本申请提供了一种多硅片集成电路器件，其中，包括两个以上硅片，所述两个以上硅片上包括至少一类目标输入输出模块，其中所述目标输入输出模块为所述两个以上硅片上功能相同的输入输出模块，所述两个以上硅片中不同硅片上的同一类所述目标输入输出模块短接在一起并连接至一个与该类目标输入输出模块对应的ESD保护电路。本申请实施例将功能相同的目标输入输出模块连接到一个对应的ESD保护电路，可大大降低ESD保护电路占据的多硅片集成电路器件的面积，降低制造成本，并且功能相同的目标输入输出模块连接到一个ESD保护电路，避免目标输入输出模块连接的ESD保护电路并联，可大大降低该目标输入输出模块的寄生电容，提升该目标输入输出模块的工作速度。标输入输出模块的工作速度。标输入输出模块的工作速度。
【技术实现步骤摘要】
多硅片集成电路器件及其设计方法
[0001]本申请涉及集成电路
，具体而言，涉及一种多硅片集成电路器件及其设计方法。
技术介绍
[0002]随着对集成电路功能的要求越来越高，集成电路器件的集成度也越来越高，多芯片封装技术的使用越来越广泛。多芯片封装技术就是将多个独立的芯片的硅片集中封装在一个管壳中，形成一颗功能强大的高度集成的集成电路器件。根据功能的需要，封装在一个管壳中的硅片可以实现功能不同的芯片，可以是功能部分相同的芯片，也可以是功能完全相同的芯片。
[0003]集成电路器件设计及制造都需要进行静电保护（ESD）电路设计，现有技术中，集成电路器件中的每个硅片均需要对硅片上的每个输入输出模块进行ESD保护电路设计，对每个硅片来说，根据输入输出模块的数目，一个硅片上ESD保护电路的面积可以占到该硅片面积的1%-50%，对整个集成电路器件来说，ESD保护电路占用了大量的面积资源，提高了集成电路器件的制造成本。并且，当ESD保护电路占用较大的面积资源时，其寄生电容也比较大，尤其是当不同硅片上具有功能相同的输入输出模块时，相同功能的输入输出模块连接的ESD保护电路并联在一起，会导致该输入输出模块上的总寄生电容成倍增大，巨大的寄生电容将使该输入输出模块的工作速度急剧下降。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种多硅片集成电路器件及其设计方法，能够减少多硅片集成电路器件中ESD保护电路的占用面积，降低多硅片集成电路器件的制造成本，并且可以降低输入输出模块的寄生电容，提升输入输出模块的工作速度。
[0005]根据本申请的一个方面，本申请提供了一种多硅片集成电路器件，包括两个以上硅片，所述两个以上硅片上包括至少一类目标输入输出模块，其中所述目标输入输出模块为所述两个以上硅片上功能相同的输入输出模块，所述两个以上硅片中不同硅片上的同一类所述目标输入输出模块短接在一起并连接至一个与该类目标输入输出模块对应的ESD保护电路。
[0006]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片中的一个硅片上。
[0007]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片之外的独立的硅片上。
[0008]一种可能的实施方式中，针对每一类目标输入输出模块，将该类目标输入输出模块连接的ESD保护电路设置在与该类目标输入输出模块对应的所述独立的硅片上。
[0009]一种可能的实施方式中，每一类目标输入输出模块连接的ESD保护电路设置在同一个所述独立的硅片上。
[0010]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路可采用二极管结构、金属氧化物半导体（MOS）管脚或晶闸管（SCR）结构。
[0011]第二方面，本申请还提供了一种多硅片集成电路器件的设计方法，包括：确定两个以上硅片上的至少一类目标输入输出模块，所述两个以上硅片包含在所述多硅片集成电路器件中，所述目标输入输出模块为所述两个以上硅片上功能相同的输入输出模块；针对每一类目标输入输出模块，将不同硅片上的该类目标输入输出模块短接在一起；将该类目标输入输出模块连接至所述目标输入模块对应的ESD保护电路。
[0012]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片中的一个硅片上。
[0013]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片之外的独立的硅片上。
[0014]一种可能的实施方式中，所述ESD保护电路可采用二极管结构、金属氧化物半导体（MOS）管脚或晶闸管（SCR）结构。
[0015]基于上述任一方面，本申请将不同硅片上功能相同的目标输入输出模块短接在一起，并连接到与该目标输入输出模块对应的一个ESD保护电路上，相对于现有技术中每个输入输出模块均配有一个ESD保护电路，本申请将功能相同的目标输入输出模块连接到一个对应的ESD保护电路，可大大降低ESD保护电路占据的多硅片集成电路器件的面积，降低制造成本，并且功能相同的目标输入输出模块连接到一个ESD保护电路，避免目标输入输出模块连接的ESD保护电路并联，可大大降低该目标输入输出模块的寄生电容，提升该目标输入输出模块的工作速度。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1示出了现有技术中的一种多硅片集成电路器件的结构图；图2示出了本申请实施例所提供的一种多硅片集成电路器件的结构图；图3示出了本申请实施例所提供的另一种多硅片集成电路器件的结构图；图4示出了本申请实施例所提供的又一种多硅片集成电路器件的结构图；图5示出了本申请实施例所提供的又一种多硅片集成电路器件的结构图；图6示出了本申请实施例所提供的一种多硅片集成电路器件的设计方法的流程图。
具体实施方式
[0018]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操
作。应该理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
[0019]另外，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]需要说明的是，本申请实施例中将会用到术语“包括”，用于指出其后所声明的特征的存在，但并不排除增加其它的特征。
[0021]集成电路设计中，使用光刻技术将用户设计制备在晶圆上，晶圆经过切割后形成独立的硅片，最后将硅片封装在合适的管壳中，将硅片上的输入输出模块连线至管脚上，形成一颗集成电路芯片。随着对集成电路功能的要求越来越高，集成电路器件的集成度也越来越高，多芯片封装技术的使用越来越广泛。多芯片封装技术就是将多个独立的芯片的硅片集中封装在一个管壳中，形成一颗功能强大的高度集成的集成电路器件。根据功能的需要，封装在一个管壳中的硅片可以实现功能不同的芯片，可以是功能部分相同的芯片，也可以是功能完全相同的芯片。
[0022]集成电路器件设计及制造都需要进行静电保护（ESD）电路设计，现有技术中本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多硅片集成电路器件，其特征在于，包括：两个以上硅片，所述两个以上硅片上包括至少一类目标输入输出模块，其中所述目标输入输出模块为所述两个以上硅片上功能相同的输入输出模块，所述两个以上硅片中不同硅片上的同一类所述目标输入输出模块短接在一起并连接至一个与该类目标输入输出模块对应的ESD保护电路。2.根据权利要求1所述的多硅片集成电路器件，其特征在于，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片中的一个硅片上。3.根据权利要求1所述的多硅片集成电路器件，其特征在于，所述ESD保护电路设置在所述两个以上硅片之外的独立的硅片上。4.根据权利要求3所述的多硅片集成电路器件，其特征在于，针对每一类目标输入输出模块，将该类目标输入输出模块连接的ESD保护电路设置在与该类目标输入输出模块对应的所述独立的硅片上。5.根据权利要求3所述的多硅片集成电路器件，其特征在于，每一类目标输入输出模块连接的ESD保护电路设置在同一个所述独立的硅片上。6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：马树永，
申请(专利权)人：伟芯科技绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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