microLED显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种microLED显示面板及其制作方法，包括microLED背板以及设置在所述microLED背板上的microLED芯片；所述microLED背板至少包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；其中，所述第一金属层包括栅极电极层；所述第二金属层包括源漏极，数据线和外围走线；所述第二金属层包括第一子金属层一和第二子金属层；所述第三金属层设置在所述第二子金属层的上方；所述第三金属层的上层为金属铜，所述第三金属层的下层为金属铝/金属钼/金属钛或其金属合金，所述microLED芯片设置在所述第三金属层的上方。第三金属层的上方。第三金属层的上方。

【技术实现步骤摘要】
micro LED显示面板及其制作方法


[0001]本申请涉及一种显示器
，尤其涉及一种microLED显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro light emitting diode，简称MicroLED)通常是指在传统MicroLED芯片结构基础上，将MicroLED芯片尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸，将红、绿、蓝三色MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称COMS)上，则形成了能够实现全彩显示的微器件。此种显示器具有独立控制的显示画素，具有独立发光控制、高辉度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点，并且MicroLED微显示器件由于具有自发光的技术特性，还可以实现柔性、透明显示等，而其耗电量仅约为液晶面板的10％。
[0003]Micro LED是新一代显示技术，是LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于100微米，与OLED一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光。Mini/MicroLED(简称MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。
[0004]在MLED显示技术中，背板技术作为关键技术，优化背板技术对于MLED显示技术至关重要。常规背沟道TFT背板技术采用6道光罩的技术，其中第二金属层使用金属钼/金属铜作为LED绑定平面，ITO作为COF绑定保护层，防止金属铜氧化。但是，该制程存在制程温度较低，钝化层成膜温度提高及后续钝化层制程的热退火制程容易造成金属铜电极氧化甚至脱落，影响电极导电性能。此外，金属氧化物半导体所需热处理温度随材料成分变化，部分氧化物需要高温制程，该技术不能更好的兼容。若为适应高温制程，使用金属钼/金属钛/金属镍单质或其合金等材料作为第二金属层的上层隔绝层，虽具备良好的热稳定性，且抗氧化能力强，可以提高制程温度，但是，该合金与LED绑定所需锡膏结合力较差，影响绑定效果，导致LED的绑定结果较差。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种microLED显示面板及其制作方法，通过在第二金属层上设置第三金属层，第三金属层的上层为与LED绑定所需要的锡膏结合力较好金属铜，可以提高制程温度以及提高了与LED绑定的效果。
[0006]本专利技术实施例提供了一种microLED显示面板，所述microLED显示面板包括microLED背板以及设置在所述microLED背板上的microLED芯片；
[0007]所述microLED背板至少包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；其中，所述第一金属层包括栅极电极层；所述第二金属层包括源漏极，数据线和外围走线；所述第二金
属层包括第一子金属层和第二子金属层；所述第三金属层设置在所述第二子金属层的上方；
[0008]所述第三金属层的上层为金属铜，所述第三金属层的下层为金属铝/金属钼/金属钛或其金属合金，所述microLED芯片设置在所述第三金属层的上方。
[0009]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，所述microLED背板还包括：玻璃基板，栅极绝缘层，有源层，以及钝化层。
[0010]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，在所述玻璃基板上设置所述第一金属层，所述第一金属层的材料为金属铝/金属钼/金属钛/金属镍或其金属合金。
[0011]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，所述栅极绝缘层覆盖所述第一金属层，所述栅极绝缘层的膜层材质为SiOx，SiOx/SiNx叠层，或SiNx/SiOx叠层，或SiOx与SiNx、SiON相互叠层，或SiOx、SiNx与Al2O3叠层，或AlN。
[0012]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，在所述栅极绝缘层上设置有源层，所述有源层为IGZO或IGZTO或IZO或其他半导体金属氧化物。
[0013]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，所述第二金属层部分设置在所述有源层上，构成所述源漏极；所述第二金属层的所述第一子金属层15通过过孔与所述第一金属层相连接；所述第二金属层为金属钼/金属钛/金属镍或其金属合金。
[0014]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板，所述钝化层覆盖所述第二金属层以及所述有源层；所述钝化层的膜层材质为SiOx，SiOx/SiNx叠层，或SiNx/SiOx叠层，或SiOx与SiNx、SiON相互叠层，或SiOx、SiNx与Al2O3叠层，或AlN。
[0015]本专利技术实施例还提供一种microLED显示面板的制作方法，包括以下步骤：
[0016]步骤S1、在玻璃基板上沉积第一金属层，形成栅极电极层；
[0017]步骤S2、在所述第一金属层上沉积形成栅极绝缘层；
[0018]步骤S3、刻蚀所述栅极绝缘层形成一个过孔，暴露出所述第一金属层；
[0019]步骤S4、沉积半导体金属氧化物形成有源层，并刻蚀形成有源层沟道；
[0020]步骤S5、沉积第二金属层，并刻蚀形成源漏极、数据线以及外围走线；
[0021]步骤S6、沉积形成钝化层；
[0022]步骤S7、刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上开孔暴露出部分所述第二金属层，形成LED绑定面；
[0023]步骤S8、在暴露出的部分所述第二金属层上沉积第三金属层，并在所述第三金属层上刻蚀形成LED绑定面；
[0024]步骤S9、刻蚀所述钝化层，在所述钝化层上开孔暴露出另一部分所述第二金属层，形成COF绑定面；
[0025]步骤S10、在所述第三金属层上贴装microLED芯片。
[0026]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板的制作方法，所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层相连接；所述第二金属层为金属钼/金属钛/金属镍或其金属合金。
[0027]根据本专利技术实施例所提供的microLED显示面板的制作方法，所述第三金属层的上层为金属铜，所述第三金属层的下层为金属铝/金属钼/金属钛或其金属合金。
[0028]本专利技术的有益效果为：本专利技术实施例所提供的一种microLED显示面板及其制作方法，通过在第二金属层上新增设一层第三金属层，所述第三金属层是由复合金属构成的，所
述第三金属层的上层由金属铜构成，所述第三金属层的下层由金属铝/金属钼/金属钛或其金属合金构成。所述第三金属层的上层金属铜与microLED芯片绑定所需要的锡膏的结合力比较好，可以有效的解决因所述第二层金属采用金属钼/金属钛/金属镍或其金属合金而导致与锡膏结合力较差的问题。采用了所述第三金属层后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种microLED显示面板，其特征在于，所述microLED显示面板包括microLED背板以及设置在所述microLED背板上的microLED芯片；所述microLED背板至少包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层；其中，所述第一金属层包括栅极电极层；所述第二金属层包括源漏极，数据线和外围走线；所述第二金属层包括第一子金属层和第二子金属层；所述第三金属层设置在所述第二子金属层的上方；所述第三金属层的上层为金属铜，所述第三金属层的下层为金属铝/金属钼/金属钛或其金属合金，所述microLED芯片设置在所述第三金属层的上方。2.根据权利要求1所述的microLED显示面板，其特征在于，所述microLED背板还包括：玻璃基板，栅极绝缘层，有源层，以及钝化层。3.根据权利要求2所述的microLED显示面板，其特征在于，在所述玻璃基板上设置所述第一金属层，所述第一金属层的材料为金属铝/金属钼/金属钛/金属镍或其金属合金。4.根据权利要求3所述的microLED显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层覆盖所述第一金属层，所述栅极绝缘层的膜层材质为SiOx，SiOx/SiNx叠层，或SiNx/SiOx叠层，或SiOx与SiNx、SiON相互叠层，或SiOx、SiNx与Al2O3叠层，或AlN。5.根据权利要求4所述的microLED显示面板，其特征在于，在所述栅极绝缘层上设置有源层，所述有源层为IGZO或IGZTO或IZO或其他半导体金属氧化物。6.根据权利要求5所述的microLED显示面板，其特征在于，所述第二金属层部分设置在所述有源层上，构成所述源漏极；所述第二金属层的所述第一子金属层通过过孔与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅雪茹，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：