用于制造电子电路组件的方法以及电子电路组件技术

提出了一种用于制造电子电路组件的方法，该方法包括：为第一电子组件提供一个或多个导电的第一触点和一个或多个绝缘的第一支撑元件；为第二电子组件提供一个或多个导电的第二触点和一个或多个绝缘的第二支撑元件；构造具有中介层基板、导电的第三触点、一个或多个导电的第四触点、一个或多个绝缘的第三支撑元件、一个或多个导电的第五触点、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件的连接结构；将第一电子组件和第二电子组件连接到连接结构，其中第一触点电连接到第四触点，其中第一支撑元件机械连接到第三支撑元件，其中第二触点电连接到第五触点，并且其中第二支撑元件机械连接到第四支撑元件，使得第一电子组件、第二电子组件和连接结构电连接并且机械连接；去除中介层基板的一部分，使得第三触点暴露。使得第三触点暴露。使得第三触点暴露。

【技术实现步骤摘要】
用于制造电子电路组件的方法以及电子电路组件


[0001]本专利技术涉及一种用于制造三维电子电路组件，特别是三维集成电子电路组件的方法。三维集成被理解为电子组件的竖直机械连接和电连接。其中，三维集成电子电路组件的优点是，与二维系统相比，具有更高的封装密度和可实现的开关速度。后者一方面是由于各个电子组件之间的导电路径更短，并且另一方面是由于并行处理信息的可能性。

技术介绍

[0002]关于三维集成，已知的是构造贯穿基板的竖直触点。这种贯穿触点被称为通孔。如果基板由硅制成，则通常使用术语“贯穿硅通孔TSV”。
[0003]在专利US 6,548,351中描述的所谓的3DIC技术以及其他技术是具有可自由选择的贯穿硅通孔的三维集成中的最新技术。
[0004]在3DIC集成中，在处理过程中在对应的组件中制造贯穿硅通孔。在这种情况下，已知的是在完成所谓的前端工艺之后但在所谓的后端工艺之前制造贯穿硅通孔。然而，对于生产，3DIC集成非常复杂且成本很高。
[0005]所谓的2.5D技术已经被确立为是一种用于两个或多个芯片的更具成本效益但不那么有力的集成技术。已经在批量生产中成功使用的对应集成技术省略了组件中的贯穿硅通孔，并使用贯穿硅通孔中介层，该中介层用作水平相邻的(即并排布置的)芯片之间的竖直重布线装置。与3DIC技术的附加生产工艺模块相比，处理这些贯穿硅通孔中介层可能是更具成本效益的，然而，由于它需要非常复杂的半导体工艺，特别是用于贯穿硅通孔的绝缘和金属化的高分辨率光刻、高度各向异性干蚀刻工艺以及复杂的沉积工艺，因此其仍然是高成本的。
[0006]对于大多数目标应用而言，制造和集成这些贯穿硅通孔中介层是过于昂贵的。

技术实现思路

[0007]本专利技术涉及一种用于制造电子电路组件的方法，包括：
[0008]提供第一电子组件，其中一个或多个第一电子组件结构被构造在第一半导体基板上，其中第一重布线装置被构造在第一电子组件结构的背离第一半导体基板的侧部上，并且其中一个或多个绝缘的第一支撑元件和电连接到第一重布线装置的一个或多个导电的第一触点被构造在第一重布线装置的背离第一半导体基板的侧部上；
[0009]提供第二电子组件，其中一个或多个第二电子组件结构被构造在第二半导体基板上，其中第二重布线装置被构造在第二电子组件结构的背离第二半导体基板的侧部上，并且其中一个或多个绝缘的第二支撑元件和电连接到第二重布线装置的一个或多个导电的第二触点被构造在第二重布线装置的背离第二半导体基板的侧部上；
[0010]构造连接结构，其中导电的第三触点被构造在中介层基板的主侧部上，其中电连接到第三触点的第三重布线装置被构造在第三触点的背离中介层基板的侧部上，并且其中电连接到第三重布线装置的一个或多个导电的第四触点、一个或多个绝缘的第三支撑元
件、电连接到第三重布线装置的一个或多个导电的第五触点、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件被构造在第三重布线装置的背离中介层基板的侧部上；
[0011]将第一电子组件和第二电子组件连接到连接结构，其中第一触点电连接到第四触点，其中第一支撑元件机械连接到第三支撑元件，其中第二触点电连接到第五触点，并且其中第二支撑元件机械连接到第四支撑元件，使得第一电子组件、第二电子组件以及连接结构电连接并且机械连接；
[0012]去除中介层基板中位于中介层基板的背离第三重布线装置的侧部上的一部分，使得第三触点在第三触点的背离第三重布线装置的侧部上暴露。
[0013]在下文中，空间指示指的是第一电子组件、第二电子组件和连接结构的朝向，根据这些朝向，它们平行于地面对齐，其中第一触点和第二触点面向下方，并且第三触点面向上方。
[0014]第一电子组件和第二电子组件可以被构造为相似或不同的。例如，第一电子组件可以是处理器组件，并且第二电子组件可以是存储器组件。两个电子组件都可以借助于已知技术来制造。通过连接结构的适当构造，可以提供一个或多个另外的电子组件。
[0015]具体地，第一半导体基板和第二半导体基板可以各自由硅组成。
[0016]例如，第一触点和第二触点可以各自通过金属沉积、光刻和结构化来制造，或者通过在相应的重布线装置上的结构化金属化方法来制造，并且因此可以由金属组成。第一支撑元件和第二支撑元件可以由氧化物(例如氧化硅)组成。
[0017]第一重布线装置可以借助于已知技术来制造，并且可以包括一个或多个第一导体结构，每个第一导体结构各自被第一绝缘材料围绕。在这种情况下，第一触点和第一支撑元件可以机械连接到第一绝缘材料。
[0018]第二重布线装置也可以借助于已知技术来制造，并且可以包括一个或多个第二导体结构，每个第二导体结构各自被第二绝缘材料围绕。在这种情况下，第二触点和第二支撑元件可以机械连接到第二绝缘材料。
[0019]中介层基板可以由半导体(特别是硅)或非导体(例如玻璃)组成。
[0020]具体地，第一半导体基板、第二半导体基板和中介层基板可以以板状方式来构造。这里，主侧部是各自具有最大的表面积的两个相对的侧部。
[0021]例如，第三触点可以借助于金属沉积、光刻和结构化来制造，或者通过在中介层基板上的结构化金属化方法来制造，并且因此可以由金属组成。
[0022]第三重布线装置也可以借助于已知技术来制造，并且可以包括一个或多个第三导体结构，每个第三导体结构各自被第三绝缘材料围绕。
[0023]在构造第三重布线装置之后，第三触点被封闭在中介层基板和第三重布线装置之间，并且因此最初不能从外部进入。
[0024]例如，第四触点和第五触点可以各自通过金属沉积、光刻和结构化来制造，或者通过在第三重布线装置上的结构化金属化方法来制造，并且因此可以由金属组成。第三支撑元件和第四支撑元件可以由氧化物(例如氧化硅)组成。第四触点和第五触点以及第三支撑元件和第四支撑元件可以机械连接到第三绝缘材料。
[0025]这里，第一触点和第一支撑元件的几何布置可以与第四触点和第三支撑元件的几何布置相对应，使得可以促进将第一触点连接到第四触点并且将第一支撑元件连接到第三
支撑元件。
[0026]类似地，第二触点和第二支撑元件的几何布置可以与第五触点和第四支撑元件的几何布置相对应，使得可以促进将第二触点连接到第五触点并且将第二支撑元件连接到第四支撑元件。
[0027]具体地，将第一触点连接到第四触点、将第二触点连接到第五触点、将第一支撑元件连接到第三支撑元件、以及将第二支撑元件连接到第四支撑元件可以通过适当的键合方法来执行。
[0028]将第一触点连接到第四触点可以被实施为使得第一触点和第四触点相对于彼此齐平。将第二触点连接到第五触点可以被实施为使得第二触点和第五触点相对于彼此齐平。将第一支撑元件连接到第三支撑元件可以被实施为使得第一支撑元件和第三支撑元件相对于彼此齐平。将第二支撑元件连接到第四支撑元件可以被实施为使得第二支撑元件和第四支撑元件相对于彼此齐平。
[0029]第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造电子电路组件的方法(1)，包括：提供(S1)第一电子组件(2)，其中一个或多个第一电子组件结构(4)被构造在第一半导体基板(3)上，其中第一重布线装置(6)被构造在所述第一电子组件结构(4)的背离所述第一半导体基板(3)的侧部(5)上，并且其中一个或多个绝缘的第一支撑元件(9)和电连接到所述第一重布线装置(6)的一个或多个导电的第一触点(8)被构造在所述第一重布线装置(6)的背离所述第一半导体基板(3)的侧部(7)上；提供(S2)第二电子组件(12)，其中一个或多个第二电子组件结构(14)被构造在第二半导体基板(13)上，其中第二重布线装置(16)被构造在所述第二电子组件结构(14)的背离所述第二半导体基板(13)的侧部(15)上，并且其中一个或多个绝缘的第二支撑元件(19)和电连接到所述第二重布线装置(16)的一个或多个导电的第二触点(18)被构造在所述第二重布线装置(16)的背离所述第二半导体基板(13)的侧部(17)上；构造(S3)连接结构(22)，其中导电的第三触点(25)被构造在中介层基板(24)的主侧部(23)上，其中电连接到所述第三触点(25)的第三重布线装置(27)被构造在所述第三触点(25)的背离所述中介层基板(24)的侧部(26)上，并且其中电连接到所述第三重布线装置(27)的一个或多个导电的第四触点(29)、一个或多个绝缘的第三支撑元件(30)、电连接到所述第三重布线装置(27)的一个或多个导电的第五触点(31)、以及一个或多个绝缘的第四支撑元件(32)被构造在所述第三重布线装置(27)的背离所述中介层基板(24)的侧部(28)上；将所述第一电子组件(2)和所述第二电子组件(12)连接(S4)到所述连接结构(22)，其中所述第一触点(8)电连接到所述第四触点(29)，其中所述第一支撑元件(9)机械连接到所述第三支撑元件(30)，其中所述第二触点(18)电连接到所述第五触点(31)，并且其中所述第二支撑元件(19)机械连接到所述第四支撑元件(32)，使得所述第一电子组件(2)、所述第二电子组件(12)以及所述连接结构(22)电连接并且机械连接；去除(S5)所述中介层基板(24)中位于所述中介层基板(24)的背离所述第三重布线装置(27)的侧部(35)上的一部分，使得所述第三触点(25)在所述第三触点(25)的背离所述第三重布线装置(27)的侧部(36)上暴露。2.根据权利要求1所述的方法，其中在去除(S5)所述中介层基板(24)的所述一部分时，所述第三触点(25)用作工艺停止件。3.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述第一触点(8)连接(S4)到所述第四触点(29)时和/或在将所述第二触点(18)连接(S4)到所述第五触点(31)时，使用金属键合方法。4.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述第一支撑元件(9)连接(S4)到所述第三支撑元件(30)时和/或在将所述第二支撑元件(19)连接(S4)到所述第四支撑元件(32)时，使用氧化物键合方法。5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一触点(8)连接(S4)到所述第四触点(29)以及将所述第一支撑元件(9)连接到所述第三支撑元件(30)是借助于第一混合键合方法同时执行的；和/或其中将所述第二触点(18)连接到所述第五触点(31)以及将所述第二支撑元件(19)连接到所述第四支撑元件(32)是借助于第二混合键合方法同时执行的。6.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述第一电子组件(2)连接(S4)到所述连接结
构(22)之前，在所述连接结构(22)上构造至少一个第一调整标记，并且在所述第一电子组件(2)上构造至少一个第二调整标记，其中在将所述第一电子组件(2)连接(S4)到所述连接结构(22)时，所述第一调整标记和所述第二调整标记用于使所述第一电子组件(2)和所述连接结构(22)相对于彼此定位；和/或其中在将所述第二电子组件(12)连接(S4)到所述连接结构(22)之前，在所述连接结构(22)上构造至少一个第三调整标记，并且在所述第二电子组件(12)上构造至少一个第四调整标记，其中在将所述第二电子组件(12)连接(S4)到所述连接结构(22)时，所述第三调整标记和所述第四调整标记用于使所述第二电子组件(12)和所述连接结构(22)相对于彼此定位。7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第一触点(8)和所述第一支撑元件(9)被构造为使得它们至少部分地无间隙地彼此相邻；和/或其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第二触点(18)和所述第二支撑元件(19)被构造为使得它们至少部分地无间隙地彼此相邻。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第四触点(29)和所述第三支撑元件(30)被构造为使得它们至少部分地无间隙地彼此相邻；和/或其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第五触点(31)和所述第四支撑元件(32)被构造为使得它们至少部分地无间隙地彼此相邻。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第一支撑元件(9)中的一个被构造为使得它形成框定所述第一触点(8)的第一闭合框架结构，其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第三支撑元件(29)中的一个被构造为使得它形成框定所述第四触点(29)的第二闭合框架结构；和/或其中在所述电子电路组件(1)的剖视俯视图中，所述第二支撑元件(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得，
申请(专利权)人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会，
类型：发明
国别省市：