导电膏、电极和片状电阻器制造技术

本发明专利技术提供一种具有高耐化学品性，并且能够形成低阻抗的电极的导电膏。本发明专利技术的导电膏含有(A)银粉、(B)玻璃料、(C)二氧化硅填料、(D)热塑性树脂。(B)玻璃料含有SiO2和TiO2。(B)玻璃料中所含的SiO2与(C)二氧化硅填料中所含的SiO2的质量比率为1:(0.25～1.6)。相对于(A)银粉100质量份，(B)玻璃料的含量低于20质量份。(B)玻璃料的含量低于20质量份。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电膏、电极和片状电阻器


[0001]本专利技术涉及例如用于电子零件的电极形成的导电膏。

技术介绍

[0002]在作为电子零件之一的片状电阻器的电极的形成中，使用含银粉的导电膏。图13表示片状电阻器100的剖面结构的一例。片状电阻器100具有矩形的氧化铝基板102，在氧化铝基板102的上表面形成有：电阻体104；和用于从电阻体104引出电的引出电极106。另外，在氧化铝基板102的下表面形成有用于将片状电阻器100贴装到基板的下表面电极108。此外，在氧化铝基板102的端面形成有用于连接引出电极106和下表面电极108的连接电极110。引出电极106和下表面电极108，通过在氧化铝基板102的上表面和下表面经印刷涂布导电膏后进行烧成而分别形成。在引出电极106、下表面电极108和连接电极110之上，一般形成有镍镀膜112和锡镀膜114。
[0003]引出电极106和下表面电极108，因为各自要求的特性不同，所以一般会使用不同的导电膏形成。例如，在引出电极106的形成中，使用与电阻体104的匹配性良好的导电膏。另外，电阻体104的电阻值低时，要求引出电极106的电阻值也低。因此，在引出电极106的形成中，使用能够形成低阻抗的电极的导电膏。
[0004]以前，作为用于电极形成的导电膏，已知有专利文献1和2中公开的含有银粉和玻璃料的导电膏。
[0005]专利文献1：日本特开平7-105723号公报
[0006]专利文献2：日本特表2016-538708号公报
[0007]在电极的表面形成镀膜时，需要进行镀前处理。可以说镀覆不良之中70％是由前处理引起的。镀前处理是出于如下目的而进行：从电极的表面除去污染物质，使电极的表面活性化，达到适于镀覆的洁净的状态。应该除去的染污物质，能够大体区分为有机系和无机系。前处理工序，不是以单独的工序除去全部的染污物质。例如，有机系物质，以使用碱系清洗剂的工序除去。无机系物质，以使用酸系清洗剂的工序除去。为此，对电极要求有高耐化学品性。
[0008]但是，特别是作为染污物质而除去无机物时，因为使用酸系清洗剂，所以存在电极的耐化学品性不充分的问题。即，使用酸系清洗剂时，因为以显现电极的密接强度为目的而添加的玻璃料溶解，所以使用现有的导电膏所形成的电极，存在密接强度降低的问题。另外，若出于使耐化学品性提高的目的而增加玻璃料的量，则存在电极的电阻值上升的问题。

技术实现思路

[0009]本专利技术其目的在于，提供一种具有高耐化学品性，并且能够形成低阻抗的电极的导电膏。
[0010]本专利技术者们，对于具有高耐化学品性，并且能够形成低阻抗的电极导电膏进行了锐意研究。其结果发现，除了银粉和玻璃料以外，通过在导电膏中以特定的比率含有二氧化
硅填料从而耐化学品性提高，从而完成了本专利技术。
[0011]本专利技术如下。
[0012](1)一种导电膏，其特征在于，含有(A)银粉、(B)玻璃料、(C)二氧化硅填料、(D)热塑性树脂，
[0013]所述(B)玻璃料中，含SiO2和TiO2，
[0014]所述(B)玻璃料中所包含的SiO2和所述(C)二氧化硅填料中所包含的SiO2的质量比率为1:(0.25～1.6)，
[0015]所述(B)玻璃料的含量，相对于所述(A)银粉100质量份而低于20质量份。
[0016](2)根据(1)所述的导电膏，其中，所述(B)玻璃料含有从ZnO、BaO、Na2O、CaO和Al2O3所构成的群中选择的至少一种。
[0017](3)根据(1)所述的导电膏，其中，所述(B)玻璃料含有ZnO、BaO、Na2O和Al2O3。
[0018](4)根据(1)至(3)之中任一项所述的导电膏，其中，所述(C)二氧化硅填料的粒径为20nm以上且5μm以下。
[0019](5)根据(1)至(4)之中任一项所述的导电膏，其中，还含有(E)溶剂。
[0020](6)一种电极，其通过烧成(1)至(5)之中任意一项所述的导电膏而取得。
[0021](7)根据(6)所述的电极，其中，薄膜电阻为4mΩ/
□
以下。
[0022](8)一种片状电阻器，其中，具有(6)或(7)所述的电极。
[0023]根据本专利技术，能够提供一种具有高耐化学品性，并且能够形成低阻抗的电极的导电膏。
附图说明
[0024]图1是方形凸块图案的表面的2000倍的SEM照片。
[0025]图2是方形凸块图案的表面的2000倍的SEM照片。
[0026]图3是方形凸块图案的表面的2000倍的SEM照片。
[0027]图4是方形凸块图案的表面的500倍的SEM照片。
[0028]图5是方形凸块图案的表面的500倍的SEM照片。
[0029]图6是方形凸块图案的表面的500倍的SEM照片。
[0030]图7是残留在氧化铝基板上的方形凸块图案的照片。
[0031]图8是残留在氧化铝基板上的方形凸块图案的照片。
[0032]图9是残留在氧化铝基板上的方形凸块图案的照片。
[0033]图10是撕下的胶带的粘贴面的照片。
[0034]图11是撕下的胶带的粘贴面的照片。
[0035]图12是撕下的胶带的粘贴面的照片。
[0036]图13表示片状电阻器的剖面结构。
具体实施方式
[0037]以下，对用于实施本专利技术的方式详细地说明。
[0038]本专利技术的实施方式的导电膏含有(A)银粉、(B)玻璃料、(C)二氧化硅填料、(D)热塑性树脂。(B)玻璃料含有SiO2和TiO2。(B)玻璃料中所包含的SiO2与(C)二氧化硅填料中所包
含的SiO2的质量比率，是1:(0.25～1.6)。(B)玻璃料的含量，相对于(A)银粉100质量份而低于20质量份。
[0039](A)银粉
[0040]本实施方式的导电膏，作为导电性粒子含(A)银粉。作为银粉，能够使用包含银或含银合金的粉末。银粉粒子的形状没有特别限定，例如，可以使用球状、粒状、薄片状和/或鳞片状的银粉粒子。
[0041]银粉的平均粒径，优选为0.1μm～10μm，更优选为0.1μm～7μm，最优选为0.1μm～5μm。在此所说的平均粒径，意思是通过激光衍射散射式粒度分布测量法所得到的体积基准中值粒径(d50)。
[0042]银粉的制造方法无特别限定，例如，能够通过还原法、粉碎法、电解法、雾化法、热处理法或这些方法的组合来制造。薄片状的银粉，例如，能够通过利用球磨机等，将球状或粒状的银粒子压碎来制造。
[0043](B)玻璃料
[0044]本实施方式的导电膏含有(B)玻璃料。(B)玻璃料含有SiO2和TiO2。通过在导电膏中含有(B)玻璃料，从而对导电膏进行烧成而得到的电极相对于基板的密接强度提高。玻璃料没有特别限定，但能够使用优选软化点为300℃以上，更优选软化点为400～900℃，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种导电膏，其特征在于，含有：(A)银粉、(B)玻璃料、(C)二氧化硅填料、和(D)热塑性树脂，所述(B)玻璃料含SiO2和TiO2，所述(B)玻璃料中所含的SiO2与所述(C)二氧化硅填料中所含的SiO2的质量比率为1:(0.25～1.6)，相对于所述(A)银粉100质量份，所述(B)玻璃料的含量低于20质量份。2.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所述(B)玻璃料含有从ZnO、BaO、Na2O、CaO和Al2O3所构成的群中选择的至少一种。3.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉井喜昭，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：