【技术实现步骤摘要】
一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其是涉及一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用。
技术介绍
[0002]当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是,由于OLED的外量子效率和内量子效率之间存在巨大差距,极大地制约了OLED的发展。因此,如何提高OLED的光取出效率成为研究热点。ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射,出射到OLED器件前向外部空间的光约占有机材料薄膜EL总量的20%,其余约80%的光主要以导波形式限制在有机材料薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中。可见常规OLED器件的出光效率较低(约为20%),这严重制约了OLED的发展和应用。如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。
[0003]目前,实现提高OLED外量子效率的一类重要方法是在基底出光表面形成如褶皱、光子晶体、微透镜陈列(MLA)和添加表面覆盖层等结构。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布,第三种结构制作工艺复杂,而使用表面覆盖层工艺简单,发光效率提高30%以上,尤为人们关注。根据光学原理,当光透射过折射率为n1的物质到折射率为n2的物质时(n1>n2),只有在arcsin(n2/n1)的角度内才能入射到折射率为n2的物质里,吸收率B可以用以下的公式计算:
[0004][0005]设n1=n
一般O ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于咔唑为核心的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(1)所示:通式(1)中,L1、L2分别独立地表示为单键、取代或未取代的C
6-30
亚芳基、取代或未取代的C
2-30
亚杂芳基,L1、L2可以相同或不同;R1表示为取代或未取代的C
2-30
杂芳基,可被取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、C
1-10
的烷氧基、卤素原子、氰基、C
1-10
的烷基、C
6-30
的芳基、C
2-30
的杂芳基;所述杂芳基和亚杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述R1表示为取代或未取代的以下基团:联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、胺基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、异噁唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吲唑基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、呫吨基、噻蒽基、糠基、吡喃基、2H-吡喃基、苯氧基噻吩基、联吡啶基、中氮茚基、嘌呤基、萘啶基、蝶啶基、咔啉基、苯并三唑基、呋咱基、苯并呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基。3.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述R1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示结构;通式(2)中,Z1每次出现分别独立地表示为N或者C-R2,X4表示为O、S或N-R3;与其他基团连接处的Z1为C;与其他基团连接处的X4为C或N;通式(3)中,Y1每次出现分别独立地表示为N或者C-R4,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y1为C;通式(4)中,Y2每次出现分别独立地表示为N或者C-R5,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y2为C;通式(5)中,X1表示为O、S或-NR6,X5、X6分别独立地表示为N或C-R
11
,Z3每次出现分别独立地表示为N或者C-R
12
;与其他基团连接处的Z3为C;与其他基团连接处的X5为C;与其他基团
连接处的X1为C或N;与其他基团连接处的X6为C;通式(6)中,X2、X3分别独立地表示为单键、O、S、-C(R7)(R8)-或-N(R9),X2和X3不同时表示为单键,Z2每次出现分别独立地表示为N或者C-R
10
;与其他基团连接处的Z2为C;与其他基团连接处的X2为N;R
...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆颖,叶中华,吴秀芹,张兆超,
申请(专利权)人:江苏三月光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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