全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，涉及LED照明设备技术领域，所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺原料包括有：正波蓝光芯片、LED荧光粉、硅胶，所述正波蓝光芯片包括有一号蓝光芯片、二号蓝光芯片和三号蓝光芯片，且一号蓝光芯片的主波长为：440

【技术实现步骤摘要】
全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺


[0001]本专利技术涉及LED照明设备
，具体为全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺。

技术介绍

[0002]与传统光源相比，以白光LED为代表的半导体光源具有寿命长、体积小、响应速度快等优点，LED大规模地应用于普通照明领域（如教室灯、台灯、护眼灯）的关键技术之一。随着LED光源的快速发展，各种照明应用对白光LED提出更高的要求，常规蓝光芯片+黄色或者绿色+红色荧光粉的封装方案，会导致白光LED光普中蓝光过剩、青色光缺失、长波红光不足等诸多问题。另外，显示指数是LED照明灯具的关键性能参数之一，用来表征光源对物体颜色的显现能力，超高显色指数一般是指LED灯的显色指数Ra＞95，而全光谱白光LED照明则是在此基础上，还要求所有特殊显色指数R1-R15＞90。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提供了全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺原料包括有：正波蓝光芯片、LED荧光粉、硅胶，所述正波蓝光芯片包括有一号蓝光芯片、二号蓝光芯片和三号蓝光芯片，且一号蓝光芯片的主波长为：440-450nm，二号蓝光芯片的主波长为：452-460nm，三号蓝光芯片的主波长为：470-475nm，所述LED荧光粉包括有氮氧化物蓝绿粉、氯酸盐黄绿粉和氮化物红粉。
[0005]优选的，所述氮氧化物蓝绿粉可实现峰值波长为495nm的青光发射。
[0006]优选的，所述氯酸盐黄绿粉可实现峰值波长为525nm的绿光发射优选的，所述氮化物红粉可实现峰值波长为655nm的红光发射优选的，所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺采用蓝光芯片+氯酸盐黄绿粉+氮化物红粉的封装方案；采用蓝光芯片+氮氧化物蓝绿粉+氯酸盐黄绿粉+氮化物红粉的封装方案。
[0007]优选的，所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺流程如下：一、将蓝光芯片固定在2835SMD支架上，再用超声波金丝球焊接机将蓝光芯片正负极与支架正负极用金线连接；二、根据配比称量的荧光粉及硅胶沿着同一方向手动搅拌30min；将混合好的荧光粉与硅胶均匀涂覆在焊好线的支架杯中，然后将点好胶的支架放入烘箱125度烘烤3h使得胶水固化；三、将固化好的LED放入积分球中进行测试，得到其色品坐标和显色指数（Ra、R1-R15）等光参数，最后对数据进行分析处理。
[0008]本专利技术提供了全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，具备以下有益效果：采用三颗蓝光以及荧光粉搭配方案，可以把光谱图做的波峰饱和性好，且可以解决蓝光0危害，能够
实现全光谱白光LED显色指数大于90，有效的提升白光LED照明品质。
具体实施方式
[0009]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0010]本专利技术提供一种技术方案：全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺原料包括有：正波蓝光芯片、LED荧光粉、硅胶，所述正波蓝光芯片包括有一号蓝光芯片、二号蓝光芯片和三号蓝光芯片，且一号蓝光芯片的主波长为：440-450nm，二号蓝光芯片的主波长为：452-460nm，三号蓝光芯片的主波长为：470-475nm，所述LED荧光粉包括有氮氧化物蓝绿粉、氯酸盐黄绿粉和氮化物红粉。
[0011]实施例一：采用波长为440-450nm的蓝光LED 芯片激发铝酸盐黄绿粉+氮化物红粉的双荧光粉封装方案，调节荧光粉配比以实现超高显指，不同色温下的白光光谱在490nm附近均存在较大凹陷，随着白光LED色温的降低， 蓝光的峰值强度逐渐降低， 而红光的强度逐渐增加。
[0012]实施例二：采用波长为452-460nm的蓝光LED 芯片激发铝酸盐黄绿粉+氮化物红粉的双荧光粉封装方案，调节荧光粉配比以实现超高显指，不同色温下的白光光谱在490nm附近均存在较大凹陷，随着白光LED色温的降低， 蓝光的峰值强度逐渐降低， 而红光的强度逐渐增加。
[0013]实施例三：采用波长为470-475nm的蓝光LED 芯片激发铝酸盐黄绿粉+氮化物红粉的双荧光粉封装方案，调节荧光粉配比以实现超高显指，不同色温下的白光光谱在490nm附近均存在较大凹陷，随着白光LED色温的降低， 蓝光的峰值强度逐渐降低， 而红光的强度逐渐增加。
[0014]由上述可得，当Tc＝6000K时，不仅显色指数偏低 （Ra=90.7），不满足超高显指的要求，并且 R12仅为70；当 Tc＝4000K时，Ra有所提高达到96.8，满足超高显指要求，但 R12仍相对较低为84；而当Tc＝3000K时， Ra进一步提高至98.3，且特殊显色指数R12达到91，R1-R15均大于90，可以实现全光谱。
[0015]对比例一：采用波长为440-450nm的蓝光LED芯片激发氮氧化物蓝绿粉 ＋ 铝酸盐黄绿粉 ＋ 氮化物红粉的三荧光粉封装方案，在正白、中性白和暖白LED色温时，Ra 均大于95，并且R12均有所提升，全部达到90以上，符合超高显指以及全光谱白光LED封装要求。
[0016]对比例二：采用波长为452-460nm的蓝光LED芯片激发氮氧化物蓝绿粉 ＋ 铝酸盐黄绿粉 ＋ 氮化物红粉的三荧光粉封装方案，在正白、中性白和暖白LED色温时，Ra 均大于95，并且R12均有所提升，全部达到90以上，符合超高显指以及全光谱白光LED封装要求。
[0017]对比例三：采用波长为470-475nm的蓝光LED芯片激发氮氧化物蓝绿粉 ＋ 铝酸盐黄绿粉 ＋ 氮化物红粉的三荧光粉封装方案，在正白、中性白和暖白LED色温时，Ra 均大于95，并且R12均有所提升，全部达到90以上，符合超高显指以及全光谱白光LED封装要求。
[0018]由上述可得，当 Tc＝6000K时，R12增加最为显著，从70增加为92，当 Tc＝4000K时，R12 从84增加为93，当Tc＝3000K时，R12值也略有提升，但是增幅较小，差值仅为2。
[0019]因此，结合实施例（一、二和三）与对比例（一、二和三），加入氮氧化物蓝绿粉弥补了白光LED 光谱中的饱和蓝色成分,有利于R12的提升,并且随白光LED色温的升高,提升作
用逐渐增强。
[0020]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，其特征在于：所述全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺原料包括有：正波蓝光芯片、LED荧光粉、硅胶，所述正波蓝光芯片包括有一号蓝光芯片、二号蓝光芯片和三号蓝光芯片，且一号蓝光芯片的主波长为：440-450nm，二号蓝光芯片的主波长为：452-460nm，三号蓝光芯片的主波长为：470-475nm，所述LED荧光粉包括有氮氧化物蓝绿粉、氯酸盐黄绿粉和氮化物红粉。2.根据权利要求1所述的全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，其特征在于：所述氮氧化物蓝绿粉可实现峰值波长为495nm的青光发射。3.根据权利要求1所述的全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，其特征在于：所述氯酸盐黄绿粉可实现峰值波长为525nm的绿光发射。4.根据权利要求1所述的全光谱（蓝光0危害）多晶片封装工艺，其特征在于：所述氮化物红粉可实现峰值波长为655nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔文浩，
申请(专利权)人：惠州市浩凌光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：