si(OR5) (2)2112和113分别表示氢、烷基、烯基、芳基或它们的取代物，可以相同，也可以不同。r"和rs的碳数优选为1~20。 rS表示甲基、乙基、 丙基、异丙基或丁基，可以分别相同或不同。rs从水解反应的容易性或 获得原料的方面考虑优选甲基或乙基。Si(OR6)4 (3)W表示曱基、乙基、丙基、异丙基或丁基，可以分别相同或不同。 r6从水解反应的容易性或获得原料的方面考虑优选甲基或乙基。上迷通式(l) ~ (3)中任一个表示的烷氧基硅烷化合物可以单独 使用，也可以将2种以上组合使用。通式(l) ~ (3)表示的烷氧基硅烷化合物的具体例子如下。作为通式(1)表示的3官能性硅烷化合物，例如可以举出甲基三 甲氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、曱基三丙氧基硅 烷、曱基三异丙氧基硅烷、曱基三丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙 基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷 基三乙氧基硅烷、苯基三曱氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三异丙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲 氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、3-(n,n-二缩水甘油基)氨基丙基三曱 氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三曱氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙 烯基三乙氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、y-甲基丙 烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、y —氨基丙基三甲氧基硅烷、y-氨基丙基 三乙氧基硅烷、n-p-(氨基乙基)-y-氨基丙基三甲氧基硅烷、卩 -氰基乙基三乙氧基硅烷、环氧丙氧基甲基三曱氧基硅烷、环氧丙氧基 曱基三乙氧基硅烷、ct-环氧丙氧基乙基三曱氧基硅烷、ot-环氧丙氧基 乙基三乙氧基硅烷、p-环氧丙氧基乙基三甲氧基硅烷、p-环氧丙氧基 乙基三乙氧基硅烷、a-环氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷、a-环氧丙氧基 丙基三乙氧基硅烷、|3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、p-环氧丙氧基 丙基三乙氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三曱氧基硅烷、Y-环氧丙氧基 丙基三乙氧基硅烷、y-环氧丙氧基丙基三丙氧基硅烷、y —环氧丙氧基 丙基三异丙氧基硅烷、环氧丙氧基丙基三丁氧基硅烷、y-环氧丙氧 基丙基三曱氧基硅烷、a-环氧丙氧基丁基三曱氧基硅烷、a-环氧丙氧 基丁基三乙氧基硅烷、p-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、(3-环氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、y —环氧丙氧 基丁基三乙氧基硅烷、5-环氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、5-环氧丙氧 基丁基三乙氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)曱基三甲氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)曱基三乙氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)甲基三甲氧基硅 烷、(3,4-环氧环己基)曱基三乙氧基硅烷、2- (3,4-环氧环己基) 乙基三丙氧基硅烷、2 - ( 3,4 -环氧环己基)乙基三丁氧基硅烷、2 - ( 3,4 -环氧环己基)乙基三曱氧基硅烷、2- (3,4-环氧环己基)乙基三乙 氧基硅烷、3- (3,4-环氧环己基)丙基三甲氧基硅烷、3- (3,4-环 氧环己基)丙基三乙氧基硅烷、4- (3,4-环氧环己基)丁基三曱氧基 硅烷、4- (3,4-环氧环己基)丁基三乙氧基硅烷三氟曱基三甲氧基硅 烷、三氟甲基三乙氧基硅烷、三氟丙基三曱氧基硅烷、三氟丙基三本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅氧烷树脂组合物，其含有硅氧烷化合物和１－叔丁氧基－２－丙醇。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：仁王宏之，细野博，诹访充史，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]