一种低压高速驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低压高速驱动电路，涉及集成电路技术领域。该电路包括高速差分数据输出子电路，还包括第一级缓冲输入子电路和与其连接的第二级缓冲输入子电路，第一级缓冲输入子电路包括连接于第一差分信号输入端的第一场效应管、连接于第二差分信号输入端的第二场效应管和分别连接于第一场效应管和第二场效应管的第一电阻和第二电阻，第一场效应管和第二场效应管还连接有第三场效应管，第三场效应管连接于第一使能信号输入端；第二级缓冲输入子电路连接于高速差分数据输出子电路，高速差分数据输出子电路还连接于第三场效应管。本发明专利技术技术方案将输入的低压数据信息信息经过差分输入放大，从而解决低压的数据信息达不到高压器件阈值电压的问题。压器件阈值电压的问题。压器件阈值电压的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低压高速驱动电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种低压高速驱动电路。

技术介绍

[0002]通用串行总线(Universal Serial Bus, USB)2.0支持高速(High Speed, 480M)、全速（Full Speed, 12M）和低速(Low Speed, 1.5M)的数据传输。针对高速数据传输有高速驱动电路，其中输入缓冲级B和输出级C构成了高速驱动电路的核心电路，输入的高速差分数据经过输入缓冲级B之后到输出级C，然后经过输出负载电路E输出高速差分数据。现有技术中，USB驱动的电源电压一般为3.3V，若输入数据的电源电压较低（例如0.81V）时，较低的电压有时会有驱动不了3.3V的USB驱动中高压管的情况。同时，由于电路中数据传输速率高达480MHz，无法使用电平转换将低压（例如0.81V）的输入信号转换成3.3V的高压信号。而且，更换电路中原本的高压管会增加电路成本和设计难度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种低压高速驱动电路，旨在低电压数据信息输入时驱动高电压的高速通用串行总线。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种低压高速驱动电路，包括高速差分数据输出子电路，所述电路还包括第一级缓冲输入子电路和与其连接的第二级缓冲输入子电路；所述第一级缓冲输入子电路包括连接于第一差分信号输入端的第一场效应管、连接于第二差分信号输入端的第二场效应管和分别连接于所述第一场效应管和所述第二场效应管的第一电阻和第二电阻，所述第一场效应管和所述第二场效应管还连接有第三场效应管，所述第三场效应管连接于第一使能信号输入端；所述第二级缓冲输入子电路连接于所述高速差分数据输出子电路；所述第一差分信号输入端和所述第二差分信号输入端输入低压的数据信息至所述第一级缓冲输入子电路进行放大，将放大后的数据信息发送至所述第二级缓冲输入子电路进行再次放大，将再次放大后的数据信息发送至所述高速差分数据输出子电路，所述高速差分数据输出子电路将放大后的数据信息由负载子电路输出。
[0005]优选地，所述第一场效应管的栅极连接于所述第一差分信号输入端，其源极连接于第一偏置电流，其漏极连接于所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第二场效应管的栅极连接于所述第二差分信号输入端，其源极连接于所述第一偏置电流，其漏极连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第三场效应管的栅极连接于所述第一使能信号输入端，其源极连接于电源，其漏极连接于所述第一偏置电流。
[0006]优选地，所述第二级缓冲输入子电路包括第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管和第八场效应管；所述第四场效应管连接于所述第一场效应管和所述第六场效应管，所述第五场效应管连接于所述第二场效应管和所述第七场效应管，所述第
八场效应管连接于所述第六场效应管和所述第七场效应管；所述第六场效应管还连接有第三电阻，所述第七场效应管还连接有第四电阻。
[0007]优选地，所述第四场效应管的栅极连接于所述第一场效应管的漏极和所述第六场效应管的栅极，其源极连接于第二偏置电流，其漏极连接于所述第六场效应管的漏极；所述第五场效应管的栅极连接于所述第二场效应管的漏极和所述第七场效应管的栅极，其源极连接于所述第二偏置电流，其漏极连接于所述第七场效应管的漏极；所述第六场效应管的漏极连接于所述第三电阻的一端，其源极连接于所述第三电阻的另一端和所述第八场效应管的漏极；所述第七场效应管的漏极连接于所述第四电阻的一端，其源极连接于所述第四电阻的另一端和所述第八场效应管的漏极；所述第八场效应管的栅极连接于第二使能信号输入端，其源极接地。
[0008]优选地，所述高速差分数据输出子电路包括第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管和第十二场效应管，所述第九场效应管连接于所述第二使能信号输入端和所述第四场效应管，所述第十场效应管连接于所述第二使能信号输入端和所述第五场效应管，所述第十一场效应管连接于所述第四场效应管，所述第十二场效应管连接于所述第五场效应管。
[0009]优选地，所述第九场效应管的栅极连接于所述第二使能信号输入端，其源极连接于所述电源，其漏极连接于所述第四场效应管的漏极；所述第十场效应管的栅极连接于所述第二使能信号输入端，其源极连接于所述电源，其漏极连接于所述第五场效应管的漏极；所述第十一场效应管的栅极连接于所述第四场效应管的漏极，其源极连接于第三偏置电流，其漏极连接于第一差分信号输出端；所述第十二场效应管的栅极连接于所述第五场效应管的漏极，其源极连接于所述第三偏置电流，其漏极连接于所述第二差分信号输出端。
[0010]优选地，所述第一偏置电流小于所述第二偏置电流；所述第二偏置电流小于所述第三偏置电流。
[0011]本专利技术技术方案通过第二级缓冲输入子电路前增加了第一级缓冲输入子电路，使得输入的低压数据信息信息经过差分输入放大，在电路中数据传输速率高达480MHz时，达到足以驱动高压器件的电压范围，从而解决低压的数据信息达不到高压器件阈值电压的问题。
附图说明
[0012]图1为本专利技术低压高速驱动电路的电路原理图。
[0013]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
[0014]具体实施方式
[0015]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0016]下面结合附图对本专利技术进一步说明。
[0017]一种低压高速驱动电路，如图1所示，包括高速差分数据输出子电路，所述电路还包括第一级缓冲输入子电路和与其连接的第二级缓冲输入子电路；所述第一级缓冲输入子电路包括连接于第一差分信号输入端DP_in的第一场效应管M1、连接于第二差分信号输入端DM_in的第二场效应管M2和分别连接于所述第一场效应管M1和所述第二场效应管M2的第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一场效应管M1和所述第二场效应管M2还连接有第三场效应管M3，所述第三场效应管M3连接于第一使能信号输入端HS_ENN1；所述第二级缓冲输入子电路连接于所述高速差分数据输出子电路；所述第一差分信号输入端DP_in和所述第二差分信号输入端DM_in输入低压的数据信息至所述第一级缓冲输入子电路进行放大，将放大后的数据信息发送至所述第二级缓冲输入子电路进行再次放大，将再次放大后的数据信息发送至所述高速差分数据输出子电路，所述高速差分数据输出子电路将放大后的数据信息由负载子电路输出。
[0018]优选地，所述第一场效应管M1的栅极连接于所述第一差分信号输入端DP_in，其源极连接于第一偏置电流I1，其漏极连接于所述第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端接地GND；所述第二场效应管M2的栅极连接于所述第二差分信号输入端DM_in，其源极连接于所述第一偏置电流I1，其漏极连接于所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地GND；所述第三场效应管M3的栅极连接于所述第一使能信号输入端HS_ENN1，其源极连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压高速驱动电路，包括高速差分数据输出子电路，其特征在于，所述电路还包括第一级缓冲输入子电路和与其连接的第二级缓冲输入子电路；所述第一级缓冲输入子电路包括连接于第一差分信号输入端的第一场效应管、连接于第二差分信号输入端的第二场效应管和分别连接于所述第一场效应管和所述第二场效应管的第一电阻和第二电阻，所述第一场效应管和所述第二场效应管还连接有第三场效应管，所述第三场效应管连接于第一使能信号输入端；所述第二级缓冲输入子电路连接于所述高速差分数据输出子电路；所述第一差分信号输入端和所述第二差分信号输入端输入低压的数据信息至所述第一级缓冲输入子电路进行放大，将放大后的数据信息发送至所述第二级缓冲输入子电路进行再次放大，将再次放大后的数据信息发送至所述高速差分数据输出子电路，所述高速差分数据输出子电路将放大后的数据信息由负载子电路输出。2.根据权利要求1所述的低压高速驱动电路，其特征在于，所述第一场效应管的栅极连接于所述第一差分信号输入端，其源极连接于第一偏置电流，其漏极连接于所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接地；所述第二场效应管的栅极连接于所述第二差分信号输入端，其源极连接于所述第一偏置电流，其漏极连接于所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第三场效应管的栅极连接于所述第一使能信号输入端，其源极连接于电源，其漏极连接于所述第一偏置电流。3.根据权利要求2所述的低压高速驱动电路，其特征在于，所述第二级缓冲输入子电路包括第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管和第八场效应管；所述第四场效应管连接于所述第一场效应管和所述第六场效应管，所述第五场效应管连接于所述第二场效应管和所述第七场效应管，所述第八场效应管连接于所述第六场效应管和所述第七场效应管；所述第六场效应管还连接有第三电阻，所述第七场效应管还连接有第四电阻。4.根据权利要求3所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗婷，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：