直插式MOSFET的晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开一种直插式MOSFET的晶体管，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。本实用新型专利技术降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，也避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部。部。部。

【技术实现步骤摘要】
直插式MOSFET的晶体管


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种直插式MOSFET的晶体管。

技术介绍

[0002]场效应管在同步整流开关电源及脉冲电源工业领域中广泛应用，为此，现有技术中很多涉及场效应管的封装结构，一般大电流的封装结构是将场效应管的直接焊接在电路板上，然后再将电路板固定在相应的导电基座上，最后进行相应的封装。采用上述结构的场效应管封装结构，由于场效应管工作温度较高，且散热效果不好，容易导致焊点由于高温作用下而软化，致使场效应管与电路板接触不良而影响工作；另外，现有器件体积较大，不利于安装使用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种直插式MOSFET的晶体管，该直插式MOSFET的晶体管降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，也避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种直插式MOSFET的晶体管，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；
[0005]所述陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；
[0006]所述MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；
[0007]所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；
[0008]所述陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。
[0009]上述技术方案中进一步改进的方案如下：
[0010]1. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的通孔数目为2个。
[0011]2. 上述方案中，所述漏极管脚位于源极管脚和栅极管脚之间。
[0012]3. 上述方案中，所述MOSFET芯片位于第一导电条、第二导电条之间。
[0013]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0014]1. 本技术直插式MOSFET的晶体管，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块，有效防止了截止瞬间产生的
感应电压击穿MOSFET芯片，从而提高了器件的可靠性；还有，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势。
[0015]2. 本技术直插式MOSFET的晶体管，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块，源极管脚与第一导电条电连接，漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和本体为一个整体，提高了器件整体结构稳定性；还有，其陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔，既进一步改善了热量的扩散，也避免了陶瓷导热本体与环氧封装体的分层，防止水汽进入器件内部。
附图说明
[0016]附图1为本技术直插式MOSFET的晶体管的结构示意图；
[0017]附图2为附图1的局部结构示意图。
[0018]以上附图中：1、环氧封装体；2、MOSFET芯片；21、源极区；22、MOSFET芯片；23、MOSFET芯片；3、陶瓷导热本体；31、第一条形凹槽；32、第二条形凹槽；33、第三凹槽；4、源极管脚；5、漏极管脚；6、栅极管脚；71、第一导电条；72、第二导电条；73、导电块；8、导电线；9、散热板；10、通孔；11、快恢复二极管；12、导电金线。
具体实施方式
[0019]实施例1：一种直插式MOSFET的晶体管，包括：位于环氧封装体1中的MOSFET芯片2、快恢复二极管11、陶瓷导热本体3、源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6，此源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6从环氧封装体1内向外延伸出；
[0020]所述陶瓷导热本体3一表面开有第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33，此第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33内分别填充有第一导电条71、第二导电条72和导电块73；
[0021]所述MOSFET芯片2上具有源极区21、漏极区22和栅极区23，所述MOSFET芯片2安装于陶瓷导热本体上，此源极区21、漏极区22和栅极区23分别与第一导电条71、导电块73一端和第二导电条72电连接；
[0022]所述源极管脚4与第一导电条71电连接，所述漏极管脚5与导电块73另一端电连接，所述栅极管脚6与第二导电条72电连接；
[0023]所述陶瓷导热本体3具有一从环氧封装体1端面延伸出的散热板9，位于环氧封装体1内的陶瓷导热本体3具有至少一个通孔10；所述快恢复二极管11的正极和负极均通过导电金线12连接到第一导电条71、导电块73。
[0024]上述漏极管脚5位于源极管脚4和栅极管脚6之间。
[0025]实施例2：一种直插式MOSFET的晶体管，包括：位于环氧封装体1中的MOSFET芯片2、快恢复二极管11、陶瓷导热本体3、源极管脚4、漏极管脚5和栅极管脚6，此源极管脚4、漏极
管脚5和栅极管脚6从环氧封装体1内向外延伸出；
[0026]所述陶瓷导热本体3一表面开有第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33，此第一条形凹槽31、第二条形凹槽32和第三凹槽33内分别填充有第一导电条71、第二导电条72和导电块73；
[0027]所述MOSFET芯片2上具有源极区21、漏极区22和栅极区23，所述MOSFET芯片2安装于陶瓷导热本体上，此源极区21、漏极区22和栅极区23分别与第一导电条71、导电块73一端和第二导电条72电连接；
[0028]所述源极管脚4与第一导电条71电连接，所述漏极管脚5与导电块73另一端电连接，所述栅极管脚6与第二导电条72电连接；
[0029]所述陶瓷导热本体3具有一从环氧封装体1端面延伸出的散热板9，位于环氧封装体1内的陶瓷导热本体3具有至少一个通孔10；所述快恢复二极管11的正极和负极均通过导电金线12连接到第一导电条71、导电块73。
[0030]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直插式MOSFET的晶体管，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）中的MOSFET芯片（2）、快恢复二极管（11）、陶瓷导热本体（3）、源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6），此源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6）从环氧封装体（1）内向外延伸出；所述陶瓷导热本体（3）一表面开有第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33），此第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33）内分别填充有第一导电条（71）、第二导电条（72）和导电块（73）；所述MOSFET芯片（2）上具有源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23），所述MOSFET芯片（2）安装于陶瓷导热本体上，此源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23）分别与第一导电条（71）、导电块（73）一端和第二导电条（72）电连接；所述源极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张开航，马云洋，
申请(专利权)人：苏州秦绿电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：