光刻装置和冷却装置制造方法及图纸

光刻装置包括：投影系统，被配置为经由投影路径将图案化的辐射束投影到保持在衬底台上的衬底处的曝光区上，该衬底台在投影系统下方的区域中是可移动的；以及冷却装置，被配置为经由从衬底到冷却元件的热传递来冷却衬底，冷却元件位于衬底上方并且与投影路径相邻；其中冷却装置包括位于投影路径中的隔膜系统，以将投影系统与该区域物理地分离。将投影系统与该区域物理地分离。将投影系统与该区域物理地分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻装置和冷却装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年7月5日提交的EP申请18182013.5的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及光刻装置和光刻方法。本专利技术还涉及冷却装置。

技术介绍

[0004]光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻装置可以被用在集成电路(IC)的制造中。例如，光刻装置可以将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
[0005]为了在衬底上投影图案，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。使用具有在4nm-20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以被用于在衬底上形成相比于例如使用具有193nm的波长的辐射的光刻装置而更小的特征。
[0006]存在来自衬底的污染物(例如，来自衬底上的抗蚀剂的气相有机化合物)到达光刻装置的光学部件(即，投影系统)的风险。
[0007]期望提供一种光刻装置，其解决上述问题或与现有技术相关联的一些其它问题。

技术实现思路

[0008]根据本专利技术的第一方面，提供了一种光刻装置，该光刻装置包括：投影系统，被配置为经由投影路径将图案化的辐射束投影到保持在衬底台上的衬底处的曝光区上，该衬底台在投影系统下方的区域中是可移动的；以及冷却装置，被配置为经由从衬底到冷却元件的热传递来冷却衬底，冷却元件位于衬底上方并且与投影路径相邻；其中冷却装置包括位于投影路径中的隔膜系统，以将投影系统与该区域物理地分离。
[0009]这具有将投影系统与该区域隔离的优点，使得气体和/或污染物不能从该区域进入投影系统。与其它系统相比，优点可能是消除了寄生热负荷、相关的热屏蔽件、调整解决方案并降低了泵送功率。
[0010]气体流系统可以被配置为提供在隔膜系统的下方的气体的流。这可以提供增加冷却装置的行程高度的优点。
[0011]气体流系统可以被配置为提供在冷却元件与衬底之间的气体的流，流可以被配置为增加从衬底到冷却元件的热传递。
[0012]气体流系统可以被配置为将气体流提供到衬底上的曝光区上。
[0013]气体流系统可以包括冷却装置中的气体输送导管。
[0014]气体可以包括氮气。这样做的优点是，相对于不同表面材料的热适应系数(TAC)，氮气比氢气稳定5倍。
[0015]光刻装置还可以包括附加的气体流系统，该附加的气体流系统可以被配置为提供在隔膜系统的上方的附加的气体的流。这可以避免隔膜处的污染。
[0016]隔膜系统可以包括单个隔膜。优点可以是提供更稳健的隔膜。
[0017]隔膜系统可以包括第一隔膜和第二隔膜。
[0018]光刻装置还可以包括另外的气体流系统，该另外的气体流系统可以被配置为提供通过由冷却装置、第一隔膜和第二隔膜限定的体积的另外的气体流。这可以提供增加一个或两个隔膜的冷却的优点。
[0019]光刻装置还可以包括位于冷却装置的外周处并且从冷却装置向外和/或向上延伸的阻挡构件。
[0020]阻挡构件可以被连接到冷却装置。
[0021]冷却装置可以包括狭缝，狭缝被配置为使得投影路径穿过狭缝，其中隔膜系统可以物理地封闭狭缝。
[0022]冷却元件可以包括从冷却元件的主体远离、朝向衬底延伸的指状物，其中隔膜系统可以位于指状物之间。这可以具有以下优点：处于清洁的目的，在隔膜的下方提供更好的冷却流分布。
[0023]气体流系统可以被配置为提供从指状物流出的气体流。
[0024]根据本专利技术的第二方面，提供了一种冷却装置，该冷却装置被配置为用于在如上所述的光刻装置中使用。根据本专利技术的第三方面，提供了一种光刻方法，包括：经由投影路径将图案化的辐射束投影通过投影系统，以在保持在衬底台上的衬底上形成曝光区；以及使用冷却装置经由冷却元件来冷却衬底，该冷却元件用于从衬底去除热量，冷却元件位于衬底的上方并且与投影路径相邻，其中冷却装置包括位于投影路径中的隔膜系统，以便将投影系统与该区域物理地分离。
[0025]光刻方法还可以包括在隔膜系统下方提供来自气体流系统的气体的流。
[0026]光刻方法还可以包括提供在冷却元件与衬底之间的气体的流，该流可以被配置为增加从衬底到冷却元件的热传递。
[0027]光刻方法还可以包括通过由冷却装置、隔膜系统的第一隔膜和第二隔膜限定的体积来提供来自进一步的气体系统的另外的气体的流。
附图说明
[0028]现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本专利技术的实施例，其中：
[0029]-图1示出了根据本专利技术的实施例的包括光刻装置和辐射源的光刻系统；
[0030]-图2示出了根据本专利技术的实施例的冷却装置和衬底上方的阻挡构件的示意性横截面侧视图；
[0031]-图3示出了根据本专利技术的实施例的冷却装置、阻挡构件和漏斗的示意性横截面图；
[0032]-图4a示出了根据本专利技术的实施例的在衬底上方的冷却装置的透视图；
[0033]-图4b示出了根据本专利技术的实施例的在衬底上方的冷却装置的透视图；
[0034]-图5示出了根据本专利技术的实施例的冷却装置的示意性横截面侧视图；
[0035]-图6示出了根据本专利技术的实施例的沿图5的线A-A
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截取的冷却装置的横截面图。
具体实施方式
[0036]图1示出了包括辐射源SO和光刻装置LA的光刻系统。辐射源SO被配置为生成EUV辐射束B并且将EUV辐射束B提供给光刻装置LA。光刻装置LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。
[0037]照射系统IL被配置为在EUV辐射束B入射到图案形成装置MA之前调节EUV辐射束B。此外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。照射系统IL可以包括除了或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的其它反射镜或装置。
[0038]在如此调整之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。这种相互作用的结果是生成了图案化的EUV辐射束B
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。投影系统PS被配置为将图案化的EUV辐射束B
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投影到衬底W上。为此，投影系统PS可以包括多个反射镜13、14，多个反射镜13、14被配置为将图案化的EUV辐射束B
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投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可以对图案化的EUV辐射束B
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施加减小因子，从而形成图像，该图像具有比图案形成装置MA上的对应的特征小的特征。例如，可以施加减少因子4或8。尽管在图1中投影系统PS被示出为仅具有两个反射镜13、14，但是投影本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻装置，包括：投影系统，被配置为经由投影路径将图案化的辐射束投影到保持在衬底台上的衬底处的曝光区上，所述衬底台在所述投影系统下方的区域中是可移动的；以及冷却装置，被配置为经由从所述衬底到冷却元件的热传递来冷却所述衬底，所述冷却元件位于所述衬底上方并且与所述投影路径相邻；其中所述冷却装置包括位于所述投影路径中的隔膜系统，以将所述投影系统与所述区域物理地分离。2.根据权利要求1所述的光刻装置，包括被配置为提供在所述隔膜系统下方的气体的流的气体流系统。3.根据权利要求2所述的光刻装置，其中所述气体流系统被配置为提供在所述冷却元件与所述衬底之间的所述气体的所述流，所述流被配置为增加从所述衬底到所述冷却元件的热传递。4.根据权利要求3所述的光刻装置，其中所述气体流系统被配置为将所述气体的所述流提供到所述衬底上的所述曝光区上。5.根据权利要求2至4所述的光刻装置，其中所述气体流系统包括所述冷却装置中的气体输送导管。6.根据权利要求2至5所述的光刻装置，其中所述气体包括氮气。7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻装置，还包括附加的气体流系统，所述附加的气体流系统被配置为提供在所述隔膜系统之上的附加的气体的流。8.根据前述权利要求中任一项所述的光刻装置，其中所述隔膜系统包括单个隔膜。9.根据权利要求1至7所述的光刻装置，其中所述隔膜系统包括第一隔膜和第二隔膜。10.根据权利要求9所述的光刻装置，还包括另外的气体流系统，所述另外的气体流系统被配置为提供通过由所述冷却装置、所述第一隔膜、以及所述第二隔膜限定的体积的另外的气体的流。11.根据前述权利要求中任一项所述的光刻装置，还包括位...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：