制造电子器件的方法技术

本申请涉及一种制造聚环烯烃层的方法、通过这样的方法制成并包含这样的层的电子器件，以及用于制造这样的聚环烯烃层的制剂。以及用于制造这样的聚环烯烃层的制剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造电子器件的方法


[0001]本申请涉及一种制造聚环烯烃层的方法、通过这样的方法制成并包含这样的层的电子器件，以及用于制造这样的聚环烯烃层的制剂。
[0002]背景
[0003]电子器件，特别是有机电子器件，对环境影响敏感，尤其是对氧气和水。如果没有受到保护，它们的性能将随时间经过退化，在一些情况下甚至相当迅速。这样的退化阻碍商业应用，因为使用者通常期望这些器件具有至少几年的寿命。
[0004]因此，随着有机电子器件如有机发光二极管、有机薄膜晶体管或有机光伏电池的发展，保护它们免受有害影响如水和/氧气影响的概念已得到发展。为了对这些有害影响提供充分防护，当前的概念通常需要无机层和有机层的组合。但是，这种方法的缺点在于这些层，特别是有机层，需要足够厚才能消除或至少减少层中的针孔形成，针孔允许氧气和/或水直接进入电子器件并引发功能层和因此器件性能的迅速退化。
[0005]因此，需要进一步改进用于保护电子器件的现有概念，即进一步改进所谓的封装层。
[0006]因此本申请的一个目的是提供对已知概念的缺点作出改进的封装，以及提供改进的性质，其选自光学性质、电子性质和机械性质的一种或多种。
[0007]专利技术概述
[0008]本专利技术的专利技术人现在已经令人惊讶地发现，通过本方法以及通过本聚合物、制剂和电子器件，可单独或以任何组合实现上述目的。
[0009]本申请因此提供了一种制造膜的方法，所述方法包括步骤
[0010](a)提供基底件；
[0011](b)在基底件上沉积如权利要求25至37的任何一项或多项中所述的制剂；和
[0012](c)使所述制剂中包含的单体聚合以获得聚环烯烃层。
[0013]本申请因此还提供一种电子器件，其包含
[0014](a)基底件；和
[0015](b)聚环烯烃膜(层)，其包含本申请的聚环烯烃。
[0016]此外，本申请提供了包含最多20重量％的不同于H、F和C的原子的聚环烯烃，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。
[0017]另外，本申请提供了包含过渡金属化合物和一种或多种环烯烃单体的制剂，其中所述环烯烃单体包含最多5重量％的不同于H、F和C的原子，重量％相对于环烯烃单体的总重量计。
[0018]附图简述
[0019]图1是显示装置(100)的示例性示意图，依序包含基板(101)、电路层(102)、显示层(103)、平面化层(104)、任选薄膜封装层(105)和触摸传感器层(106)。
[0020]专利技术详述
[0021]一般而言，除非另行指明，各自的重量百分比合计为100重量％。
[0022]对本申请而言，术语“有机电子器件”用于表示包含含有多于50重量％的一种或多种有机材料的功能层的电子器件，重量％相对于所述功能层的总重量计。这样的功能层的实例包括，但不限于，发光层、半导体层或光敏层。
[0023]对本申请而言，术语“无机电子器件”用于除上文定义的有机电子器件外的所有电子器件。
[0024]术语“杂化电子器件”用于表示包含含有多于50重量％有机材料的功能层和含有多于50重量％无机材料的功能层的电子器件，重量％相对于各自功能层的总重量计。
[0025]方法
[0026]总体上，本申请涉及一种制造聚环烯烃膜(或“层”，如其包含在器件，例如电子器件中时可能被提到的那样)的方法。制造这样的膜的这种方法包括步骤：
[0027](a)提供基底件，
[0028](b)在基底件上沉积制剂，和
[0029](c)使所述制剂中包含的单体聚合以获得聚环烯烃层。
[0030]另外，本方法可包含附加步骤：
[0031](d)将一个或多个附加层沉积到聚环烯烃层上。
[0032]这样一个或多个附加层优选选自如本文中更详细定义的有机层、无机层和杂化层。
[0033]本方法可例如用于制造如下面更详细描述的电子器件。
[0034]聚环烯烃
[0035]本文所用的聚环烯烃包含最多20重量％，优选最多18重量％或16重量％，更优选最多14重量％或12重量％，再更优选最多10重量％或9.0重量％或8.0重量％或7.0重量％，再更优选最多6.0重量％，最优选最多5.0重量％的不同于H、F和C的原子(即“杂原子”)，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。或者，本文所用的聚环烯烃也可包含少于5.0重量％，例如最多4.0重量％或3.0重量％或2.0重量％或1.0重量％或0.05重量％或0.01重量％的不同于H、F和C的原子，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。
[0036]本文所用的聚环烯烃优选具有如下所述通过GPC测定的至少100,000g mol-1
，更优选至少200,000g mol-1
或300,000g mol-1
，再更优选至少400,000g mol-1
，最优选至少500,000g mol-1
的重均分子量(M
W
)。
[0037]聚降冰片烯的分子量可通过在具有两个Phenomenex Phenogel Linear Column和Phenogel 106Column(所有柱都是10μm填充毛细管柱)和折射率检测器的市售设备上，在氯苯中在50℃下使用市售窄分子量聚苯乙烯校准标样的凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
[0038]本文所用的聚环烯烃优选以最多4.0，优选最多3.5，更优选最多3.0，再更优选最多2.8，再更优选最多2.6的电容率ε为特征。本文所用的聚环烯烃优选具有至少0.1，更优选至少0.5，再更优选至少1.0，例如至少1.1或1.2或1.3或1.4或1.5或1.6或1.7或1.8或1.9或2.0的电容率。在本申请通篇，电容率或介电常数ε的值是指在20℃和1,000Hz下获取的值。
[0039]本文所用的聚环烯烃优选包含至少50重量％或60重量％或70重量％，更优选至少80重量％或90重量％，再更优选至少95重量％或97重量％或99.0重量％，再更优选至少99.5重量％或99.7重量％或99.9重量％的环烯烃结构单元，最优选由环烯烃结构单元组成，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。
[0040]这样的聚环烯烃可以例如由下式(I)表示
[0041][0042]其中M在每次出现时独立地为如本文中定义的结构单元，并且m是以使所得聚环烯烃具有上文规定的重均分子量(M
W
)的方式选择的>10的整数。
[0043]聚环烯烃聚合物的合适实例优选选自聚降冰片烯。对本申请而言，术语“聚降冰片烯”用于表示通过通用和简化式(A)的降冰片烯单体或其衍生物的加成聚合获得的包含通用和简化式(A
’
)的降冰片二基(norbornadiyl)单体单元或其衍生物的聚合物。
[0044][0045]更具体地，聚环烯烃聚合物的合适实例可通过下式(II)的单体或包含下式(II)的单体的单体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.制造膜的方法，所述方法包括步骤(a)提供基底件；(b)在基底件上沉积如权利要求25至37的任何一项或多项中所述的制剂；和(c)使所述制剂中包含的单体聚合以获得聚环烯烃层。2.根据权利要求1的方法，其中所述基底件是电子器件，优选发光器件。3.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中在步骤(b)中通过选自浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滚筒印刷、反向滚筒印刷、平版胶印、干式平版胶印、柔性版印刷、卷筒印刷、喷涂、幕涂、刷涂、狭缝模头涂布或移印的方法沉积所述制剂。4.根据权利要求1至3的任何一项或多项的方法，其中在步骤(b)中通过喷墨印刷或喷嘴印刷沉积所述制剂。5.根据权利要求1至4的任何一项或多项的方法，其中步骤(c)通过辐射或热或两者进行。6.根据权利要求1至5的任何一项或多项的方法，其进一步包括步骤(d)将一个或多个附加层沉积到聚环烯烃层上。7.根据权利要求6的方法，其中在步骤(d)中，所述一个或多个附加层选自有机层、无机层和杂化层。8.根据权利要求6或权利要求7的方法，其中所述一个或多个附加层是包含选自如下材料的无机层：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆、氧化铈、氮化铈、氧化锡、氮化锡和任何这些的任何共混物的材料；优选氮化硅。9.根据权利要求6至8的任何一项或多项的方法，其中在步骤(d)中，所述一个或多个附加层包含触摸板的层。10.电子器件，其包含(a)基底件；和(b)聚环烯烃膜(层)，其包含权利要求15至24的任何一项或多项的聚环烯烃。11.根据权利要求10的电子器件，其中所述基底件是电子器件，优选发光器件。12.根据权利要求10或权利要求11的电子器件，其中所述基底件是依序包含第一电极(阳极)、发光层和第二电极(阴极)的发光器件。13.根据权利要求10至12的任何一项或多项的电子器件，其中所述基底件是依序包含第一电极(阳极)、空穴传输层、发光层、电子传输层和第二电极(阴极)的有机发光器件。14.根据权利要求10至13的任何一项或多项的电子器件，其进一步包含在第二电极上的如权利要求8中所述的无机层。15.聚环烯烃，其包含最多20重量％的不同于H、F和C的原子，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。16.根据权利要求15的聚环烯烃，其具有在20℃和1,000Hz下测定的最多4.0的电容率ε。17.根据权利要求15或权利要求16的聚环烯烃，其包含至少50重量％的环烯烃结构单元，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。
18.根据权利要求15至17的任何一项或多项的聚环烯烃，其具有通过GPC测定的至少100,000g mol-1
的重均分子量。19.根据权利要求15至18的任何一项或多项的聚环烯烃，其中所述聚环烯烃是聚降冰片烯。20.根据权利要求15至19的任何一项或多项的聚环烯烃，其中所述环烯烃结构单元是下式(II')或式(II")的降冰片烯结构单元下式(II')或式(II")的降冰片烯结构单元其中a在每次出现时独立地为0至5的整数；Q在每次出现时独立地选自-CH
2-、-CH
2-CH
2-、-CF
2-、-CF
2-CF
2-和O；R
101
、R
102
、R
103
和R
104
在每次出现时互相独立地选自氢、氟、烃基、部分氟化烃基和完全氟化烃基。21.根据权利要求15至20的任何一项或多项的聚环烯烃，其中所述聚环烯烃是聚降冰片烯，其包含衍生自相应单体的降冰片烯结构单元，所述单体在每次出现时独立地选自下式(II-a-01)至(II-a-19)
其中“Me”代表甲基，“Et”代表乙基，"Ph”和“C6H
5”代表苯基，“C6F
5”代表五氟苯基，o是1至8的整数；并且对于具有亚甲基桥连基(共价键合到降冰片烯环和官能团上的CH2)的各上述子式，包括但不限于(II-a-10)、(II-a-12)、(II-a-13)和(II-a-19)，要理解的是，亚甲基桥连基可被共价键替代或如在式(II-a-14)中那样被-(CH2)
o-替代，其中o则是1至6的整数。22.根据权利要求15至21的任何一项或多项的聚环烯烃，其进一步包含含有反应性基团的环烯烃结构单元，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。23.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：