光学邻近校正的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，在该光学邻近校正的方法中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤：首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本发明专利技术的光学邻近校正的方法不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及用于半导体层上的不同区 域的。
技术介绍
在现有的技术中，半导体都要经过光刻流程，光刻流程就是光线通过掩膜 对抗蚀剂进行曝光，掩膜上的图案被转移而形成抗蚀图案的过程。如果掩膜图 案的尺寸非常小，掩膜图案的尺寸会接近形成抗蚀图案的光线的波长，从而产生光学临近效应(Optical Proximity Effect, OPE),掩膜上的图案就会在转 移时变形，而且掩膜图案上相邻图案区域的光刻质量受光学临近效应的影响越 来越大。 一般光学临近效应的消除方法采用光学临近修正(Optical Proximity Corrections, OPC ),光学临近修正对半导体某一特定层形成修正图案进行修正。 现在半导体设计中引入了临界尺寸(critical dimension, CD),会限制光刻时 的焦深(depth of focus, DOF )，所以半导体基质的拓朴开始影响光刻过程。 比如在90纳米的半导体制造工艺中，半导体多晶硅层上被分成两个部分 一个部分为位于有源区域上的栅极部分，另一个部分为位于浅沟槽(STI)上的 多晶硅部分，其中栅极部分和多晶硅部分的厚度和材质堆叠均不同，这样其中 相对于另 一部分会产生不同焦距的问题。虽然可以通过釆用防反射层减弱上述 不同焦距的问题，但是效果不是很理想。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，通过该方法能实现半导 体层上的不同区域的光学邻近校正。为了达到所述的目的，本专利技术提供了 一种用于半导体层的光学邻近校正的 方法，所述半导体层的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其中，所述方 法包括以下步骤首先使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型对半导体层 表面的最佳聚焦平面进行光学邻近校正；再使用用于散焦平面的光学邻近校正 模型对半导体层表面的散焦平面进行光学邻近校正。在上述的用于半导体层的中，所述的半导体层包括两 个多晶硅层，两个多晶硅层不相交的平面为最佳聚焦平面，两个多晶硅层相交 的平面为散焦平面。在上述的用于半导体层的中，所述的两个多晶硅层的 相交区域的厚度大于两个多晶硅层未相交区域的厚度。本专利技术由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优 点和积极效果通过本专利技术的可以补偿由于拓朴效应产生 的临界尺寸变化。附图说明本专利技术的由以下的实施例及附图给出。 图1为一种半导体结构的俯视示意图； 图2为沿图1中A-A方向的剖视图。具体实施例方式以下将结合附图对本专利技术的光学邻近^^正的方法作进一步的详细描述。 如图1、图2所示，半导体层包括一半导体衬底5，形成于衬底5上的两个 多晶硅层l、 2，由于半导体的拓朴效应，两个多晶硅层l、 2有一相交区域3， 在相交叠区域3下方形成一有源区6,其中，相交区域3的厚度比多晶硅层1、 2其他区域的厚度大。如图2所示，图2为沿图1中A-A方向的剖视图，半导体 上的最佳聚焦平面a包括多晶硅层1、 2的表面且不包括相交区域3的表面，也 就是说两个多晶硅层l、 2不相交的平面，提供一用于最佳聚焦平面的光学邻近 校正模型；散焦平面为相交区域3形成的表面(如图中的梯形表面)，提供一用 于散焦平面的光学邻近校正模型。当需要对半导体层进行光学邻近校正时，本 专利技术的可以分成两个步骤第一步骤是对为最佳聚焦平面a 的半导体平面，使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；第二步骤是对为 散焦平面的半导体平面，使用用于散焦平面的光学邻近校正模型，其中，用于散焦平面的光学邻近校正模型利用散焦值和光学模型对掩模图案进行光刻模拟 成像，迭代优化校正目标掩模图案形状。通过本专利技术的，可以补偿由于拓朴效应产生的临界尺 寸变化。以上介绍的仅仅是基于本专利技术的较佳实施例，并不能以此来限定本专利技术的 范围。任何对本专利技术的方法作本
内熟知的步骤的替换、组合、分立， 以及对本专利技术实施步骤作本
内熟知的等同改变或替换均不超出本专利技术 的揭露以及保护范围。权利要求1、一种用于半导体层的，所述半导体层的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其特征在于，所述方法包括以下步骤首先使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的最佳聚焦平面进行光学邻近校正；再使用用于散焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的散焦平面进行光学邻近校正。2、 如权利要求1所述的用于半导体层的，其特征在于 所述的半导体层包括两个多晶硅层，两个多晶硅层不相交的表面为最佳聚焦平 面，两个多晶硅层相交的表面为散焦平面。3、 如权利要求2所述的用于半导体层的，其特征在于 所述的两个多晶硅层的相交区域的厚度大于两个多晶硅层未相交区域的厚度。全文摘要本专利技术涉及一种用于半导体层的，在该中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本专利技术的不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。文档编号G03F7/14GK101359178SQ20071004454公开日2009年2月4日 申请日期2007年8月3日 优先权日2007年8月3日专利技术者刘庆炜 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，所述半导体层的表面具有一最佳聚焦平面和一散焦平面，其特征在于，所述方法包括以下步骤：　首先使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的最佳聚焦平面进行光学邻近校正；　再使用用于散焦平面的光学邻近校正模型对半导体层表面的散焦平面进行光学邻近校正。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆炜，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]