本发明专利技术涉及一种液晶显示装置断线的修复方法，该液晶显示装置中包括第一绝缘层和第二绝缘层，位于第一绝缘层中间的第一导电层，第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第三导电层，其中，其修复方法包括以下步骤：步骤ａ，利用检测设备检测第二导电层中断线发生的位置；步骤ｂ，在保护性气体的保护下对第二导电层断线区域上方进行沉积导电层的淀积；步骤ｃ，在完成阵列基板和彩膜基板制造之后，利用激光聚焦熔接将沉积导电层和第二导电层导通。本发明专利技术修复方法在阵列制作过程中断线不良发生后通过沉积导电层和破坏绝缘膜而使断线金属及在上方局部制作的沉积导电层电气导通，从而提高产品良品率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图 像，但液晶显示的原理则完全不同。通常，液晶显示装置(LCD)具有(也称彩 膜基板)和下基板(也称阵列基板)，彼此有一定间隔和互相正对，形成在两个 基板上的多个电极相互正对，液晶夹在上基板和下基板之间,，电压通过基板上 的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图 像、因为如上所述液晶显示装置不发射光，它需要光源来显示图像。因此，液 晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源，根据液晶分子的排列控制从背光 源入射的光量从而显示图像。在两块偏光片之间夹有玻璃基板、彩色滤光片、 电极、液晶层和晶体管薄膜，液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物 质。背光源发出的光线经过下偏光片，成为具有一定偏振方向的偏振光。晶体 管控制电极之间所加电压，而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向，偏 振光透过相应的彩膜色层后形成单色偏振光，如果偏振光能够穿透上层偏光片， 则显示出相应的颜色；电场强度不同，液晶分子的偏转角度也不同，透过的光 强不一样，显示的亮度也不同，通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示 五颜六色的图像。LCD装置包括彩膜基板和阵列基板，以及通过滴下方法而形成于该彩膜基 板和阵列基板之间的液晶层。阵列基板板包括多条选通线，这些选通线以固 定间隔沿第一方向布置；多条数据线，这些数据线以固定间隔沿垂直于第一方 向的第二方向布置；多个像素电极以矩阵结构布置在由交叉的选通线和数据线所限定的像素区域内以及多个薄膜晶体管，这些薄膜晶体管能够提供给选通 线的数据而将信号从数据线传递给像素电极。彩膜基板包括黑色矩阵(BM: black matrix),该黑矩阵防止光从第一基板的除了像素区域外的部分发出；红绿蓝彩膜用于显示彩色光，以及公共电极，用于形成显示所需电场。在相互贴 合的玻璃基板之间有保持盒厚的间隔物。在实际产品的制造过程中，断线不良占到了总体不良比重很大。为了提高生 产的良品率通常是对导通不良的导线进行修复。在阵列工艺过程中，通过不同 的检测设备在做完各导线层后进行开路短路方面的测量，以及时发现不良，及 时进行修复，由于在刚做完金属层进行的测量和修复，因而可以得到比较好的导通效率和信赖性结果。上述修复方法一般为激光的切割和激光CVD ( Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)。通过对局部的金属或者导电图形进行切割 可以修复部分由于残留金属或导电物造成的短路，通过对局部进行激光CVD可 以将断开的导线进行连接，以修复该断线。上述断线修复是在金属导线层形成后，绝缘膜尚未形成前进行,激光CVD形 成的金属直接覆盖于导线表面，因而有比较好的接触特性。但是当导线表面形 成绝缘膜之后上述修复方法无法适用，并且在工程内存在着相当大的断线漏检 几率， 一旦在覆盖绝缘膜后发现存在断线，则只能依靠特殊设计及后续工艺来 对断线进行修复。针对目前在阵列侧对已经完成绝缘膜覆盖的断线进行修复的 方式简单说明如下首先找出阵列侧已经完成绝缘膜覆盖的断线发生的地方， 其次利用高能激光对断线处两侧金属上方的绝缘膜进行打击，以去除表面的绝 缘膜，漏出导电层-,然后通过激光CVD在表面覆盖金属导电膜而使得原先断开容易与环境气体发生反应会在高温下容易被气化或受热不均飞溅而导致导电介 质缺失而影响接触特性等缺点。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，该修复方法 通过沉积导电层和断线金属电气导通的方式进行修复断线金属。为达到上述目的，本专利技术提供一种，该液晶 显示装置中包括第 一绝缘层和第二绝缘层，位于第 一绝缘层中间的第 一导电层， 第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第 三导电层，其特征在于，其修复方法包括以下步骤步骤a，利用检测设备检测第二导电层中断线发生的位置；步骤b，在保护性气体的保护下对第二导电层断 线区域上方进行沉积导电层的淀积；步骤c，在完成阵列基板和彩膜基板制造之 后，利用激光聚焦熔接将沉积导电层和第二导电层导通。本专利技术的另一技术方案是提供一种，该液晶 显示装置中包括第一绝缘层和第二绝缘层，位于第一绝缘层中间的第一导电层， 第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第 三导电层，其特征在于，其修复方法包括以下步骤步骤a，利用检测设备检测 第二导电层中断线发生的位置；步骤b,在保护性气体的保护下对第二导电层断 线区域上方进行沉积导电层的淀积；步骤c，在整个熔接部分周围用保护性气体 进行包围，激光从淀积的导电层侧入射将沉积导电层和第二导电层导通。本专利技术的另一技术方案是提供一种，该液晶 显示装置中包括第一绝缘层和第二绝缘层，位于第一绝缘层中间的第一导电层， 第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第 三导电层，其特征在于，其修复方法包括以下步骤步骤a，利用^r测设备检测 第二导电层中断线发生的位置；步骤b，在保护性气体的保护下对第二导电层断 线区域上方进行沉积导电层的淀积；步骤c，在整个熔接部分周围用保护性气体 进行包围，激光从第一绝缘层侧入射将沉积导电层和第二导电层导通。本专利技术的另一技术方案是提供一种，该液晶 显示装置中包括第 一绝缘层和第二绝缘层，位于第 一绝缘层中间的第 一导电层， 第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第 三导电层，其特征在于，其修复方法包括以下步骤步骤a，利用检测设备检测 第二导电层中断线发生的位置；步骤b,利用激光熔化第二导电层的金属将该金 属膨胀刺穿第二绝缘层；步骤c,在保护性气体的保护下对第二导电层断线区域 上方进行沉积导电层的淀积。本专利技术由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点 和积极效果本专利技术修复方法在阵列制作过程中断线不良发生后通过沉积导电 层和破坏绝缘膜而使断线金属及在上方局部制作的沉积导电层电气导通，从而提尚产品良品率。附图说明图1为液晶显示装置发生断线的结构示意图2为本专利技术断线^修复方法的第一实施例沉积导电层后的示意图3为本专利技术断线修复方法的第一实施例激光熔接的示意图4为本专利技术断线修复方法的第一实施例修复后的示意图5为本专利技术断线^f奮复方法的第二实施例沉积导电层后的示意图6为本专利技术断线修复方法的第二实施例修复后的示意图7为本专利技术断线修复方法的第三实施例激光熔接的的示意图8为本专利技术断线修复方法的第四实施例激光熔接的的示意图9为本专利技术断线修复方法的第四实施例沉积导电层后的示意图。具体实施例方式以下将结合附图对本专利技术的作进一步的详细 描述。如图1，在液晶显示装置中，第一导电层1位于第一绝缘层2中间，第一 绝缘层2与第二绝缘层4之间具有第二导电层3,位于第二绝缘层4 一边上具有 第三导电层5,但是往往第二导电层3容易发生断线，如图1的断线发生处101。 通过检测设备，如SIMADZU公司产的测试设备PS5000或0HT公司产的GX-3设 备等，检测出如图1的断线发生处101。实施例1如图2所示，实施例1的修复方法通过激光化学气相沉积(Chemical Vapor102的淀积， 一般该沉积导电层为金属，并且以钨金属最为普遍。经检本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置断线的修复方法，该液晶显示装置中包括第一绝缘层和第二绝缘层，位于第一绝缘层中间的第一导电层，第一绝缘层与第二绝缘层之间具有第二导电层，位于第二绝缘层一边上具有第三导电层，其特征在于，其修复方法包括以下步骤： 步骤ａ，利用检测设备检测第二导电层中断线发生的位置； 步骤ｂ，在保护性气体的保护下对第二导电层断线区域上方进行沉积导电层的淀积； 步骤ｃ，在完成阵列基板和彩膜基板制造之后，利用激光聚焦熔接将沉积导电层和第二导电层导通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦锋，
申请(专利权)人：上海广电NEC液晶显示器有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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