一种提高磁芯抗热冲击性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高磁芯抗热冲击性能的方法，包括以下步骤：将含硼硅酸盐玻璃粉的釉浆涂覆在磁芯表面，进行烧结，形成釉层。本发明专利技术通过在磁芯表面涂覆以硼硅酸盐玻璃粉为主要成分的釉层，在不影响磁芯电磁特性的前提下，可以显著提高磁芯的抗热冲击性能。可以显著提高磁芯的抗热冲击性能。可以显著提高磁芯的抗热冲击性能。

【技术实现步骤摘要】
一种提高磁芯抗热冲击性能的方法


[0001]本专利技术涉及磁芯
，具体涉及一种提高磁芯抗热冲击性能的方法。

技术介绍

[0002]贴片电感(Chip inductors)，又称为功率电感、大电流电感和表面贴装高功率电感，具有小型化、高磁导率(μi)、高饱和磁通密度(Bs)、低电阻等特性，主要应用在计算机、通讯、电源及消费类电子产品领域。随着手机、电脑、电视等消费类电子产品趋向于小体积和低厚度，所需要的电感元件也要进一步小、薄，而在要求元件小型化的同时，还要求其直流偏置特性保持不变甚至提高，以保证其使用功率，所以要求材料的Bs必须要进一步提高才能确保直流偏置性能。带磁芯的电感产品需要在磁芯表面先进行金属化，再进行绕线后采用焊锡工艺贴装在电路板上，由于焊锡时的高温会产生很强的瞬间热冲击，如果磁芯的抗热冲击性能不好，焊接时磁芯就容易发生开裂，直接导致电感产品性能不良，存在致命缺陷。
[0003]目前，镍锌铁氧体磁芯的抗焊接热冲击性能普遍较差，且磁芯的厚度越薄越容易在焊接时产生裂纹，超薄磁芯难以兼顾优异的磁性能和良好的抗热冲击性能。
[0004]因此，亟需开发一种可以提高磁芯抗热冲击性能的方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种提高磁芯抗热冲击性能的方法。
[0006]本专利技术所采取的技术方案是：
[0007]一种提高磁芯抗热冲击性能的方法，包括以下步骤：将含硼硅酸盐玻璃粉的釉浆涂覆在磁芯表面，进行烧结，形成釉层。
[0008]优选的，一种提高磁芯抗热冲击性能的方法，包括以下步骤：
[0009]1)釉浆的制备：将硼硅酸盐玻璃粉、金属氧化物、粘结剂、分散剂、触变剂、流平剂、消泡剂和乙醇混合进行研磨，过筛，得到釉浆；
[0010]2)上釉：将釉浆涂覆在磁芯表面，进行烧结，形成釉层；
[0011]3)上银：将上釉后的磁芯的电极面两端涂覆银浆，干燥，进行烧结，形成银层；
[0012]4)电镀：将上银后的磁芯置于镀镍液和镀锡液中，进行镀镍和镀锡，形成镍层和锡层，即得到抗热冲击的磁芯成品。
[0013]优选的，所述釉浆由以下质量百分比的组分组成：
[0014]硼硅酸盐玻璃粉：5％～40％；
[0015]金属氧化物：0.1％～6％；
[0016]粘结剂：10％～30％；
[0017]分散剂：0.1％～2％；
[0018]触变剂：0.5％～5％；
[0019]流平剂：0.1％～1％；
[0020]消泡剂：0.1％～1％；
[0021]乙醇：30％～70％。
[0022]进一步优选的，所述釉浆由以下质量百分比的组分组成：
[0023]硼硅酸盐玻璃粉：5％～15％；
[0024]金属氧化物：1％～5％；
[0025]粘结剂：20％～30％；
[0026]分散剂：0.3％～0.7％；
[0027]触变剂：1％～2％；
[0028]流平剂：0.3％～0.7％；
[0029]消泡剂：0.3％～0.7％；
[0030]乙醇：50％～70％。
[0031]优选的，所述硼硅酸盐玻璃粉的组成包括BaCO3、Al2O3、B2O3、CaCO3、Co2O3、Cr2O3、Fe2O3、SiO2、SrCO3、TiO2和MnCO3。
[0032]进一步优选的，所述硼硅酸盐玻璃粉由以下质量百分比的组分组成：BaCO3：5.58％；Al2O3：4.74％；B2O3：11.73％；CaCO3：4.65％；Co2O3：1.39％；Cr2O3：1.29％；Fe2O3：0.35％；SiO2：58.21％；SrCO3：2.47％；TiO2：3.13％；MnCO3：6.46％。
[0033]优选的，所述硼硅酸盐玻璃粉的制备方法包括以下步骤：将各组分混合后进行球磨，140℃～160℃干燥，1100℃～1300℃熔融制成玻璃液，倒入水中进行淬火，进行球磨，140℃～160℃干燥，即得硼硅酸盐玻璃粉。
[0034]优选的，所述金属氧化物为CaO、Al2O3、Bi2O3、MnO2中的至少一种。
[0035]优选的，所述粘结剂为有机硅改性环氧树脂、酚醛树脂、聚乙烯醇缩丁醛、环氧改性丙烯酸树脂中的至少一种。
[0036]优选的，所述分散剂为聚丙烯酸铵、聚氧乙烯醚磷酸酯中的至少一种。
[0037]优选的，所述触变剂为聚酰胺蜡、气相二氧化硅中的至少一种。
[0038]优选的，所述流平剂为聚醚聚酯改性有机硅氧烷、丙烯酸酯流平剂中的至少一种。
[0039]优选的，所述消泡剂为聚二甲基硅氧烷、油酸甘油脂中的至少一种。
[0040]优选的，步骤1)所述研磨的时间为8h～12h。
[0041]优选的，步骤1)所述过筛为过300目筛。
[0042]优选的，步骤2)所述涂覆的方式为喷涂。
[0043]优选的，步骤2)所述烧结的温度为800℃～900℃，烧结时间为10min～30min。
[0044]优选的，步骤2)所述釉层的厚度为2μm～10μm。
[0045]进一步优选的，步骤2)所述釉层的厚度为6μm～10μm。
[0046]优选的，步骤3)所述干燥的温度为130℃～150℃，干燥时间为20min～30min。
[0047]优选的，步骤3)所述烧结的温度为600℃～680℃，烧结时间为10min～30min。
[0048]优选的，步骤3)所述银层的厚度为5μm～40μm。
[0049]优选的，步骤4)中进行镀镍时电流为10A～30A，电镀时间为2h～5h。
[0050]优选的，步骤4)中进行镀锡时电流为10A～30A，电镀时间为2h～5h。
[0051]优选的，步骤4)所述镍层的厚度为2μm～4μm。
[0052]优选的，步骤4)所述锡层的厚度为4μm～9μm。
[0053]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在磁芯表面涂覆以硼硅酸盐玻璃粉为主要成分的釉层，在不影响磁芯电磁特性的前提下，可以显著提高磁芯的抗热冲击性能。
附图说明
[0054]图1为实施例1～3和对比例1中所采用的磁芯的剖面示意图。
具体实施方式
[0055]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的解释和说明。
[0056]实施例1～3中的硼硅酸盐玻璃粉由以下质量百分比的组分组成：BaCO3：5.58％；Al2O3：4.74％；B2O3：11.73％；CaCO3：4.65％；Co2O3：1.39％；Cr2O3：1.29％；Fe2O3：0.35％；SiO2：58.21％；SrCO3：2.47％；TiO2：3.13％；MnCO3：6.46％；硼硅酸盐玻璃粉的制备方法包括以下步骤：将各组分混合后球磨2h，150℃干燥20min，1200℃熔融制成玻璃液，倒入常温去离子水中进行淬火，球磨3h，150℃干燥20min，即得硼硅酸盐玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高磁芯抗热冲击性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：将含硼硅酸盐玻璃粉的釉浆涂覆在磁芯表面，进行烧结，形成釉层。2.根据权利要求1所述的提高磁芯抗热冲击性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)釉浆的制备：将硼硅酸盐玻璃粉、金属氧化物、粘结剂、分散剂、触变剂、流平剂、消泡剂和乙醇混合进行研磨，过筛，得到釉浆；2)上釉：将釉浆涂覆在磁芯表面，进行烧结，形成釉层；3)上银：将上釉后的磁芯的电极面两端涂覆银浆，干燥，进行烧结，形成银层；4)电镀：将上银后的磁芯置于镀镍液和镀锡液中，进行镀镍和镀锡，形成镍层和锡层，即得到抗热冲击的磁芯成品。3.根据权利要求1或2所述的提高磁芯抗热冲击性能的方法，其特征在于：所述釉浆由以下质量百分比的组分组成：硼硅酸盐玻璃粉：5％～40％；金属氧化物：0.1％～6％；粘结剂：10％～30％；分散剂：0.1％～2％；触变剂：0.5％～5％；流平剂：0.1％～1％；消泡剂：0.1％～1％；乙醇：30％～70％。4.根据权利要求3所述的提高磁芯抗热冲击性能的方法，其特征在于：所述硼硅酸盐玻璃粉的组成包括BaCO3、Al2O3、B2O3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明雄，向晋钰，蔡达伟，
申请(专利权)人：标旗磁电产品佛冈有限公司，
类型：发明
国别省市：