多层陶瓷电子组件及其制造方法技术

本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。te/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。te/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件及其制造方法
[0001]本申请要求于2019年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0094257号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层陶瓷电子组件，更具体地，涉及一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。

技术介绍

[0003]通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电器件、压敏电阻和热敏电阻等)可包括：陶瓷主体，利用陶瓷材料形成；内电极，形成在陶瓷主体内；以及外电极，设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极。
[0004]在多层陶瓷电子组件中，多层陶瓷电容器包括：多个层叠的介电层；内电极，设置为彼此相对，且介电层介于内电极之间；以及外电极，电连接到内电极。
[0005]多层陶瓷电容器由于其小尺寸、高容量和易于安装而被广泛用作计算机、个人数字助理(PDA)、移动电话和其他移动通信设备的组件。
[0006]近来，根据具有高性能的电子设备的轻量化和小型化，对于电子组件也已有小型化以及具有高性能和高容量的需求。
[0007]特别地，同时实现小型化、高性能和高容量的方法是通过减小多层陶瓷电容器的介电层和内电极层的厚度来层叠大量的层。目前，介电层的厚度已经达到约0.6μm，并且正在进行介电层的减薄。
[0008]在这方面，内电极与电介质之间的界面接触的区域连续不断地增加；然而，由于金属与陶瓷之间的低粘附性，因此金属和陶瓷结合的区域易受分层和裂纹的影响。
>[0009]由于分层和裂纹导致多层陶瓷电容器的耐湿可靠性的劣化，因此需要一种用于确保关于材料或结构的高可靠性的新方法来解决这样的问题。

技术实现思路

[0010]本公开涉及一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
[0011]根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比(σte/σtd)满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
[0012]根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件的制造方法包括：制备包括陶瓷
粉末的陶瓷生片；使用包括导电金属颗粒和添加剂的导电膏在所述陶瓷生片上形成内电极图案；层叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片以形成陶瓷层叠体；并且烧制所述陶瓷层叠体以形成包括介电层和内电极的陶瓷主体，其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述内电极的平均厚度被称为te，且所述内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比(σte/σtd)满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
附图说明
[0013]通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：
[0014]图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图；
[0015]图2是示出沿着图1的线I-I'截取的多层陶瓷电容器的示意性截面图；
[0016]图3是图2的区域“A”的放大图；以及
[0017]图4是图3的区域“B”的放大图。
具体实施方式
[0018]在下文中，现在将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式进行例证，并且不应被解释为限于在此阐述的具体的示例性实施例。更确切地说，提供这些示例性实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。在附图中，为了清楚，可夸大元件的形状和尺寸。此外，在附图中，将通过相同的附图标记表示在专利技术构思的相同范围内具有相同功能的元件。
[0019]本公开的示例性实施例涉及一种陶瓷电子组件。使用陶瓷材料的电子组件包括电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等。在下文中，将描述多层陶瓷电容器作为陶瓷电子组件的示例。
[0020]图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的示意性透视图。
[0021]图2是示出沿着图1的线I-I'截取的多层陶瓷电容器的示意性截面图。
[0022]图3是图2的区域“A”的放大图。
[0023]图4是图3的区域“B”的放大图。
[0024]参照图1至图4，根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括陶瓷主体110、形成在陶瓷主体内的内电极121和122以及形成在陶瓷主体110的外部上的外电极131和132。
[0025]在示例性实施例中，图1的“长度方向”、“宽度方向”和“厚度方向”将被定义为“L”方向、“W”方向和“T”方向。“厚度方向”可用于与层叠介电层的方向(例如，“层叠方向”)相同的含义。
[0026]尽管没有特别限制，但是根据示例性实施例的陶瓷主体110可具有长方体形状。
[0027]陶瓷主体110可通过层叠多个介电层111而形成。
[0028]以烧结状态构成陶瓷主体110的多个介电层111可一体化在单个主体中，使得相邻的介电层111之间的边界可不容易显现。
[0029]介电层111可通过烧结包含陶瓷粉末的陶瓷生片而形成。
[0030]陶瓷粉末没有特别限制，只要其在本领域中常规使用即可。
[0031]尽管不限于此，但是陶瓷粉末可包含例如BaTiO3基陶瓷粉末。
[0032]BaTiO3基陶瓷粉末可以是钙(Ca)、锆(Zr)等包括在BaTiO3中的(Ba
1-x
Ca
x
)TiO3、Ba(Ti
1-y
Ca
y
)O3、(Ba
1-x
Ca
x
)(Ti
1-y
Zr
y
)O3或Ba(Ti
1-y
Zr
y
)O3等，但不限于此。
[0033]除了陶瓷粉末之外，陶瓷生片可包含过渡金属、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等。
[0034]介电层111的厚度可根据多层陶瓷电容器的电容设计而适当地改变。
[0035]例如，形成在两个相邻的内电极层之间的介电层111在烧结之后的厚度可以是0.4μm或更小，但不限于此。
[0036]在本公开的示例性实施例中，介电层111的厚度可指平均厚度。
[0037]介电层111的平均厚度为在陶瓷主体110的在宽度(W)方向上的中央部切割的长度-厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35，并且其中，所述陶瓷主体包括至少200个介电层。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述平均厚度以及所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部切割的长度-厚度方向截面中获取的平均厚度。3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为0.41μm或更小。4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述平均厚度为0.4μm或更小。5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个内电极的在间距为10nm或更小的至少10个位置的厚度的标准偏差。6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个介电层的在间距为10nm或更小的至少10个位置处的厚度的标准偏差。7.一种制造多...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，尹炯植，申旴澈，李濬云，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：