卡罗酸加热系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种卡罗酸加热系统，所述卡罗酸加热系统包括：光刻胶清洗室，所述光刻胶清洗室内具有第一加热器，所述第一加热器用于放置待处理芯片，将所述待处理芯片加热至第一温度；预热槽，所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度；试剂管路，所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸，通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面，以去除所述待处理芯片表面的光刻胶；其中，所述第一温度大于所述第二温度。应用本实用新型专利技术提供的卡罗酸加热系统，系统结构简单，可以精确的控制芯片表面的温度，避免产片缺陷，提升良率，同时可以达到省电节能的作用。能的作用。能的作用。

【技术实现步骤摘要】
卡罗酸加热系统


[0001]本技术涉及半导体制作
，尤其是涉及一种卡罗酸加热系统。

技术介绍

[0002]随着学科技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用到人们的日常生活以及工作当中，为人的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。
[0003]电子设备实现各种功能的核心部件是各种芯片。而光刻工艺是制作半导体器件，形成所需功能芯片的一个重要工艺。光刻工艺中需要通过光刻胶作为掩膜图形，完成图形转移后，需要去除芯片表面的光刻胶。
[0004]目前，一般是通过特定加热系统提供所需温度的卡罗酸喷覆在芯片表面，以去除其表面的光刻胶。现有的卡罗酸加热系统的结构复杂，功耗大。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种卡罗酸加热系统，系统结构简单，可以精确的控制芯片表面的温度，避免产片缺陷，提升良率，同时可以达到省电节能的作用。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种卡罗酸加热系统，所述卡罗酸加热系统包括：
[0008]光刻胶清洗室，所述光刻胶清洗室内具有第一加热器，所述第一加热器用于放置待处理芯片，将所述待处理芯片加热至第一温度；
[0009]预热槽，所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度；
[0010]试剂管路，所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸，通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面，以去除所述待处理芯片表面的光刻胶；
[0011]其中，所述第一温度大于所述第二温度。
[0012]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述第一加热器表面具有第一保护层。
[0013]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述第一保护层为石英层。
[0014]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述预热槽包括：
[0015]槽体，所述槽体具有进液孔和出液孔，所述进液孔连通第一管路，所述第一管路用于为所述槽体内添加硫酸，所述出液孔用于连通所述试剂管路，用于提供加热到所述第二温度的硫酸；
[0016]其中，所述槽体的内壁涂覆有第二保护层，所述槽体内具有第二加热器，用于对所述槽体内的硫酸进行加热。
[0017]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述第二保护层为石英层或铁氟龙层。
[0018]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述试剂管路包括：
[0019]第二管路，所述第二管路与双氧水供给装置连通；
[0020]第三管路，所述第三管路与所述预热槽的出液孔连通；
[0021]三通阀，所述三通阀的三个连通口分别连通喷头、所述第二管路和第三管路，使得所述第二管路中的双氧水与所述第三管路中的硫酸混合形成卡罗酸，通过所述喷头向所述待处理芯片表面喷覆卡罗酸。
[0022]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，还包括：
[0023]电脑，所述电脑通过第一温度控制器与所述第一加热器连接，通过第二温度控制器与所述预热槽中的第二加热器连接。
[0024]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述光刻胶清洗室具有酸气排气口，用于排除所述光刻胶清洗室内气化的卡罗酸酸气。
[0025]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述酸气排气口与酸气回收装置连接。
[0026]优选的，在上述的卡罗酸加热系统中，所述第一温度不小于220℃；
[0027]所述第二温度大于80℃，小于100℃。
[0028]通过上述描述可知，本技术提供的卡罗酸加热系统中，首先通过第一加热器将待处理芯片加热至第一温度，然后通过预热槽将硫酸加热至第二温度，再然后通过试剂管路将双氧水与加热到第二温度的硫酸混合为卡罗酸，最后通过卡罗酸清洗加热到第一温度的待处理芯片的表面，以去除待处理芯片表面的光刻胶。应用本技术提供的卡罗酸加热系统，系统结构简单，可以精确的控制芯片表面的温度，避免产片缺陷，提升良率，同时可以达到省电节能的作用。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0030]图1为传统卡罗酸加热系统的结构示意图；
[0031]图2为本技术实施例提供的一种卡罗酸加热系统的结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]正如
技术介绍
中描述的，光刻工艺中需要通过光刻胶作为掩膜图形，完成图形转移后，需要去除芯片表面的光刻胶。光刻工艺上在离子植入后光刻胶需要用高温卡罗酸才能拔除，需要利用170℃硫酸与双氧水混酸放热到200℃以上时拔除光刻胶。目前，一般是通过特定加热系统提供所需温度的卡罗酸喷覆在芯片表面，以去除其表面的光刻胶。现有的卡罗酸加热系统的结构复杂，功耗大。
[0034]参考图1，图1为传统卡罗酸加热系统的结构示意图。如图1所示，传统的卡罗酸加热系统包括：光刻胶清洗室11、预热槽12、第一温度控制器14、主槽13、第二温度控制器15以
及电脑16，其中，所述光刻胶清洗室11内放置有待处理芯片17，预热槽12内具有第一加热器，主槽13内具有第二加热器，电脑16通过第一温度控制器14与预热槽12内的第一加热器连接，通过第二温度控制器15与主槽13内的第二加热器连接。
[0035]在该加热系统中，首先通过电脑16提供讯号给第一温度控制器14工作，第一温度控制器14控制预热槽12中的硫酸加热至90℃，然后通过电脑16提供讯号给第二温度控制器15工作，第二温度控制器15控制主槽13中的硫酸加热至170℃，再然后通过试剂管路18将室温(如25℃)双氧水与加热到170℃的硫酸混合形成卡罗酸，反应放热使得所形成的卡罗酸温度能够升高至清除光刻胶工艺所需温度(约为210℃)，将卡罗酸喷覆在待处理芯片17的表面，以去除待处理芯片17表面的光刻胶。
[0036]图1所示方式中，形成高温卡罗酸需要两组加热器，结构复杂。由于所采用硫酸为浓硫酸，低温粘稠度较大，流动性差，因此需要先通过预热槽12进行预热，以提高其流动性，当通过预热槽12将硫酸预先加热到90℃之后，再通过主槽13将硫酸加热到170℃，而后混入双氧水，硫酸和双氧水反应生成卡罗酸，通过反应放热使得卡罗酸温度达到200℃以上，达到清除光刻胶工艺需求温度，最后再通过满足工艺温度的卡罗酸对待处理芯片17进行清洗并去除光刻胶。该系统需要24小时一直在控制温度随时等待芯片进机台生产，故24小时一直在耗电，以控制预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种卡罗酸加热系统，其特征在于，所述卡罗酸加热系统包括：光刻胶清洗室，所述光刻胶清洗室内具有第一加热器，所述第一加热器用于放置待处理芯片，将所述待处理芯片加热至第一温度；预热槽，所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度；试剂管路，所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸，通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面，以去除所述待处理芯片表面的光刻胶；其中，所述第一温度大于所述第二温度。2.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统，其特征在于，所述第一加热器表面具有第一保护层。3.根据权利要求2所述的卡罗酸加热系统，其特征在于，所述第一保护层为石英层。4.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统，其特征在于，所述预热槽包括：槽体，所述槽体具有进液孔和出液孔，所述进液孔连通第一管路，所述第一管路用于为所述槽体内添加硫酸，所述出液孔用于连通所述试剂管路，用于提供加热到所述第二温度的硫酸；其中，所述槽体的内壁涂覆有第二保护层，所述槽体内具有第二加热器，用于对所述槽体内的硫酸进行加热。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：许忠晖，王東銘，陈嘉勇，李嘉伦，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：新型
国别省市：