一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括电极柱体、底部卡板、外围绝缘罩、晶体片、金属片、导线、三极管VT和一号电阻，三极管VT与一号电阻、二号电阻、三号电阻、四号电阻构成放大电路；交流旁路电容对交流信号相当于短路；晶振体为石英晶体，在电路中相当于电感。该电路是一个电容三点式振荡器，上端电容、下端电容、晶振体构成选频电路，其选频频率主要由晶振体决定，保证了装置的输出信号频差的稳定性。出信号频差的稳定性。出信号频差的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器


[0001]本技术涉及晶体振荡器相关
，具体为一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器。

技术介绍

[0002]有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号，而LC振荡器稳定性较差，频率容易漂移(即产生的交流信号频率容易变化)。在振荡器中采用一个特殊的元件：石英晶体，可以产生高度稳定的信号，这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。现有的晶体振荡器存在单频振荡稳定性不高和输出信号频差的稳定性较差的问题，为此本技术提出一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器用于解决上述问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括电极柱体、底部卡板、外围绝缘罩、晶体片、金属片、导线、三极管VT和一号电阻，所述电极柱体与底部卡板胶合，所述底部卡板的上方与外围绝缘罩的下部胶合，所述电极柱体的上方与金属片电性连接，所述金属片与晶体片固定连接，所述导线与晶振体电性连接，所述三极管VT通过导线与一号电阻电性连接，所述三极管VT与上端电容电性连接。
[0005]优选的，所述电极柱体的个数为两个，所述电极柱体的上方位于外围绝缘罩的内部。
[0006]优选的，所述金属片的个数为两个，两个所述金属片分别位于晶体片的两侧。
[0007]优选的，所述电极柱体、底部卡板、外围绝缘罩和晶体片、金属片构成晶振体，所述晶振体下方设有两个电极柱体。
[0008]优选的，所述三极管VT通过导线与二号电阻电性连接，所述三极管VT通过导线与三号电阻电性连接，所述三极管VT通过导线与四号电阻电性连接。
[0009]优选的，所述一号电阻与二号电阻连接方式为串联，所述三号电阻通过三极管VT与四号电阻形成串联。
[0010]优选的，所述上端电容通过导线与下端电容形成串联，所述上端电容与晶振体的一端电性连接，所述下端电容与晶振体的另一端电性连接。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]1.利用电极柱体、底部卡板、外围绝缘罩、晶体片、金属片和晶振体的相互配合，底部卡板的上方设有外围绝缘罩，底部卡板的下方有两个电极柱体，电极柱体穿过底部卡板伸入到外围绝缘罩内部，在两个电极柱体的上方的中间位置设有晶体片，晶体片的两端通过金属片与两个电极柱体电性连接，工作原理为：在晶体片两极外加电压后，晶体片会产生变形，反过来如外力使晶片变形，则两个电极柱体中间的晶体片又会产生电压。如果给晶体
片加上适当的交变电压，晶体片就会产生谐振(谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定)。晶体片的谐振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡，提高装置单频振荡的稳定性；
[0013]2.本技术通过导线、端子、上端电容、下端电容、交流旁路电容、接地线、三极管VT、一号电阻、二号电阻、三号电阻、四号电阻，首先，三极管 VT与一号电阻、二号电阻、三号电阻、四号电阻构成放大电路；交流旁路电容对交流信号相当于短路；晶振体为石英晶体，在电路中相当于电感。从附图3 可以看出，该电路是一个电容三点式振荡器，上端电容、下端电容、晶振体构成选频电路，其选频频率主要由晶振体决定，频率接近fp。电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过三极管VT，它包含着微弱的零到无穷大各种频率的信号。这些信号加到上端电容、下端电容、晶振体构成的选频电路，选频电路从中选出f信号，在晶振体、上端电容、下端电容两端有f 信号电压，取下端电容两端的f信号电压反馈到三极管VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，上端电容、下端电容两端的信号电压增大，下端电容两端的电压又送到三极管VT基-射极，如此反复进行，三极管 VT输出的信号越来越大，而三极管VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路，通过上述方式，保证了装置的输出信号频差的稳定性；
[0014]3.本技术通过导线、交流旁路电容和接地线的相互配合，本装置的交流旁路电容通过导线与接地线电性连接，通过设置接地线，形成安全回路线，危险时它就把高压直接转嫁给大地，起到保护电路的作用。
附图说明
[0015]图1为本技术的立体结构示意图；
[0016]图2为本技术的内部结构剖视图；
[0017]图3为本技术的电路结构示意图。
[0018]图中：电极柱体1、底部卡板2、外围绝缘罩3、晶体片4、金属片5、晶振体6、导线7、端子71、上端电容72、下端电容73、交流旁路电容74、接地线 75、三极管VT8、一号电阻9、二号电阻91、三号电阻92、四号电阻93。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括电极柱体1、底部卡板2、外围绝缘罩3、晶体片4、金属片5、导线7、三极管VT8和一号电阻9，电极柱体1与底部卡板2胶合，底部卡板2 的上方与外围绝缘罩3的下部胶合，电极柱体1的上方与金属片5电性连接，金属片5与晶体片4固定连接，导线7与晶振体6电性连接，三极管VT8通过导线7与一号电阻9电性连接，三极管VT8与上端电容72电性连接。
[0021]进一步地，电极柱体1的个数为两个，电极柱体1的上方位于外围绝缘罩3 的内部，
起到保护绝缘作用。
[0022]进一步地，金属片5的个数为两个，两个金属片5分别位于晶体片4的两侧，提高装置实用性。
[0023]进一步地，电极柱体1、底部卡板2、外围绝缘罩3和晶体片4、金属片5 构成晶振体6，晶振体6下方设有两个电极柱体1，方便与其他电气元件电性连接。
[0024]进一步地，三极管VT8通过导线7与二号电阻91电性连接，三极管VT8通过导线7与三号电阻92电性连接，三极管VT8通过导线7与四号电阻93电性连接，起到调节电压的作用。
[0025]进一步地，一号电阻9与二号电阻91连接方式为串联，三号电阻92通过三极管VT8与四号电阻93形成串联，提高装置的实用性。
[0026]进一步地，上端电容72通过导线7与下端电容73形成串联，上端电容72 与晶振体6的一端电性连接，下端电容73与晶振体6的另一端电性连接，提高该新型装置频率稳定性。
[0027]工作原理：本技术底部卡板2的上方设有外围绝缘罩3，底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，包括电极柱体(1)、底部卡板(2)、外围绝缘罩(3)、晶体片(4)、金属片(5)、导线(7)、三极管VT(8)和一号电阻(9)，其特征在于，所述电极柱体(1)与底部卡板(2)胶合，所述底部卡板(2)的上方与外围绝缘罩(3)的下部胶合，所述电极柱体(1)的上方与金属片(5)电性连接，所述金属片(5)与晶体片(4)固定连接，所述导线(7)与晶振体(6)电性连接，所述三极管VT(8)通过导线(7)与一号电阻(9)电性连接，所述三极管VT(8)与上端电容(72)电性连接。2.根据权利要求1所述的一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，其特征在于：所述电极柱体(1)的个数为两个，所述电极柱体(1)的上方位于外围绝缘罩(3)的内部。3.根据权利要求1所述的一种频差接近高抑制锁相环晶体振荡器，其特征在于：所述金属片(5)的个数为两个，两个所述金属片(5)分别位于晶体片(4)的两侧。4.根据权利要求1所述的一种频差接近高抑制锁相环晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钦洪，
申请(专利权)人：深圳扬兴科技有限公司，
类型：新型
国别省市：