阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]现有阵列基板制备过程中，在金属层制备时，会采用光刻胶设置在金属层上，在金属层刻蚀完成后，需要对光刻胶进行剥离，对光刻胶进行剥离时，会采用光刻胶剥离液对光刻胶进行剥离，但由于光刻胶剥离液容易腐蚀非晶氧化物，导致金属层下的金属阻挡层被腐蚀，金属阻挡层出现掏空现象。
[0003]所以，现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：
[0006]衬底；
[0007]金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
[0008]介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
[0009]在一些实施例中，所述金属层包括栅极层，所述栅极层刻蚀形成有栅极，所述介电层设置在所述栅极侧面。
[0010]在一些实施例中，所述金属层包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光图案，所述介电层设置在所述遮光图案侧面。
[0011]在一些实施例中，所述金属层的材料包括铜。
[0012]在一些实施例中，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。
[0013]在一些实施例中，所述介电层的厚度范围等于所述金属层的厚度的四分之一至三分之一。
[0014]在一些实施例中，所述金属阻挡层的材料包括氧化钼、氧化铟锌中的一种。
[0015]同时，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，该阵列基板制备方法包括：
[0016]提供衬底；
[0017]在所述衬底上使用金属氧化物形成金属阻挡层；
[0018]在所述金属阻挡层上形成金属层；所述金属阻挡层和金属层组成金属叠层；
[0019]在所述金属层上转印光刻胶，并对所述光刻胶曝光显影形成光刻胶图案；
[0020]对所述金属层和所述金属阻挡层进行刻蚀，形成有斜坡；
[0021]去除所述斜坡上方的所述光刻胶，并对所述光刻胶进行剥离处理，提高所述光刻胶的粗糙度；
[0022]在所述光刻胶上使用非金属氧化物形成介电层；所述介电层覆盖在所述斜坡上；
[0023]采用光刻胶剥离液对所述光刻胶进行剥离。
[0024]同时，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
[0025]衬底；
[0026]金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；
[0027]介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。
[0028]在一些实施例中，所述显示面板包括液晶显示面板和有机发光二极管显示面板中的一种。
[0029]有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、金属叠层和介电层，所述金属叠层设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物，所述介电层设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层；通过在金属层与金属阻挡层的斜坡处形成介电层，使得介电层能够覆盖在金属阻挡层上，从而使得在使用光刻胶剥离液剥离光刻胶时，介电层能够避免光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，从而保护金属阻挡层，解决了现有阵列基板制备过程中存在光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层，导致金属阻挡层出现掏空的问题。
附图说明
[0030]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0031]图1为现有阵列基板中金属层和金属阻挡层刻蚀后的示意图；
[0032]图2为现有阵列基板的光刻胶剥离后的示意图。
[0033]图3为本申请实施例提供的阵列基板的第一示意图。
[0034]图4为本申请实施例提供的阵列基板的第二示意图。
[0035]图5为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程图。
[0036]图6为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第一示意图。
[0037]图7为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的第二示意图。
[0038]图8为本申请实施例提供的显示面板的示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0041]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0042]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；金属叠层，设置于所述衬底上，所述金属叠层包括金属层和金属阻挡层，所述金属叠层图案化形成有金属图案和金属阻挡图案，并形成有斜坡，所述金属层设置于所述金属阻挡层远离所述衬底的方向上，所述金属阻挡层的材料包括金属氧化物；介电层，设置于所述斜坡上，所述介电层的材料包括非金属氧化物，所述介电层用于防止光刻胶剥离液腐蚀金属阻挡层。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括栅极层，所述栅极层刻蚀形成有栅极，所述介电层设置在所述栅极侧面。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层包括遮光层，所述遮光层刻蚀形成有遮光图案，所述介电层设置在所述遮光图案侧面。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层的厚度范围等于所述金属层的厚度的四分之一至三分之一。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属阻挡层的材料包括氧化钼、氧化铟锌中的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：