一种防水性能好的单晶硅压力变送器制造技术

技术编号:27285906 阅读:23 留言:0更新日期:2021-02-06 11:53
本发明专利技术公开了一种防水性能好的单晶硅压力变送器,具体涉及压力变送器技术领域,包括与管路系统连接的连接座,所述连接座两端通过法兰与管路系统连接,所述连接座上安装有连接管路且连接管路端部延伸至连接座的内部,其特征在于:所述连接管路内部设置有进行压力感应的感应管件,所述连接管路远离连接座的端部安装有压力感应室,所述压力感应室的内部设置有与感应管件连通的膜片组件。本发明专利技术通过利用升降的活塞改变感应管内的气压,使多个下弹性膜片产生形变,对空腔内的密封液产生压力,带动上弹性膜片产生形变利用上弹性膜片形变的力作用在单晶硅片上,获取压力数据,提升了压力变送器的防水性能,延长了使用寿命。延长了使用寿命。延长了使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种防水性能好的单晶硅压力变送器


[0001]本专利技术涉及压力变送器
,更具体地说,本专利技术涉及一种防水性能好的单晶硅压力变送器。

技术介绍

[0002]压力变送器是一种将压力转换成气动信号或电动信号进行控制和远传的设备,它能将测压元件传感器感受到的气体、液体等物理压力参数转变成标准的电信号,以供给指示报警仪、记录仪、调节器等二次仪表进行测量、指示和过程调节,广泛应用于工业领域,作为当前工业智能变送器领域的革新产品,单晶硅压力变送器被称为复合微硅固态传感器、智能变送器和高精度智能变送器等,受到主流工业企业的青睐。然而变送器与管路连接部分容易出现密封不严的现象,导致外界的灰尘、气体和油等杂质进入壳体后损坏壳体内的电路板和单晶硅片等结构,影响变送器的使用寿命。

技术实现思路

[0003]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种防水性能好的单晶硅压力变送器,包括与管路系统连接的连接座,所述连接座两端通过法兰与管路系统连接,所述连接座上安装有连接管路且连接管路端部延伸至连接座的内部,其特征在于:所述连接管路内部设置有进行压力感应的感应管件,所述连接管路远离连接座的端部安装有压力感应室,所述压力感应室的内部设置有与感应管件连通的膜片组件。
[0004]在一个优选地实施方式中,所述连接管路包括插接于连接座上的安装管,所述安装管内部与连接座内部连通,所述安装管由与压力感应室固定连接的上管和与连接座固定连接的下管组成,所述上管和下管之间通过连接法兰可拆卸安装,所述下管底端内壁上固设有中部有通孔的挡板。
[0005]在一个优选地实施方式中,所述感应管件包括感应管和位于感应管内部可升降的活塞,所述感应管外壁与上管和下管的内壁密封贴合,所述感应管顶端延伸至压力感应室的内部,所述感应管底端贴合有中部设有通孔的密封胶圈,所述感应管内腔顶端固设有多个下弹性膜片。
[0006]在一个优选地实施方式中,所述密封胶圈底部与挡板相贴合。
[0007]在一个优选地实施方式中,所述膜片组件包括固定于压力感应室底部的膜片管,所述膜片管套设于感应管顶端的外部,所述膜片管顶端密封设置有上弹性膜片,所述上弹性膜片顶部设置有固定于压力感应室内壁上的单晶硅片,所述单晶硅片与上弹性膜片之间的间距设置为1mm。
[0008]在一个优选地实施方式中,所述膜片管、上弹性膜片、位于上方的下弹性膜片和感应管顶端之间的空间构成空腔,所述空腔内部填充有密封液。
[0009]在一个优选地实施方式中,所述压力感应室顶部设置有显示屏和泄压阀。
[0010]本专利技术的技术效果和优点:
[0011]通过利用升降的活塞改变感应管内的气压,使多个下弹性膜片产生形变,对空腔内的密封液产生压力,带动上弹性膜片产生形变利用上弹性膜片形变的力作用在单晶硅片上,获取压力数据,提升了压力变送器的防水性能,延长了使用寿命。
附图说明
[0012]图1为本专利技术的整体结构示意图。
[0013]图2为本专利技术的图1中A处细节结构示意图。
[0014]附图标记为:1连接座、2连接管路、3感应管件、4压力感应室、5膜片组件、6安装管、7上管、8下管、9挡板、10感应管、11活塞、12密封胶圈、13下弹性膜片、14膜片管、15上弹性膜片、16单晶硅片、17空腔、18显示屏、19泄压阀。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0016]如图1-2所示的一种防水性能好的单晶硅压力变送器,包括与管路系统连接的连接座1,所述连接座1两端通过法兰与管路系统连接,所述连接座1上安装有连接管路2且连接管路2端部延伸至连接座1的内部,所述连接管路2内部设置有进行压力感应的感应管件3,所述连接管路2远离连接座1的端部安装有压力感应室4,所述压力感应室4的内部设置有与感应管件3连通的膜片组件5,通过法兰将连接座1安装在管路系统上,利用感应管件3和膜片组件5完成压力的感应;
[0017]所述连接管路2包括插接于连接座1上的安装管6,所述安装管6内部与连接座1内部连通,所述安装管6由与压力感应室4固定连接的上管7和与连接座1固定连接的下管8组成,所述上管7和下管8之间通过连接法兰可拆卸安装,所述下管8底端内壁上固设有中部有通孔的挡板9,安装管6采用上管7和下管8的结构设计,便于对其进行拆卸,以便对安装管6内部的感应管件3进行拆卸和维修;
[0018]所述感应管件3包括感应管10和位于感应管10内部可升降的活塞11,所述感应管10外壁与上管7和下管8的内壁密封贴合,所述感应管10顶端延伸至压力感应室4的内部,所述感应管10底端贴合有中部设有通孔的密封胶圈12,所述感应管10内腔顶端固设有多个下弹性膜片13,所述密封胶圈12底部与挡板9相贴合,密封胶圈12和挡板9提供密封功能,在使用的过程中,连接座1内的压力会通过带有通孔的挡板9处进入感应管10内,推动活塞11进行升降,从而使上方的多个下弹性膜片13进行相应弧度的形变;
[0019]所述膜片组件5包括固定于压力感应室4底部的膜片管14,所述膜片管14套设于感应管10顶端的外部,所述膜片管14顶端密封设置有上弹性膜片15,所述上弹性膜片15顶部设置有固定于压力感应室4内壁上的单晶硅片16,所述单晶硅片16与上弹性膜片15之间的间距设置为1mm,上弹性膜片15接收下弹性膜片13传导的压力,并将管路压力作用在单晶硅片16上,单晶硅产生应变,使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化,再由桥式电路获得相应的电压输出信号;
[0020]所述膜片管14、上弹性膜片15、位于上方的下弹性膜片13和感应管10顶端之间的空间构成空腔17,所述空腔17内部填充有密封液,密封液在管路压力的作用下涌动,对上弹性膜片15施加力使其形变;
[0021]所述压力感应室4顶部设置有显示屏18和泄压阀19,泄压阀19用于泄压,显示屏18显示管路的压力数据;
[0022]在上述的基础上,使用时,管路中的压力会先推动活塞11在感应管10内升降,而后使上方的多个下弹性膜片13产生形变,由于位于上方的下弹性膜片13覆盖有密封液,当其形变时会带动密封液涌动,从而使上弹性膜片15形变并作用在单晶硅片16上,实现压力数据的测量;
[0023]在这个过程中,首先设置的密封胶圈12和挡板9提供了密封效果,而活塞11和多个下弹性膜片13的设置,使得下方的液体不会流入到上方的感应管件3中,并利用上方的密封液使上弹性膜片15形变,通过上弹性膜片15形变时的力对单晶硅片16施加压力,获取压力数据,提升了压力变送器的防水性能,延长了使用寿命。
[0024]最后应说明的几点是:首先,在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防水性能好的单晶硅压力变送器,包括与管路系统连接的连接座,所述连接座两端通过法兰与管路系统连接,所述连接座上安装有连接管路且连接管路端部延伸至连接座的内部,其特征在于:所述连接管路内部设置有进行压力感应的感应管件,所述连接管路远离连接座的端部安装有压力感应室,所述压力感应室的内部设置有与感应管件连通的膜片组件。2.根据权利要求1所述的一种防水性能好的单晶硅压力变送器,其特征在于:所述连接管路包括插接于连接座上的安装管,所述安装管内部与连接座内部连通,所述安装管由与压力感应室固定连接的上管和与连接座固定连接的下管组成,所述上管和下管之间通过连接法兰可拆卸安装,所述下管底端内壁上固设有中部有通孔的挡板。3.根据权利要求1所述的一种防水性能好的单晶硅压力变送器,其特征在于:所述感应管件包括感应管和位于感应管内部可升降的活塞,所述感应管外壁与上管和下管的内壁密封贴合,所述感应管顶端延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员:李贻凡
申请(专利权)人:安徽安广电气有限公司
类型:发明
国别省市:

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