本发明专利技术为一种在实施指定了基片的处理方案和作为处理对象的上述基片的任务来对上述基片进行规定的处理时，检查上述基片的缺陷的方法，其包括：依次拍摄上述基片的拍摄步骤；第1判断步骤，其从上述任务的开头的上述基片起依次地，使用泽尼克多项式将上述拍摄步骤中拍摄到的基片图像中的像素值的平面分布分解成多个像素值分布成分，计算与要检测的缺陷对应的上述像素值分布成分的泽尼克系数，基于计算出的上述泽尼克系数判断该基片是否存在缺陷；和第2判断步骤，其从至少一个基片在上述第1判断步骤中被判断为没有缺陷后的规定的时刻起，基于在上述第1判断步骤中判断为没有上述缺陷的上述基片图像，判断作为判断对象的上述基片是否存在缺陷。是否存在缺陷。是否存在缺陷。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片的缺陷检查方法、存储介质和基片的缺陷检查装置
[0001](相关申请的彼此参照)
[0002]本申请基于2018年6月21日在日本国申请的特愿2018-117798号主张优先权，此处援引其内容。
[0003]本专利技术涉及基片的缺陷检查方法、存储介质和基片的缺陷检查装置。
技术介绍
[0004]例如，在半导体装置的制造工艺中的光刻工序中，依次进行在晶片上涂敷抗蚀剂来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等的一连串处理，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。上述的一连串处理在作为基片处理系统的涂敷显影处理系统中进行，该基片处理系统搭载有处理基片的各种处理部和输送晶片的输送机构等。
[0005]在该显影处理系统中进行晶片的缺陷的检查。在晶片的缺陷的检查中，检查是否存在通过抗蚀剂涂敷处理所形成的抗蚀剂膜的缺陷、在晶片是否存在伤痕或异物的付着、所形成的抗蚀剂图案中是否存在缺陷。
[0006]专利文献1的检查装置是检查抗蚀剂图案的缺陷的装置，预先拍摄被判断为合格品的形成有抗蚀剂图案的晶片，将其作为检查用的基准图像预先存储起来。然后，拍摄作为检查对象的晶片，比较该拍摄到的图像和基准图像，基于比较结果，判断作为检查对象的晶片上的抗蚀剂图案是否正常。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本国特开平1-287449号公报
技术实现思路
[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]但是，在显影处理系统中，在实施指定了晶片的处理方案和作为处理对象的晶片的任务(job)来进行对晶片的处理时，有时不预先存储上述的基准图像。在该情况下，例如将任务中的开头的晶片的拍摄图像作为基准图像。像这样不预先存储而使用开头的晶片的拍摄图像的理由在于，例如每当处理方案改变时，制作无缺陷的晶片并拍摄该晶片来生成并存储基准图像非常耗费工夫，生产性恶化。
[0012]但是，在将任务中的开头的晶片的拍摄图像作为基准图像进行缺陷检查的情况下，无法检测上述开头的晶片的缺陷。此外，在上述开头的晶片存在缺陷的情况下，无法恰当地进行之后的晶片的缺陷检查。而且，在任务中的作为处理对象的晶片为一片的情况下，对于该任务不能进行所有的缺陷检查。
[0013]然而，在专利文献1所记载的缺陷检查方法中，并未考虑上述方面。
[0014]本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于能够从任务的开头的基片起恰当地
进行缺陷检查。
[0015]用于解决技术问题的技术方案
[0016]为了解决上述技术问题，本专利技术的一个方式为一种在实施指定了基片的处理方案和作为处理对象的上述基片的任务来对上述基片进行规定的处理时，检查上述基片的缺陷的方法，其包括：依次拍摄上述基片的拍摄步骤；第1判断步骤，其从上述任务的开头的上述基片起依次地，使用泽尼克多项式将上述拍摄步骤中拍摄到的基片图像中的像素值的平面分布分解成多个像素值分布成分，计算与要检测的缺陷对应的上述像素值分布成分的泽尼克系数，基于计算出的上述泽尼克系数判断该基片是否存在缺陷；和第2判断步骤，其从至少一个基片在上述第1判断步骤中被判断为没有缺陷后的规定的时刻起，基于在上述第1判断步骤中被判断为没有上述缺陷的上述基片图像，判断作为判断对象的上述基片是否存在缺陷。
[0017]依照本专利技术的一个方式，使用泽尼克多项式将拍摄到的基片图像中的像素值的平面分布展开，计算与要检测的缺陷对应的泽尼克系数，进行基于该计算结果的基片是否存在缺陷的判断，直至在该判断判断中被判断为没有缺陷的基片出现。因此，即使是从任务的开头起规定个数的基片，也能够检测缺陷。此外，即使任务中的作为处理对象的基片为一个，也能够进行与该任务相关的缺陷检查。而且，上述规定的时刻以后，基于根据泽尼克系数的计算结果判断为没有缺陷的基片图像，判断是否存在缺陷，因此能够在整个任务中恰当进行基片的缺陷检查。
[0018]依照另一观点下的本专利技术的一个方式，提供一种可读取的计算机存储介质，其保存有在作为控制基片处理系统的控制部的计算机上运行，以使该基片处理系统执行基片的缺陷检查方法的程序。
[0019]依照又一观点下的本专利技术为一种缺陷检查装置，其能够在实施指定了基片的处理方案和处理个数的任务来对上述基片进行规定的处理的基片处理系统中，检查上述基片的缺陷，上述基片的缺陷检查装置包括：拍摄基片的拍摄部；第1判断部，其从上述任务的开头的上述基片起依次地，使用泽尼克多项式将由上述拍摄部拍摄到的基片图像中的像素值的平面分布分解成多个像素值分布成分，计算与要检测的缺陷对应的上述像素值分布成分的泽尼克系数，基于计算出的上述泽尼克系数判断上述基片是否存在缺陷；和第2判断部，其从至少一个基片被上述第1判断部判断为没有缺陷后的规定的时刻起，基于被上述第1判断部判断为没有上述缺陷的上述基片图像，判断作为判断对象的上述基片是否存在缺陷。
[0020]专利技术效果
[0021]依照本专利技术的一个方式，能够从任务的开头的基片起恰当地进行缺陷检查。
附图说明
[0022]图1是表示本实施方式的基片处理系统的内部概要结构的俯视图。
[0023]图2是表示本实施方式的基片处理系统的内部概要结构的侧视图。
[0024]图3是表示本实施方式的基片处理系统的内部概要结构的侧视图。
[0025]图4是表示缺陷检查装置的概要结构的横断面图。
[0026]图5是表示缺陷检查装置的概要结构的纵断面图。
[0027]图6是示意地表示控制部的概要结构的框图。
[0028]图7是表示将像素值的平面分布使用泽尼克多项式分解成多个像素值分布成分的状态的说明图。
[0029]图8是表示晶片面内的作为各像点值的像素值的说明图。
[0030]图9是在晶片面内的高度方向上表示晶片面内的各像点值的说明图。
[0031]图10是表示对多个晶片求出的各泽尼克系数的值的说明图。
[0032]图11是表示试验例中使用的基片图像的图。
[0033]图12是表示试验例的结果的图。
[0034]图13是表示试验例的结果的图。
[0035]图14是表示试验例的结果的图。
具体实施方式
[0036]下面，参照附图，对本实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
[0037]图1是表示具有本实施方式的基准图像生成装置的基片处理系统1的内部概要结构的说明图。图2的图3是表示基片处理系统1的内部概要结构的侧视图。此外，在本实施方式中，以基片处理系统1例如进行基片的光刻处理的涂敷显影处理系统的情况为例进行说明。
[0038]基片处理系统1如图1所示具有将盒站2、处理站3和接口站5连接为一体的结构，该盒站2作为与外部之间送入送出盒C的送入送出部，该处理站3作为具有在光刻处本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基片的缺陷检查方法，其特征在于：在实施指定了基片的处理方案和作为处理对象的所述基片的任务来对所述基片进行规定的处理时，检查所述基片的缺陷，所述基片的缺陷检查方法包括：依次拍摄所述基片的拍摄步骤；第1判断步骤，其从所述任务的开头的所述基片起依次地，使用泽尼克多项式将所述拍摄步骤中拍摄到的基片图像中的像素值的平面分布分解成多个像素值分布成分，计算与要检测的缺陷对应的所述像素值分布成分的泽尼克系数，基于计算出的所述泽尼克系数判断该基片是否存在缺陷；和第2判断步骤，其从至少一个基片在所述第1判断步骤中被判断为没有缺陷后的规定的时刻起，基于在所述第1判断步骤中判断为没有所述缺陷的所述基片图像，判断作为判断对象的所述基片是否存在缺陷。2.如权利要求1所述的基片的缺陷检查方法，其特征在于：所述规定的时刻是在所述第1判断步骤中判断为没有缺陷的时刻。3.如权利要求1所述的基片的缺陷检查方法，其特征在于：与所述要检测的缺陷对应的所述像素值分布成分的泽尼克系数是泽尼克多项式的第4项、第12项、第13项。4.如权利要求3所述的基片的缺陷检查方法，其特征在于：所述第1判断步骤基于计算出的所述泽尼克系数是否超过阈值来判断所述基片是否存在缺陷，所述第2判断步骤根据所述被判断为没有缺陷的基片图像设定基准图像，比较所述基准图像和作为检查对象的所述基片的所述基片图像，基于所述基片图像与所述基准图像相比是否在容许范围内，判断是否存在缺陷。5.如权利要求4所述的基片的缺陷检查方法，其特征在于：基于所述泽尼克系数与所述阈值之差，进行所述容许范围的校正。6.如权利要求4所述的基片的缺陷检查方法，其特征在于：基于所述泽尼克系数与所述阈值之差，进行所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上慎，久野和哉，清富晶子，西山直，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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