显示装置制造方法及图纸

公开了一种显示装置，该显示装置包括设置在显示区域中的像素。像素包括：发光元件，连接在第一电源与第二电源之间；第一晶体管，连接在第一电源与发光元件之间，用于响应于第一节点的电压来控制在发光元件中流动的驱动电流；以及至少一个开关晶体管，用于将数据信号或初始化电源的电压传输到第一节点。开关晶体管包括第一沟道区域、分别设置在第一沟道区域的相对侧处的第一导电区域和第二导电区域以及设置在第一沟道区域与第二导电区域之间的第一宽带隙区域。宽带隙区域。宽带隙区域。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请要求于2019年7月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0092503号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示装置及制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0003]显示装置使用设置在显示区域中的像素来显示图像。像素可以连接到扫描线和数据线，并且可以包括晶体管。例如，有源发光显示装置的像素可以包括发光元件、驱动晶体管和至少一个开关晶体管。
[0004]为了在每帧的发射时段期间在像素中表现期望的亮度，驱动晶体管的栅极电压应该保持稳定。然而，由于晶体管的特性，漏电流可能会发生在像素中。漏电流可能会引起驱动晶体管的栅极电压的变化，在这种情况下，在每个像素中不会充分地表现期望的亮度。
[0005]将理解的是，此
技术介绍
部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，此
技术介绍
部分也可以包括不是这里公开的主题的相应的有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或领会的内容的一部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0006]公开的实施例提供了一种能够有效地减小或防止像素的漏电流的显示装置及制造该显示装置的方法。
[0007]一种显示装置包括设置在显示区域中的像素。像素包括：发光元件，连接在第一电源与第二电源之间；第一晶体管，连接在第一电源与发光元件之间，用于响应于第一节点的电压来控制在发光元件中流动的驱动电流；以及至少一个开关晶体管，用于将数据信号或初始化电源的电压传输到第一节点。至少一个开关晶体管包括第一沟道区域、分别设置在第一沟道区域的相对侧处的第一导电区域和第二导电区域以及设置在第一沟道区域与第二导电区域之间的第一宽带隙区域。
[0008]在实施例中，第一沟道区域、第一导电区域和第二导电区域可以包括多晶硅，并且第一宽带隙区域可以包括非晶硅。
[0009]在实施例中，第一宽带隙区域可以具有约1.7eV的能带隙，并且第一沟道区域以及第一导电区域和第二导电区域可以具有约1.12eV的能带隙。
[0010]在实施例中，至少一个开关晶体管可以包括彼此串联连接的多个晶体管。
[0011]在实施例中，至少一个开关晶体管还可以包括：第二沟道区域，设置在第一沟道区域与第二导电区域之间；第三导电区域，设置在第一沟道区域与第二沟道区域之间；以及第二宽带隙区域，设置在第二沟道区域与第三导电区域之间。第一宽带隙区域可以设置在第一沟道区域与第三导电区域之间。
[0012]在实施例中，第一宽带隙区域可以与第一沟道区域和第三导电区域直接接触，并
且第二宽带隙区域可以与第二沟道区域和第三导电区域直接接触。
[0013]在实施例中，至少一个开关晶体管可以包括与第一沟道区域叠置的第一栅电极和与第二沟道区域叠置的第二栅电极。第一栅电极和第二栅电极可以彼此电连接。
[0014]在实施例中，至少一个开关晶体管还可以包括设置在第一沟道区域与第一导电区域之间的第二宽带隙区域。
[0015]在实施例中，第一宽带隙区域和第二宽带隙区域中的每者可以包括非晶硅。
[0016]在实施例中，至少一个开关晶体管可以包括以下中的至少一个：第二晶体管，连接在第一晶体管的第一电极与数据线之间，第二晶体管包括连接到扫描线的栅电极；第三晶体管，连接在第一晶体管的第二电极与第一节点之间，第三晶体管包括连接到扫描线的栅电极；以及第四晶体管，连接在第一节点与初始化电源之间，第四晶体管包括连接到第一控制线的栅电极。
[0017]在实施例中，第三晶体管可以包括第一沟道区域、第一导电区域、第二导电区域和第一宽带隙区域。
[0018]在实施例中，第三晶体管可以包括彼此串联连接的多个晶体管。
[0019]在实施例中，第三晶体管还可以包括：第二沟道区域，设置在第一沟道区域与第二导电区域之间；第三导电区域，设置在第一沟道区域与第二沟道区域之间；以及第二宽带隙区域，设置在第二沟道区域与第三导电区域之间。第一宽带隙区域可以设置在第一沟道区域与第三导电区域之间。
[0020]在实施例中，第三晶体管可以包括与第一沟道区域叠置的第一栅电极和与第二沟道区域叠置的第二栅电极。第一栅电极和第二栅电极可以共同连接到扫描线。
[0021]在实施例中，第四晶体管可以包括第一沟道区域、第一导电区域、第二导电区域和第一宽带隙区域。
[0022]在实施例中，第四晶体管可以包括彼此串联连接的多个晶体管。
[0023]在实施例中，第二晶体管可以包括第一沟道区域、第一导电区域、第二导电区域、第一宽带隙区域及设置在第一沟道区域与第一导电区域之间的第二宽带隙区域。
[0024]在实施例中，像素可以包括多个开关晶体管，并且预定数量的开关晶体管可以包括第一宽带隙区域。
[0025]一种制造包括开关晶体管的显示装置的方法包括：在开关晶体管区域中形成半导体图案；在半导体图案的第一区域和第二区域上分别设置第一掩模和第二掩模，并使半导体图案的剩余区域暴露；使半导体图案的剩余区域结晶以包括分离的与第一区域和第二区域对应的非晶区域以及与剩余区域对应的结晶区域；在半导体图案上形成第一绝缘膜；在结晶区域的区域上形成栅电极；以及以栅电极作为掩模用杂质掺杂结晶区域的另一区域。
[0026]在实施例中，开关晶体管可以包括彼此串联连接的多个晶体管。在这种情况下，晶体管的沟道区域之间的区域可以掺杂有杂质以形成导电区域，并且非晶区域可以形成在导电区域与沟道区域之间。
[0027]在实施例中，开关晶体管可以形成为单个晶体管。在这种情况下，非晶区域可以形成在与栅电极叠置的结晶区域的相对侧处。
附图说明
[0028]图1示出了根据实施例的显示装置。
[0029]图2和图3示出了根据实施例的像素。
[0030]图4和图5示出了根据实施例的开关晶体管。
[0031]图6和图7示出了根据实施例的开关晶体管。
[0032]图8A至图8I示出了根据实施例的制造显示装置的方法，并且示出了制造用于显示装置的开关晶体管的方法。
[0033]图9示出了根据实施例的包括开关晶体管的像素。
[0034]图10是示出了根据实施例的开关晶体管的漏电流特性的曲线图。
具体实施方式
[0035]尽管公开可以以各种方式修改并且具有附加的实施例，但是实施例在附图中示出，并且将主要在说明书中描述。然而，公开的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应当解释为包括包含在公开的精神和范围中的所有改变、等同物和替换物。
[0036]为了描述公开的实施例，可以不提供与描述不相关的一些部分，贯穿说明书，同样的附图标记指同样的元件。
[0037]在附图中，为了其更好理解清楚和易于描述，可以放大元件的尺寸和厚度。然而，公开不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域和其他元件的厚度。在附图中，为了更好理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括设置在显示区域中的像素，其中，所述像素包括：发光元件，连接在第一电源与第二电源之间；第一晶体管，连接在所述第一电源和所述发光元件之间，用于响应于第一节点的电压来控制在所述发光元件中流动的驱动电流；以及至少一个开关晶体管，用于将数据信号或初始化电源的电压传输到所述第一节点，其中，所述至少一个开关晶体管包括：第一沟道区域；第一导电区域和第二导电区域，分别设置在所述第一沟道区域的相对侧处；以及第一宽带隙区域，设置在所述第一沟道区域与所述第二导电区域之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一沟道区域、所述第一导电区域和所述第二导电区域包括多晶硅，并且所述第一宽带隙区域包括非晶硅。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个开关晶体管包括彼此串联连接的多个晶体管。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述至少一个开关晶体管还包括：第二沟道区域，设置在所述第一沟道区域与所述第二导电区域之间；第三导电区域，设置在所述第一沟道区域与所述第二沟道区域之间；以及第二宽带隙区域，设置在所述第二沟道区域与所述第三导电区域之间，并且所述第一宽带隙区域设置在所述第一沟道区域与所述第三导电区域之间。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，郭惠娜，金斗娜，金相燮，阮成进，李镕守，朱在焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：