薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备。薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器。薄膜应用于基板上。多个微加热器设置在薄膜上或者内部。借此，本发明专利技术通过一种薄膜结构及芯片承载设备，来提升制程的焊接良率。来提升制程的焊接良率。来提升制程的焊接良率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备


[0001]本专利技术涉及芯片固接的
，特别是涉及一种薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子及半导体技术的日新月异，使得电子产品不断地推陈出新，并朝向轻、薄、短、小的趋势设计。而电路板广泛地使用于各种电子设备当中。电路板表面上通常具有多个焊接垫，在制程中将焊料形成于电路板的焊接垫上，接着利用回焊处理将各种电子零件固定于电路板上，而各个电子零件透过电路板内的线路层彼此电连接。
[0003]目前回焊处理可以用回焊炉、红外加热灯或热风枪等不同加温方式来进行焊接。虽然上述回焊处理的加温方法大致符合使用上的需求，但仍有需要对制程进行改良，以提高制程的良率及效能，并降低其生产成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备。
[0005]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种薄膜结构，包括薄膜以及多个微加热器。薄膜应用于基板上。多个微加热器设置在所述薄膜上或者内部。
[0006]优选地，所述基板为电路基板或者非电路基板，所述微加热器电连接于所述基板或者电性绝缘于所述基板。
[0007]优选地，所述基板具有多个焊垫，多个芯片设置在所述基板上，所述芯片通过锡球而电连接于所述焊垫，所述芯片设置在所述微加热器的上方或者一侧旁；其中，所述芯片为集成电路(IC)芯片或者发光二极管(LED)芯片。/>[0008]优选地，所述微加热器对所述锡球进行加热。
[0009]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种芯片承载组件，包括电路基板以及薄膜结构。电路基板承载多个芯片，所述芯片通过锡球以固接在所述电路基板上。薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器，所述薄膜设置在所述电路基板上，多个所述微加热器设置在所述薄膜上或者内部，以对所述芯片所接触的所述锡球加热。
[0010]优选地，所述微加热器电连接于所述电路基板或者电性绝缘于所述电路基板，所述芯片为IC芯片或者LED芯片。
[0011]优选地，所述电路基板具有多个焊垫，所述芯片通过所述锡球而电连接于所述焊垫，所述芯片设置在所述微加热器的上方或者一侧旁。
[0012]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种芯片承载设备，包括芯片承载组件以及吸附结构。芯片承载组件包括电路基板以及薄膜结构，所述薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器，所述薄膜设置在所述电路基板上，多个所述微加
热器设置在所述薄膜上或者内部。吸附结构设置在所述芯片承载组件的上方，以将多个芯片吸附且转移到所述电路基板。其中，所述芯片通过锡球以设置在所述电路基板上，所述微加热器对所述芯片所接触的所述锡球加热。
[0013]优选地，所述吸附结构为真空吸嘴模块或者静电吸附模块。
[0014]优选地，芯片承载设备还进一步包括：激光加热模块，所述激光加热模块设置在所述薄膜结构的上方，以对所述锡球投射激光光源。
[0015]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的薄膜结构，能通过“包括薄膜以及多个微加热器”、“薄膜应用于基板上”以及“多个微加热器设置在所述薄膜上或者内部”的技术方案，以提升制程的焊接良率。
[0016]本专利技术的另外一有益效果在于，本专利技术所提供的芯片承载组件，能通过“包括电路基板以及薄膜结构”、“电路基板承载多个芯片，所述芯片通过锡球以固接在所述电路基板上”以及“薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器，所述薄膜设置在所述电路基板上，多个所述微加热器设置在所述薄膜上或者内部，以对所述芯片所接触的所述锡球加热”的技术方案，以提升制程的焊接良率。
[0017]本专利技术的另外再一有益效果在于，本专利技术所提供的芯片承载设备，能通过“包括芯片承载组件以及吸附结构”、“芯片承载组件包括电路基板以及薄膜结构，所述薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器，所述薄膜设置在所述电路基板上，多个所述微加热器设置在所述薄膜上或者内部”、“吸附结构设置在所述芯片承载组件的上方，以将多个芯片吸附且转移到所述电路基板”以及“所述芯片通过锡球以设置在所述电路基板上，所述微加热器对所述芯片所接触的所述锡球加热”的技术方案，以提升制程的焊接良率。
[0018]为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0019]图1为本专利技术第一实施例的薄膜结构的第一结构示意图。
[0020]图2为本专利技术第一实施例的薄膜结构的第一实施示意图。
[0021]图3为本专利技术第一实施例的薄膜结构的第二实施示意图；同时，也等同本专利技术的芯片承载组件的结构示意图。
[0022]图4为本专利技术第一实施例的薄膜结构的第二结构示意图。
[0023]图5为图4的V部分的放大示意图。
[0024]图6为本专利技术第一实施例的薄膜结构应用于基板的第一俯视示意图。
[0025]图7为本专利技术第一实施例的薄膜结构应用于基板的第二俯视示意图。
[0026]图8为本专利技术第一实施例的薄膜结构的第二结构示意图。
[0027]图9为本专利技术第二实施例的薄膜结构应用于基板的俯视示意图。
[0028]图10为本专利技术第三实施例的薄膜结构的第一实施示意图；同时，也表示本专利技术第三实施例的薄膜结构的第一结构示意图。
[0029]图11为本专利技术第三实施例的薄膜结构的第二实施示意图。
[0030]图12为本专利技术第三实施例的薄膜结构的第三实施示意图。
[0031]图13为本专利技术第三实施例的薄膜结构的第二结构示意图。
[0032]图14为本专利技术第三实施例的薄膜结构的第三结构示意图。
具体实施方式
[0033]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“薄膜结构、芯片承载组件及芯片承载设备”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不脱离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。
[0034]应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0035][第一实施例][0036]参阅图1至图8所示，本专利技术第一实施例提供一种薄膜结构S1，包括一薄膜1以及多个微加热器2。薄膜1应用于基板3上。多个微加热器2设置在薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜结构，其特征在于，包括：薄膜，所述薄膜应用于基板上；以及多个微加热器，多个所述微加热器设置在所述薄膜上或者内部。2.根据权利要求1所述的薄膜结构，其特征在于，所述基板为电路基板或者非电路基板，所述微加热器电连接于所述基板或者电性绝缘于所述基板。3.根据权利要求1所述的薄膜结构，其特征在于，所述基板具有多个焊垫，多个芯片设置在所述基板上，所述芯片通过锡球而电连接于所述焊垫，所述芯片设置在所述微加热器的上方或者一侧旁；其中，所述芯片为集成电路芯片或者发光二极管芯片。4.根据权利要求3所述的薄膜结构，其特征在于，所述微加热器对所述锡球进行加热。5.一种芯片承载组件，其特征在于，包括：电路基板，所述电路基板承载多个芯片，所述芯片通过锡球以固接在所述电路基板上；以及薄膜结构，所述薄膜结构包括薄膜以及多个微加热器，所述薄膜设置在所述电路基板上，多个所述微加热器设置在所述薄膜上或者内部，以对所述芯片所接触的所述锡球加热。6.根据权利要求5所述的芯片承载组件，其特征在于，所述微加...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，张德富，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：