本发明专利技术公开一种发声单体，发声单体包括配合形成收容空间的导磁轭和外壳，以及设于所述收容空间内的磁路系统和振动系统；所述振动系统包括固设于所述外壳上的振膜、驱动所述振膜振动的音圈和设于所述振膜上的球顶，所述磁路系统具有磁间隙，所述音圈插入所述磁间隙；所述球顶分为小振幅偏差区域和至少一个大振幅偏差区域，在所述大振幅偏差区域内开设有一个或多个泄露孔。本发明专利技术技术方案可减小偏振，提升发声单体音质。升发声单体音质。升发声单体音质。
【技术实现步骤摘要】
发声单体
[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声单体。
技术介绍
[0002]相关技术的发声单体，包括磁路系统、振动系统及收容磁路系统和振动系统的外壳。音圈通入电流后运动，并带动振膜振动，后腔中的空气会被压缩或扩张，发出声音。在音圈运动过程中，振动系统可能会受到发声单体本身结构影响产生偏振，使得振膜各个部分振动振幅不一致，影响产品音质。
[0003]因此，有必要提供一种新型的发声单体，以解决上述的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的主要目的是提供一种发声单体，旨在解决现有发声单体受到本身结构设计影响，导致球顶部分区域偏振较大影响产品音质的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供的所述发声单体包括配合形成收容空间的导磁轭和外壳，以及设于所述收容空间内的磁路系统和振动系统；
[0006]所述振动系统包括固设于所述外壳上的振膜、驱动所述振膜振动的音圈和设于所述振膜上的球顶，所述磁路系统具有磁间隙，所述音圈插入所述磁间隙；
[0007]所述球顶分为小振幅偏差区域和至少一个大振幅偏差区域，在所述大振幅偏差区域内开设有一个或多个泄露孔。
[0008]优选地，所述发声单体还包括贴设在所述大振幅偏差区域的泄漏量调节件，所述泄漏量调节件覆盖至少一个所述泄露孔。
[0009]优选地，所述发声单体还包括贴设在所述大振幅偏差区域的透气件，所述透气件覆盖至少一个所述泄露孔。
[0010]优选地，所述发声单体还包括泄漏量调节件和透气件，所述泄漏量调节件和所述透气件叠设，所述泄漏量调节件或所述透气件贴设在所述大振幅偏差区域并覆盖至少一个所述泄露孔。
[0011]优选地，所述透气件和所述球顶为一体成型结构。
[0012]优选地，所述振膜包括外至内依次设置的固定部、折环部和安装部，所述固定部与所述外壳连接，所述球顶的边沿与所述固定部连接。
[0013]优选地，所述磁路系统包括设于所述导磁轭上的主磁钢、与所述主磁钢相对设置的副磁钢，以及设于所述主磁钢上的主导磁板和设于所述副磁钢上的副导磁板。
[0014]优选地，所述外壳包括与所述导磁轭相对设置的安装框，以及支撑在所述导磁轭和所述安装框之间的多个支撑座，所述固定部与所述安装框连接。
[0015]优选地，所述安装框、所述导磁轭和相邻两个支撑座之间形成缺口，所述副磁钢插入所述缺口，所述副磁钢设置在所述所述导磁轭和所述安装框之间。
[0016]优选地，所述导磁轭上开设有安装孔，所述发声单体还包括与所述安装孔卡合的
导电端子，所述导电端子与所述音圈连接。
[0017]在本专利技术中，本专利技术通过在大振幅偏差区域开设一个或多个泄露孔，使得在振膜振动过程中，振膜两侧的空气可在泄露孔处流动，平衡发声单体内外气压，同时使得泄露孔处的气压减小，大振幅偏差区域的振幅降低，进而改善振动系统的偏振，使得振动系统振动平稳，提升发声单体听音余量，特别提升低频性能；通过使得大振幅偏差区域的振幅降低，从而调节球顶各处振幅对称性；通过设置泄露孔从而有利于辅助散热。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术发声单体一实施例的立体结构示意图
[0020]图2为本专利技术发声单体一实施例的拆解结构示意图；
[0021]图3为图1所示发声单体沿A-A线的剖面结构示意图。
[0022]实施例附图标号说明：
[0023]标号名称标号名称100发声单体1导磁轭12安装孔3外壳31安装框32缺口33支撑座5磁路系统51主磁钢53副磁钢55主导磁板57副导磁板7振动系统71振膜711固定部713折环部715安装部72泄露孔73音圈75球顶751小振幅偏差区域753大振幅偏差区域77泄漏量调节件9导电端子
[0024]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0027]另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0028]本专利技术提出一种发声单体100。
[0029]参照图1、图2和图3，本专利技术技术方案提出的发声单体100包括配合形成收容空间的导磁轭1和外壳3，以及设于收容空间内的磁路系统5和振动系统7；振动系统7包括固设于外壳3上的振膜71、驱动振膜71振动的音圈73和设于振膜71上的球顶75，磁路系统5具有磁间隙，音圈73插入磁间隙；球顶75分为小振幅偏差区域751和至少一个大振幅偏差区域753，在大振幅偏差区域753内开设有一个或多个泄露孔72。
[0030]具体地，音圈73与外部电路连接，音圈73通电后，在磁路系统5的磁场作用下振动，从而带动振膜71振动发声。由于不同发声单体100结构，不同振膜71的材质、结构和固定方式等原因，导致振动系统7可能会发生偏振。大振幅偏差区域753即为在一定振动频率下，球顶75上振幅较大的区域。可预先通过检测，得到多个频率下球顶75上各处的振幅，从而识别得到小振幅偏差区域751和大振幅偏差区域753。本领域技术人员可以设定一定的预设阈值，以识别小振幅偏差区域751和大振幅偏差区域753。例如：在100hz的振动频率下预设阈值为3mm，则振幅大于3mm的区域为大振幅偏差区域753，振幅小于3mm的区域为小振幅偏差区域751。当然还可以通过预设公式，以及振动频率等参数计算得到比较数值，将实际检测得到振幅与该比较数值比较，以区分得到小振幅偏差区域751和大振幅偏差区域753。大振幅偏差区域753为多个的情况下，各大振幅偏差区域753内开设有至少一个泄露孔72。
[0031]本专利技术通过在大振幅偏差区域7本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发声单体，其特征在于，所述发声单体包括配合形成收容空间的导磁轭和外壳，以及设于所述收容空间内的磁路系统和振动系统；所述振动系统包括固设于所述外壳上的振膜、驱动所述振膜振动的音圈和设于所述振膜上的球顶，所述磁路系统具有磁间隙，所述音圈插入所述磁间隙；所述球顶分为小振幅偏差区域和至少一个大振幅偏差区域，在所述大振幅偏差区域内开设有一个或多个泄露孔。2.如权利要求1所述的发声单体，其特征在于，所述发声单体还包括贴设在所述大振幅偏差区域的泄漏量调节件，所述泄漏量调节件覆盖至少一个所述泄露孔。3.如权利要求1所述的发声单体，其特征在于，所述发声单体还包括贴设在所述大振幅偏差区域的透气件，所述透气件覆盖至少一个所述泄露孔。4.如权利要求1所述的发声单体，其特征在于，所述发声单体还包括泄漏量调节件和透气件，所述泄漏量调节件和所述透气件叠设，所述泄漏量调节件或所述透气件贴设在所述大振幅偏差区域并覆盖至少一个所述泄露孔。5.如权利要求4所述的发声单体，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于龙欣，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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