薄膜覆晶封装结构与显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜覆晶封装结构与显示装置。薄膜覆晶封装结构包括薄膜基板、芯片、第一散热件以及一黏着件。薄膜基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。芯片设置在薄膜基板的第一表面上，并与薄膜基板电连接。第一散热件设置在薄膜基板的第一表面上，并完全覆盖芯片，且第一散热件、芯片及薄膜基板之间具有间隙。黏着件设置在薄膜基板、芯片及第一散热件之间，且黏着件填满间隙。本实用新型专利技术具有优异的散热效能及结构可靠度。新型具有优异的散热效能及结构可靠度。新型具有优异的散热效能及结构可靠度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜覆晶封装结构与显示装置


[0001]本技术关于一种封装结构，特别关于一种薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装结构与应用该薄膜覆晶封装结构的显示装置。

技术介绍

[0002]在半导体封装技术中，型态大致可区分为卷带式芯片载体(Tape Carrier Package,TCP)封装、薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装及玻璃覆晶(Chip On Glass,COG)封装等三类，主流封装技术原为TCP。但是，因为技术发展不断高密度化，利用覆晶接合方式的COF封装取代了TCP的胶带自动接合(Tape Automated Bonding,TAB)，使得芯片与软性基板可以极高密度相接合，且由于封测技术朝晶圆颗粒持续微缩与细间距(Fine Pitch)工艺的趋势发展，使得COF封装逐渐成为主流。
[0003]为了加快薄膜覆晶封装结构的芯片散热，在将芯片设置在薄膜基板之后，会再利用散热材贴附在薄膜基板以覆盖整个芯片来协助芯片散热。传统工艺上，在将散热材贴附在薄膜基板且覆盖芯片的过程中，难以使散热材与芯片紧密贴附在一起，因此，在芯片与散热材之间常常存在着气隙(air gap)，如此，在后续的热工艺或芯片运作中，被困在芯片与散热材之间的空气会膨胀，因而可能导致散热材与芯片分离，降低芯片封装的可靠性。再者，由于空气的导热性相当低，被困在芯片与散热材之间的空气也会影响芯片产生的热传导至散热材的效率。

技术实现思路

[0004]鉴于上述内容，本技术的目的为提供一种薄膜覆晶封装结构与显示装置，可具有优异的散热效能及结构可靠度。
[0005]为达上述目的，根据本技术的一种薄膜覆晶封装结构，包括薄膜基板、芯片、第一散热件以及黏着件。薄膜基板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。芯片设置在薄膜基板的第一表面上，并与薄膜基板电连接。第一散热件设置在薄膜基板的第一表面上，并完全覆盖芯片，且第一散热件、芯片及薄膜基板之间具有间隙。黏着件设置在薄膜基板、芯片及第一散热件之间，且黏着件填满散热件、芯片及薄膜基板之间的间隙。
[0006]在实施例中，薄膜基板为聚酰亚胺基板。
[0007]在实施例中，芯片具有远离薄膜基板的第一表面的顶面，黏着件还设置在顶面与第一散热件之间。
[0008]在实施例中，第一散热件包括基材、第一黏着层、导热层、第一金属层、第二黏着层及第二金属层，第一黏着层、导热层、第一金属层、第二黏着层及第二金属层依序设置在基材上。
[0009]在实施例中，第一黏着层或第二黏着层为石墨烯黏着膜。
[0010]在实施例中，导热层为石墨烯导热膜、石墨导热膜、纳米碳管导热膜、氧化铝导热膜、氮化硼导热膜、或氧化锌导热膜、或其组合。
[0011]在实施例中，第一金属层或第二金属层为金属离子沉积层或金属片。
[0012]在实施例中，黏着件为石墨烯黏着膜。
[0013]在实施例中，薄膜覆晶封装结构还包括第二散热件，其设置在薄膜基板的第二表面上，且第二散热件的设置位置对应于芯片。
[0014]为达上述目的，根据本技术的一种显示装置包括显示面板以及上述的薄膜覆晶封装结构，薄膜覆晶封装结构与显示面板电连接。
[0015]综上所述，在本技术的薄膜覆晶封装结构与显示装置中，通过黏着件设置在薄膜基板、芯片及散热件之间，且黏着件填满散热件、芯片及薄膜基板之间的间隙的结构设计，可使散热件贴附于薄膜基板后，散热件、芯片及薄膜基板之间不会有气隙存在，因此即使芯片工作时的温度相当高，也可防止散热件变形或甚至与芯片分离的问题，而且，填满散热件、芯片及薄膜基板间隙的黏着件也可协助热能传导至散热件，从而使薄膜覆晶封装结构及显示装置具有优异的散热效能及结构可靠度。
附图说明
[0016]图1A为本技术优选的实施例的一种薄膜覆晶封装结构的俯视示意图。
[0017]图1B为图1A所示的薄膜覆晶封装结构沿A-A割面线的剖视示意图。
[0018]图1C为图1B的薄膜覆晶封装结构的第一散热件的剖视示意图。
[0019]图2A及图2B分别为本技术不同实施例的薄膜覆晶封装结构的剖视示意图。
[0020]图3为本技术实施例的显示装置的示意图。
具体实施方式
[0021]以下将参照相关附图，说明根据本技术一些实施例的薄膜覆晶封装结构与具有薄膜覆晶封装结构的显示装置，其中相同的元件将以相同的附图标记加以说明。
[0022]以下附图中出现的元件尺寸(长、宽或高)、比例只是说明元件之间的相互关系，与真实元件的尺寸与比例无关。另外，以下实施例的附图中定义有第一方向D1、第二方向D2及第三方向D3，其中，第一方向D1垂直第二方向D2，且第三方向D3分别与第一方向D1及第二方向D2垂直。
[0023]请参照图1A与图1B所示，图1A为本技术优选的实施例的一种薄膜覆晶(Chip On Film,COF)封装结构的俯视示意图，而图1B为图1A所示的薄膜覆晶封装结构沿A-A割面线的剖视示意图。
[0024]薄膜覆晶封装结构1包括薄膜基板11、芯片12、第一散热件13以及黏着件14。在本实施例中，如图1A所示，第二方向D2与芯片12的长轴方向平行(即第二方向D2与芯片12的长边的延伸方向平行)，而薄膜基板11的延伸方向平行于第一方向D1与第二方向D2所构成的平面，且第三方向D3垂直于薄膜基板11的上表面，并且分别与第一方向D1及第二方向D2垂直。
[0025]薄膜基板11具有第一表面S1(上表面)及与第一表面S1相对的第二表面S2(下表面)。其中，薄膜基板11为软性基板而具有可挠性，并为热塑性材料，其材质可包含机高分子材料，例如但不限于聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC)、聚苯乙烯(PS)、压克力(丙烯，acrylic)、氟化聚合物
(Fluoropolymer)、聚酯纤维(polyester)、或尼龙(nylon)、或其他材料。本实施例的薄膜基板11例如是以聚酰亚胺(PI)基板为例。在一些实施例中，薄膜基板11的第一表面S1及/或第二表面S2还可具有多条导线(未示出)，导线的一端与芯片12电连接，导线的另一端往远离芯片12的方向延伸，因此，芯片12可以通过导线传输讯号。
[0026]芯片12为集成电路(Integrated Circuit,IC)，其设置在薄膜基板11的第一表面S1上，并与薄膜基板11电连接。在本实施例中，芯片12是覆晶接合(Flip Chip Bonding)在薄膜基板11上，以成为覆晶薄膜(chip on film,COF)。在显示装置的一些实施例中，芯片12例如可为显示装置的数据驱动IC或扫描驱动IC，或整合数据驱动与扫描驱动功能的IC，并不以此为限。在不同的实施例中，芯片12也可具有其他的驱动或控制功能。
[0027]第一散热件13设置在薄膜基板11的第一表面S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜覆晶封装结构，包括：薄膜基板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；芯片，设置在所述薄膜基板的所述第一表面上，并与所述薄膜基板电连接；第一散热件，设置在所述薄膜基板的所述第一表面上，并完全覆盖所述芯片，且所述第一散热件、所述芯片及所述薄膜基板之间具有间隙；以及黏着件，设置在所述薄膜基板、所述芯片及所述第一散热件之间，且所述黏着件填满所述第一散热件、所述芯片及所述薄膜基板之间的所述间隙。2.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述薄膜基板为聚酰亚胺基板。3.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述芯片具有远离所述薄膜基板的所述第一表面的顶面，所述黏着件还设置在所述顶面与所述第一散热件之间。4.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述第一散热件包括基材、第一黏着层、导热层、第一金属层、第二黏着层及第二金属层，所述第一黏着层...

【专利技术属性】
技术研发人员：何铭祥，黄军凯，萧毅豪，
申请(专利权)人：河南烯力新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：