一种改进型AMS用气体靶锥制造技术

技术编号:27429060 阅读:27 留言:0更新日期:2021-02-21 14:59
本实用新型专利技术提供一种改进型AMS用气体靶锥,包括靶锥底部、靶锥头部、反应介质,所述靶锥底部为由大头部分和小头部分组成的T型结构,所述靶锥头部的中部设有安装孔,所述安装孔尺寸与靶锥底部小头部分尺寸一致,所述靶锥底部中心设有中空的气体通道,所述靶锥底部的小头部分的端面设有反应介质,所述靶锥底部和靶锥头部卡设在一起,所述反应介质置于靶锥底部和靶锥头部之间,所述反应介质是由衬底钛网、表面钛网、以及置于衬底钛网和表面钛网之间的中间钛网组成。本实用新型专利技术在原有专利的基础上进行改进,将钛颗粒置换为中间钛网,使用时间翻倍,Cs溅射下C

【技术实现步骤摘要】
一种改进型AMS用气体靶锥


[0001]本技术属于放射性核素测量辅助设备
,具体涉及一种改进型 AMS用气体靶锥。

技术介绍

[0002]加速器质谱仪(AMS)是测试微量长寿命放射性核素必不可少的前沿性工具之一。与传统的固体样品测量方式相比,气体离子源优点颇多。
[0003]申请人于2014.05.22提交了专利号为ZL201420263871.8的申请,提供了一种新型AMS用气体靶锥,包括靶锥底部和靶锥头部,所述靶锥头部内设有衬底钛网和表面钛网,所述衬底钛网与靶锥底座通过中空通道相连接,所述衬底钛网何表面钛网均为80—100目,保证了靶锥本身即作为气体反应介质同时作阴极的特性,即导电性良好,提供分布均匀的电场,同时大大降低了靶锥加工和更换的难度,而且表面的钛网及钛颗粒大大增加了反应面积,使得反应效率大大提升,提高了样品在Cs+离子束流轰击下的利用效率。但是所述衬底钛网和表面钛网内设有钛颗粒,钛颗粒存在填装操作困难、组装不方便的问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种改进型AMS用气体靶锥,在先申请专利基础上进一步改进,进一步提升了反应效率,提高了利用率,延长了使用时间,且组装操作方便。
[0005]本技术的技术方案是:一种改进型AMS用气体靶锥,包括靶锥底部、靶锥头部、反应介质,所述靶锥底部为由大头部分和小头部分组成的T型结构,所述靶锥头部的中部设有安装孔,所述安装孔尺寸与靶锥底部小头部分尺寸一致,所述靶锥底部中心设有中空的气体通道,所述靶锥底部的小头部分的端面设有反应介质,所述靶锥底部和靶锥头部卡设在一起,所述反应介质置于靶锥底部和靶锥头部之间,所述反应介质是由衬底钛网、表面钛网、以及置于衬底钛网和表面钛网之间的中间钛网组成。
[0006]方案进一步地,所述中间钛网的数量至少为两个,所述中间钛网的目数不相同。
[0007]方案进一步地,所述中间钛网包括内部的网格,网格周围的上部设有环形卡槽,底部设有与卡槽相配合的卡块。
[0008]方案进一步地,所述衬底钛网包括网格,置于网格周围上部的环形卡槽。
[0009]方案进一步地,所述表面钛网包括网格,置于网格周围底部的环形卡块。
[0010]方案进一步地,所述衬底钛网包括网格,置于网格周围上部的环形卡槽,置于底部的环形卡块,所述靶锥底部的小头部分的端面上设有环形安装槽。
[0011]方案进一步地,所述靶锥底部中心的气体通道表面上设有螺纹。
[0012]方案进一步地,所述衬底钛网和表面钛网均为80—100目。
[0013]方案进一步地,所述中间钛网为120-180目。
[0014]本技术的有益效果是:本技术在原有专利的基础上进行改进,将钛颗粒置换为中间钛网,最终经过应用使得使用时间翻倍,在产生同等C-束流情况下,可使用时间
为原来2倍;Cs溅射下C-离子产额为原来1.8倍;利用卡槽和卡块卡接反应介质使得靶锥组装更为方便和直接,解决原较细的钛颗粒填装操作困难的问题。
附图说明
[0015]图1是本技术一种改进型AMS用气体靶锥的结构示意图;
[0016]图2是本技术一种改进型AMS用气体靶锥的中间钛网结构示意图;
[0017]图3是本技术一种改进型AMS用气体靶锥的中间钛网纵截面结构示意图;
[0018]图4是本技术一种改进型AMS用气体靶锥的中间钛网相互连接示意图;
[0019]图5是本技术一种改进型AMS用气体靶锥的靶锥底部的俯视图;
[0020]其中:1、反应介质,1-1、网格,1-2、卡槽,1-3、卡块,2、靶锥头部,3、气体通道,4、靶锥底部,5、螺纹,6、安装槽。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本技术做清楚完整的描述,以使本领域的技术人员在不需要作出创造性劳动的条件下,能够充分实施本技术。
[0022]本技术的具体实施方式是:如图1-5所示,一种改进型AMS用气体靶锥,包括靶锥底部4、靶锥头部2、反应介质1,所述靶锥底部4是由大头部分和小头部分组成的T型结构,所述靶锥头部2的中部设有安装孔,所述安装孔尺寸与靶锥底部4小头部分尺寸一致,所述靶锥底部4中心设有中空的气体通道 3,所述靶锥底部4的小头部分的端面设有反应介质1,所述靶锥底部4和靶锥头部2卡设在一起,所述反应介质1置于靶锥底部4和靶锥头部2之间,所述反应介质1是由衬底钛网、表面钛网、以及置于衬底钛网和表面钛网之间的中间钛网组成。
[0023]本技术一优选而非限制性实施例中,所述中间钛网的数量至少为两个,所述中间钛网的目数不相同。
[0024]本技术一优选而非限制性实施例中,所述中间钛网包括内部的网格1-1,网格1-1周围的上部设有环形卡槽1-2,底部设有与卡槽1-2相配合的卡块1-3。
[0025]本技术一优选而非限制性实施例中,所述衬底钛网包括网格1-1,置于网格1-1周围上部的环形卡槽1-2。
[0026]本技术一优选而非限制性实施例中,所述表面钛网包括网格1-1,置于网格1-1周围底部的环形卡块1-3。
[0027]本技术一优选而非限制性实施例中,所述衬底钛网包括网格1-1,置于网格1-1周围上部的环形卡槽1-2,置于底部的环形卡块1-3,所述靶锥底部4 的小头部分的端面上设有环形安装槽6。
[0028]本技术一优选而非限制性实施例中,所述靶锥底部4中心的气体通道3 表面上设有螺纹5。
[0029]本技术一优选而非限制性实施例中,所述衬底钛网和表面钛网均为80 —100目。
[0030]本技术一优选而非限制性实施例中,所述中间钛网为120-180目。
[0031]靶锥底部2和靶锥头部4均为铝合金材质。
[0032]将本技术与在先授权的专利进行了实验对比,最终发现使用时间翻倍,在产生同等C-束流情况下,可使用时间为原来2倍,从约15分钟提升至30分钟;Cs溅射下C-离子产额为原来1.8倍,从1.21μA到2.17μA,具有很大的现实应用意义。
[0033]以上对本技术的较佳实施例进行了描述,需要指出的是,本技术并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本技术技术方案范围情况下,依据本技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本技术技术方案保护的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改进型AMS用气体靶锥,包括靶锥底部、靶锥头部、反应介质,所述靶锥底部为由大头部分和小头部分组成的T型结构,所述靶锥头部的中部设有安装孔,所述安装孔尺寸与靶锥底部小头部分尺寸一致,所述靶锥底部中心设有中空的气体通道,所述靶锥底部的小头部分的端面设有反应介质,所述靶锥底部和靶锥头部卡设在一起,所述反应介质置于靶锥底部和靶锥头部之间,其特征在于,所述反应介质是由衬底钛网、表面钛网、以及置于衬底钛网和表面钛网之间的中间钛网组成。2.根据权利要求1所述的一种改进型AMS用气体靶锥,其特征在于,所述中间钛网的数量至少为两个,所述中间钛网的目数不相同。3.根据权利要求2所述的一种改进型AMS用气体靶锥,其特征在于,所述中间钛网包括内部的网格,网格周围的上部设有环形卡槽,底部设有与卡槽相配合的卡块。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:付云翀程鹏赵稳年
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:新型
国别省市:

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