一种新型MOS管结构制造技术

本实用新型专利技术具体公开了一种新型MOS管结构，包括：外壳，所述外壳的内部设有安装空腔；MOS管本体，所述MOS管本体位于安装空腔的内部并可穿过外壳；导流通道，所述导流通道穿过外壳位于安装空腔的内部且与MOS管本体接触；温度感应组件，所述温度感应组件穿过导流通道固定在外壳上且可与MOS管本体接触。本实用新型专利技术的MOS管结构合理，能够快速感应检测出运行时MOS管本体的温度，当达到一定限定值时发生警示，避免出现意外，提高使用安全性。提高使用安全性。提高使用安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型MOS管结构


[0001]本技术涉及MOS管
，具体涉及一种新型MOS管结构。

技术介绍

[0002]MOS管，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
[0003]但是，现有大多数MOS管结构无法快速检测到其内部的运行产生温度，进而产热过大使得MOS管发生损坏，影响其使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的无法快速检测到其内部的运行产生温度，进而产热过大使得MOS管发生损坏的不足，提供一种新型MOS管结构。
[0005]本专利技术所要解决的上述问题通过以下技术方案以实现：
[0006]一种新型MOS管结构，包括：外壳，所述外壳的内部设有安装空腔；MOS管本体，所述MOS管本体位于安装空腔的内部并可穿过外壳；导流通道，所述导流通道穿过外壳位于安装空腔的内部且与MOS管本体接触；温度感应组件，所述温度感应组件穿过导流通道固定在外壳上且可与MOS管本体接触。
[0007]优选的，所述温度感应组件包括警示灯、电缆线和温度感应器，所述警示灯固定在外壳的外壁上，所述温度感应器固定在MOS管本体上并通过电缆线穿过导流通道与警示灯电连接。本方案通过温度感应器快速精准感应检测到MOS管本体运行所产生的热量，当产生的热量达到一定值时警示灯会发生响亮，实现提醒功能，进而提高使用安全性能。
[0008]优选的，所述导流通道可将安装空腔分割为上分部和下分部，并且上分部设有上导热填料，所述下分部设有下导热填料。本方案通过上导热填料和下导热填料以及导流通道相互配合可以快速地将MOS管本体的热量吸附和导流通道的引导散热，提高使用安全性能。
[0009]优选的，所述上导热填料与外壳之间设有上防护组层，所述下导热填料与外壳之间设有下防护组层；所述上防护组层和下防护组层均包括阻燃层和缓冲层，所述阻燃层固定在外壳的内部，所述缓冲层固定在不同于外壳一侧的阻燃层的内侧。本方案通过上防护组层和下防护组层的阻燃层可以有效地使得MOS管本体与外界隔绝，避免发生自燃等现象；又通过缓冲层可以有效地缓冲外界应力对MOS管本体的冲击挤压，提高使用寿命。
[0010]优选的，所述导流通道的进口处设有过滤网。本方案通过过滤网可以在一定程度上隔挡外界的灰尘，避免对MOS管本体的影响，延长其使用寿命。
[0011]优选的，所述导流通道呈上升阶梯型的导流通道。本方案通过上升阶梯型的导流通道可以在一定程度上实现防水功能，避免对MOS管的直接腐蚀，进而提高其使用寿命。
[0012]有益效果：采用本实用型所述的结构后，由于结构设有外壳、mos管本体、导流通道和温度感应组件，可以通过温度感应器快速精准感应检测到MOS管本体运行所产生的热量，当产生的热量达到一定值时警示灯会发生响亮，实现提醒功能，进而得到结构合理，能够快速感应检测出运行时MOS管本体的温度，使用安全性更高的MOS管结构。
附图说明
[0013]图1是本技术所述的一种新型MOS管结构的主要结构图。
[0014]图2是本技术所述的一种新型MOS管结构的AA部分结构图。
[0015]图1-2：1-外壳；2-MOS管本体；3-导流通道；4-温度感应组件；5-上导热填料；6-下导热填料；7-上防护组层；8-下防护组层；9-阻燃层；10-缓冲层；11-MOS电路板；12-安装板；13-电极组；14-警示灯；15-电缆线；16-温度感应器；17-过滤网。
具体实施方式
[0016]下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细的说明，但实施例对本专利技术不做任何形式的限定。
[0017]实施例1：
[0018]如图1-2所示的一种新型MOS管结构，包括：外壳1，所述外壳1的内部设有安装空腔；所述MOS管本体2，所述MOS管本体2位于安装空腔的内部并可穿过外壳1；导流通道3，所述导流通道3穿过外壳1位于安装空腔的内部且与MOS管本体2接触；温度感应组件4，所述温度感应组件4穿过导流通道3固定在外壳1上且可与MOS管本体2接触。
[0019]实施例2：
[0020]如图1-2所示的一种新型MOS管结构，包括实施例1的所有技术特征，所述MOS管本体2包括MOS电路板11、安装板12和电极组13，所述安装板12固定在安装空腔的底部，所述MOS电路板11固定在安装板12上，所述电极组13穿过外壳1与MOS电路板11电连接；所述电极组13包括栅极、漏极和源极；所述温度感应组件4包括警示灯14、电缆线15和温度感应器16，所述警示灯14固定在靠近导流通道3进口处的外壳1的外壁上，所述温度感应器16固定在MOS管本体2上并通过电缆线15穿过导流通道3与警示灯14电连接；所述导流通道3的进口处设有过滤网17；所述导流通道3呈上升阶梯型的导流通道。
[0021]实施例3：
[0022]如图1-2所示的一种新型MOS管结构，包括实施例1或2的所有技术特征，所述导流通道3可将安装空腔分割为上分部和下分部，并且上分部设有上导热填料5，所述下分部设有下导热填料6，所述上导热填料5和下导热填料6均选用氧化锌导热膏；所述上导热填料5与外壳1之间设有上防护组层7，所述下导热填料6与外壳1之间设有下防护组层8；所述上防护组层7和下防护组层8均包括阻燃层9和缓冲层10，所述阻燃层9固定在外壳1的内部，所述缓冲层10固定在不同于外壳1一侧的阻燃层9的内侧；所述阻燃层9选用硅橡胶阻燃剂；所述缓冲层10选用缓冲棉。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位
或位置关系以及术语“第一”、“第二”，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体 ；可以是机械连接，也可以是电连接 ；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点 ,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型MOS管结构，其特征在于，包括：外壳，所述外壳的内部设有安装空腔；MOS管本体，所述MOS管本体位于安装空腔的内部并可穿过外壳；导流通道，所述导流通道穿过外壳位于安装空腔的内部且与MOS管本体接触；温度感应组件，所述温度感应组件穿过导流通道固定在外壳上且可与MOS管本体接触。2.根据权利要求1所述的一种新型MOS管结构，其特征在于，所述温度感应组件包括警示灯、电缆线和温度感应器，所述警示灯固定在外壳的外壁上，所述温度感应器固定在MOS管本体上并通过电缆线穿过导流通道与警示灯电连接。3.根据权利要求1所述的一种新型MOS管结构，其特征在于，所述导流通道可将安装空腔分割...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：互升科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：