一种微型显示器件制造技术

本实用新型专利技术属于微小发光器件包括：衬底基片、限制层、隔离沟道、发光层、电极、光阑、保护层。在超高亮度发光芯片上光刻、蒸发、退火形成上电极；在上表面溅射、光刻形成发光二极管图形，刻蚀形成上隔离沟道；在下表面光刻、蒸发下电极，刻蚀形成背隔离沟道，腐蚀掩蔽层后退火；在上表面光刻形成光阑，并制作透光保护层；在下表面光刻形成背面保护层。采用无机主动发光二极管芯片制备微显示器件结构简单、牢固，不采用外部照明光源；采用无机发光二极管芯片材料制备微显示器件，克服了有机发光器件驱动电流低而限制光输出强度的问题，提高了光输出的强度。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微小发光器件，涉及一种微型显示件。
技术介绍
通常的微型显示系统是基于液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)技术。本技术要解决1、液晶显示通常需要一个外部照明光源，使得结构复杂的问题。2、尽管有机发光二极管OLED也是发光器件，但它们必须在比半导体LED低得多的驱动电流下工作，从而限制光输出强度，使得光输出强度降低的问题。
技术实现思路
本技术如图1和图2所示包括有衬底基片(1)、下限制层(2)、背隔离沟道(3)、发光层(4)、上限制层(5)、上电极(6)、上隔离沟道(7)、下电极(8)、光阑(9)、透光保护层(10)、背面保护层(11)，下限制层(2)位于衬底基片(1)的上表面，若干个背隔离沟道(3)位于上限制层(5)的下方，并将衬底基片(1)、下限制层(2)、发光层(4)分割成若干个部分，发光层(4)位于下限制层(2)的上表面，上限制层(5)位于发光层(4)的上表面，上电极(6)位于上限制层(5)的上表面，光阑(9)填充于上隔离沟道(7)，透光保护层(10)位于光阑(9)的上表面，下电极(8)位于衬底基片(1)的下表面，背面保护层(11)位于下电极(8)的下表面。本技术的工作过程载流子从上电极和下电极注入，正负载流子在有源层复合发光并从上表面透出；由于芯片采用pn结工作，具有二极管电流电压的非线性特性，发光亮度也随注入电流的大小具有非线性特性。利用发光二极管的这种p-n结特性和矩阵寻址实现发光显示。本技术的优点是采用了无机主动发光二极管芯片制备微显示器件结构简单、牢固，不需用外部照明光源；采用了无机发光二极管芯片制备微显示器件，克服了有机发光器件驱动电流低而限制光输出强度的问题，提高了光输出的强度，从而提供一种自发光、体积小、功耗低并基于高亮度发光芯片上的微型显示器。附图说明图1是本技术器件的主视图(沿背隔离沟道方向)图2是图1的左视图(沿上隔离沟道方向)图3是图1的俯视图具体实施方式如上述附图所示，由制作工艺形成背隔离沟道(3)、下电极(8)，形成上隔离沟道(7)，向光刻胶掺入一定量有色纳米绝缘颗粒并通过光刻形成光阑(9)，用透明环氧树脂形成透光保护层(10)，用环氧树脂形成背面保护层(11)。实施例1以AlGaInP为发光层的高亮度发光芯片时，衬底基片(1)采用n-GaAs作衬底；下限制层(2)采用n-AlGaInP，其中n-表示受施主掺杂；发光层(4)采用undoped-AlGaInP，其中undoped-表示非故意掺杂；上限制层(5)由p-AlGaInP、p-GaAlAs及p-GaAs三层组成其中p-表示受主掺杂；上电极(6)采用金属电极，制备完上电极(6)后还要去除金属电极两侧的p-GaAs。显示器发光颜色从红光至黄光。实施例2以AlGaAs为发光层的高亮度发光芯片时衬底基片(1)采用n-GaAs作衬底，n-表示施主掺杂；下限制层(2)采用p-GaAlAs，材料组份为Ga0.3Al0.7As，p-表示受主掺杂；发光层(4)为active-GaAlAs，材料组份为Ga0.65Al0.35As；active-表示为有源层；上限制层(5)采用n-GaAlAs，材料组份为Ga0.3Al0.7As，n-表示受施主掺杂。显示器发光颜色为红光。实施例3如图5，衬底基片(1)采用p-GaAlAs透明衬底，组份为Ga1-xAlxAs(x＝0.45～0.6)；下限制层(2)采用p-AlGaAs，组份为Ga0.3Al0.7As；发光层(4)为active-GaAlAs，组份比为a0.65Al0.35As；上限制层(5)采用n-GaAlAs上限制层，组份比为Ga0.3Al0.7As。上电极(6)采用金属电极。权利要求1.一种微型显示器件，其特征在于包括有衬底基片(1)、下限制层(2)、背隔离沟道(3)、发光层(4)、上限制层(5)、上电极(6)、上隔离沟道(7)、下电极(8)、光阑(9)、透光保护层(10)、背面保护层(11)，下限制层(2)位于衬底基片(1)的上表面，若干个背隔离沟道(3)位于上限制层(5)的下方，并将衬底基片(1)、下限制层(2)、发光层(4)分割成若干个部分，发光层(4)位于下限制层(2)的上表面，上限制层(5)位于发光层(4)的上表面，上电极(6)位于上限制层(5)的上表面，光阑(9)填充于上隔离沟道(7)，透光保护层(10)位于光阑(9)的上表面，下电极(8)位于衬底基片(1)的下表面，背面保护层(11)位于下电极(8)的下表面。专利摘要本技术属于微小发光器件包括:衬底基片、限制层、隔离沟道、发光层、电极、光阑、保护层。在超高亮度发光芯片上光刻、蒸发、退火形成上电极;在上表面溅射、光刻形成发光二极管图形,刻蚀形成上隔离沟道;在下表面光刻、蒸发下电极,刻蚀形成背隔离沟道,腐蚀掩蔽层后退火;在上表面光刻形成光阑,并制作透光保护层;在下表面光刻形成背面保护层。采用无机主动发光二极管芯片制备微显示器件结构简单、牢固,不采用外部照明光源;采用无机发光二极管芯片材料制备微显示器件,克服了有机发光器件驱动电流低而限制光输出强度的问题,提高了光输出的强度。文档编号G02F1/01GK2505868SQ0125137公开日2002年8月14日 申请日期2001年11月9日 优先权日2001年11月9日专利技术者梁静秋, 王维彪 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型显示器件，其特征在于包括有：衬底基片（１）、下限制层（２）、背隔离沟道（３）、发光层（４）、上限制层（５）、上电极（６）、上隔离沟道（７）、下电极（８）、光阑（９）、透光保护层（１０）、背面保护层（１１），下限制层（２）位于衬底基片（１）的上表面，若干个背隔离沟道（３）位于上限制层（５）的下方，并将衬底基片（１）、下限制层（２）、发光层（４）分割成若干个部分，发光层（４）位于下限制层（２）的上表面，上限制层（５）位于发光层（４）的上表面，上电极（６）位于上限制层（５）的上表面，光阑（９）填充于上隔离沟道（７），透光保护层（１０）位于光阑（９）的上表面，下电极（８）位于衬底基片（１）的下表面，背面保护层（１１）位于下电极（８）的下表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁静秋，王维彪，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：82[中国|长春]