一种微显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动芯片，显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，第一量子点发光材料、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元发出的光在出光方向上混合形成混合光。本实用新型专利技术通过将LED发光单元与量子点发光材料沿光路方向层叠设置，使不同颜色的光沿出光光路混合，从而实现像素全彩化，而由于构成像素单元的三颗LED发光单元不再横向排列，因此在像素单元面积大小不变的情况下，实现像素单元密度倍增。实现像素单元密度倍增。实现像素单元密度倍增。

【技术实现步骤摘要】
一种微显示装置


[0001]本技术属于微显示
，特别涉及一种微显示屏。

技术介绍

[0002]随着制造技术的进步，越来越多的微显示装置制造技术逐渐成熟，市场需求不断扩大，涌现出OLED、Mini-LED、Micro-LED等显示技术。以Micro-LED为例，Micro-LED是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。由于Micro-LED具有超高解析率、画面更精细，因此适用于AR系统的显示芯片主要以Micro-LED微显示芯片为主。
[0003]Micro LED硅基微显器件的像素比较小，RBG子像素的尺寸大概为10um左右，甚至更小，这对micro-LED硅基微显的彩色化提出了比较高的要求。目前micro-LED硅基微显得彩色化一般有三种方案：
[0004]1、3D纳米棒技术实现彩色化，这种技术可以在同一衬底上同时制作RGB 三色LED，这种技术尚处于研究阶段；
[0005]2、RGB三种颜色的芯片逐层分别通过flip chip或者wafer bonding的方式bonding到硅基背板上， bonding之后再进行LED图形化，这种技术比较复杂，也尚在研究阶段；
[0006]3、通过量子点转换的方式来进行彩色化，传统的micro-LED由多个在平面内阵列排布的像素单元组成，各像素单元一般包括水平排布的3颗子像素，每颗子像素对应一颗LED发光单元，在高分辨率的要求下，只能够通过缩小量子点尺寸匹配LED大小，但是因为micro-LED 硅基微显的子像素在10um左右，而量子点打印精度只能达到30um左右，因此采用量子点膜图形化是一个巨大的挑战。
[0007]因此，市场需求一种新的彩色化方案，能够实现更高的像素密度。

技术实现思路

[0008]为了解决上述技术问题，本技术的目的是提出一种像素密度更高的彩色微显示装置。
[0009]为了实现上述技术的目的，本技术采用如下技术方案：一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动所述显示芯片的驱动芯片，所述的显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各所述像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，所述的第一量子点发光材料、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元发出的光在出光方向上混合形成混合光。
[0010]上述技术方案中，优选的，至少部分所述的第一LED发光单元、至少部分第一量子点发光材料、至少部分第二LED发光单元、至少部分第二量子点发光材料以及至少部分第三
LED发光单元在垂直于出光方向的平面上的投影重叠。
[0011]上述技术方案中，优选的，所述的第一量子点发光材料的出光侧形成有第一膜层，所述的第一膜层对所述的第一量子点发光材料的发出的光具有高透过率，对于所述第一LED发光单元发出的光具有高反射率，所述的第二量子点发光材料的出光侧形成有第二膜层，所述的第二膜层对所述的第一量子点发光材料和第二量子点发光材料发出的光具有高透过率，对于所述第二LED发光单元发出的光具有高反射率。
[0012]上述技术方案中，优选的，所述的第一量子点发光材料被配置成受激后发射大于第一波长λ1的光，所述的第二量子点发光材料被配置成受激后发射大于第二波长λ2的光，所述第一LED发光单元发射大于第三波长λ3的光，所述第二LED发光单元发射大于第四波长λ4的光，λ3＜λ2＜λ1，λ4＜λ2＜λ1。
[0013]上述技术方案中，优选的，所述的第一量子点发光材料受激发后发出红光，所述的第一膜层为红光高透，蓝光、绿光高反膜，所述的第二量子点发光材料受激后发出绿光，所述的第二膜层为蓝光高反、红光和绿光高透膜。
[0014]上述技术方案中，优选的，所述的第一膜层和第二膜层中的至少一个被配置成对反射光具有汇聚作用。
[0015]上述技术方案中，优选的，所述的第一膜层为SiO2和Ti2O5多层间隔复合膜，所述的第一膜层的厚度为100-50000nm，所述的第一膜层对红光的透过率大于97%，对蓝光和紫外光的反射率大于99%。
[0016]上述技术方案中，优选的，所述的第二膜层为SiO2和Ti2O5多层间隔复合膜，所述的第二膜层的厚度为100-50000nm，所述的第一膜层对绿光的透过率大于97%对蓝光和紫外光的反射率大于99%。
[0017]上述技术方案中，优选的，所述的第一LED发光单元、第二LED发光单元为蓝光LED或紫外LED。
[0018]上述技术方案中，优选的，所述的驱动芯片的键合表面上具有多个金属焊点，至少两个金属焊点组成一组分别与所述的像素单元对应，各所述的LED发光单元分别通过金属引线与所述金属焊点导电连接。
[0019]本技术提出了一种新的微显示装置的结构，通过将LED发光单元与量子点发光材料沿光路方向层叠设置，使不同颜色的光沿出光光路混合，从而实现像素全彩化，而由于构成像素单元的三颗LED发光单元不再横向排列，因此在像素单元面积大小不变的情况下，单颗量子点发光材料可以占用更大的面积，因此能够采用较低的制造工艺完成制造，同时比传统二维R、G、B像素排布，本方案可以实现像素密度3倍增加。
附图说明
[0020]附图1为本技术的微显示装置的出光结构示意图；
[0021]附图2-附图6为本技术的显示装置的制造方法的步骤图。
具体实施方式
[0022]为详细说明技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明，其中本说明书中所述的“上”、“下”位置关系分别与附图1中的
上、下方对应，附图1中的上方为显示装置的出光方向，LED发光单元和量子点发光材料的上表面分别为各自的出光面。
[0023]本实施例提供了一种微显示装置，图1展示了该微显示装置的结构，附图2 至6显示了微显示装置的制造流程。该微显示屏可在二维平面内以阵列形式向两个方向延伸，形成具有一定尺寸的显示屏。本技术所公开的微显示结构可适用于Micro-LED、Mini-LED显示屏。
[0024]参见图1所示，该微显示装置，包括显示芯片100以及驱动所述显示芯片100的驱动芯片200。
[0025]所述的显示芯片100包括阵列排布的若干像素单元10，各所述像素单元均10包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元121、第一量子点发光材料131、第二LED发光单元122、第二量子点发光材料132以及第三LED发光单元123。所述的驱动芯片200的键合表面上具有多个金属焊点211，三个金属焊点211组成一组分别与所述的像素单元10对应，各所述的LED发光单元分别通过金属引线111与所述金属焊点211导电连接。
[0026]由于第一LED发光单元121、第二量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动所述显示芯片的驱动芯片，其特征在于：所述的显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各所述像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，所述的第一量子点发光材料、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元发出的光在出光方向上混合形成混合光。2.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：至少部分所述的第一LED发光单元、至少部分第一量子点发光材料、至少部分第二LED发光单元、至少部分第二量子点发光材料以及至少部分第三LED发光单元在垂直于出光方向的平面上的投影重叠。3.根据权利要求1所述的微显示装置，其特征是：所述的第一量子点发光材料的出光侧形成有第一膜层，所述的第一膜层对所述的第一量子点发光材料的发出的光具有高透过率，对于所述第一LED发光单元发出的光具有高反射率，所述的第二量子点发光材料的出光侧形成有第二膜层，所述的第二膜层对所述的第一量子点发光材料和第二量子点发光材料发出的光具有高透过率，对于所述第二LED发光单元发出的光具有高反射率。4.根据权利要求3所述的微显示装置，其特征是：所述的第一量子点发光材料被配置成受激后发射大于第一波长λ1的光，所述的第二量子点发光材料被配置成受激后发射大于第二波长λ2的光，所述第一LED发光单元发射大于第三波长...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳大川，朱涛，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：