本发明专利技术公开了一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其技术方案是：包括混合筒，所述混合筒内部设有混合机构，所述混合机构延伸出混合筒外部；所述混合机构包括电机，所述电机固定设于混合筒顶部，所述电机通过输出轴固定连接有转动杆，所述转动杆设于混合筒顶部并延伸入混合筒内部，所述混合筒内部固定设有多个混合组件，所述混合组件包括固定箱，所述固定箱固定设于混合筒内部，本发明专利技术的有益效果是：通过混合机构的设计，可以通过多个混合组件对原料进行多次混合，而且在混合时，每次加入的一种新的原料进行混合，在通过多个混合组件来进行多次混合，充分的保证了原料的混合效果。果。果。
【技术实现步骤摘要】
一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备
[0001]本专利技术涉及靶材
，具体涉及一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备。
技术介绍
[0002]靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应，例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等，更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。
[0003]现有技术存在以下不足：现有技术中的靶材在制作过程中需要对靶材的原料进行混合，但是现有的混合装置在使用时，对原料的混合效果并不是很好，导致不同的原料在混合后依旧过分的集中或者分散，严重的影响到了靶材的生产质量，不便于使用者的使用。
[0004]因此，专利技术一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备很有必要。
技术实现思路
[0005]为此，本专利技术提供一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，通过混合机构的设计，可以通过多个混合组件对原料进行多次混合，而且在混合时，每次加入的一种新的原料进行混合，在通过多个混合组件来进行多次混合，充分的保证了原料的混合效果，以解决对原料的混合效果并不是很好，导致不同的原料在混合后依旧过分的集中或者分散，严重的影响到了靶材的生产质量的问题。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，包括混合筒，所述混合筒内部设有混合机构，所述混合机构延伸出混合筒外部；
[0007]所述混合机构包括电机，所述电机固定设于混合筒顶部，所述电机通过输出轴固定连接有转动杆，所述转动杆设于混合筒顶部并延伸入混合筒内部，所述混合筒内部固定设有多个混合组件；
[0008]所述混合组件包括固定箱，所述固定箱固定设于混合筒内部，所述转动杆贯穿固定箱并与固定箱通过密封轴承连接，所述固定箱顶部进料口，所述转动杆外部固定设有多个混合板，多个所述混合板均设于固定箱内部，所述固定箱底部两侧均开设有出料口，所述混合筒内腔两侧均固定设有伸缩杆，所述伸缩杆设于固定箱底部，两个所述伸缩杆外部均固定设有弹簧，所述伸缩杆一侧固定设有横板，所述横板顶部与固定箱底部相接触，所述转动杆外部固定设有异形轮，所述异形轮两侧分别与两个横板相接触；
[0009]所述缓冲机构还包括辅助组件，所述辅助组件包括转动板，所述转动板固定设于转动杆外部，所述转动板设于混合筒内腔顶部，所述转动板上开设有两个通槽。
[0010]优选的，所述辅助组件还包括两个进料斗，两个所述进料斗分别设于电机两侧，两个所述进料斗均延伸入混合筒内部，两个所述进料斗分别设于两个通槽顶部。
[0011]优选的，所述转动杆底部与混合筒内腔底部通过轴承连接。
[0012]优选的，所述横板截面形状设为L形。
[0013]优选的，所述混合筒底部固定设有两个出料斗，两个所述出料斗分别设于混合筒底部两侧。
[0014]优选的，两个所述出料斗底部均固定设有连接管。
[0015]优选的，所述混合筒底部两侧均固定设有支撑板。
[0016]优选的，一种靶材，包括铬铝硅铸锭、铜镍合金、金属镁和锡合金，其中各成分质量份数为：
[0017]铬铝硅铸锭：20-25份；
[0018]铜镍合金：10-15份；
[0019]金属镁：5-8份；
[0020]锡合金：3-6份。
[0021]优选的，靶材的轧制方法，所述具体步骤如下：
[0022]S1清洗：在轧制前，先通过酒精对铬铝硅铸锭、铜镍合金、金属镁和锡合金的表面进行清洗；
[0023]S2碾磨：再通过碾磨机对清洗后的铬铝硅铸锭、铜镍合金、金属镁和锡合金进行碾磨，将铬铝硅铸锭、铜镍合金、金属镁和锡合金碾磨成粉末状；
[0024]S3配置粉末：将20-25份铬铝硅铸锭粉末放置于混合筒顶部左侧的进料斗中，再将10-15份铜镍合金的粉末放置于混合筒右侧的进料斗中，然后启动电机，电机工作带动转动杆转动，转动杆转动带动转动板转动，转动板转动使得两个进料斗内部的铬铝硅铸锭粉末和铜镍合金粉末可以通过通槽和进料口进入到固定箱内部，转动杆转动的同时还会带动混合板转动，混合板转动从而可对固定箱内部铬铝硅铸锭粉末和铜镍合金粉末进行混合，转动杆转动的同时还会带动异形轮转动，异形轮转动带动可对两个横板进行挤压，使得伸缩杆缩短，进而使得伸缩杆外部的弹簧压缩，同时还可将横板推向一侧，使得固定箱内部的铬铝硅铸锭粉末和铜镍合金粉末可以从出料口进入到下一个固定箱内部，经过三次混合之后，铬铝硅铸锭粉末和铜镍合金粉末混合而成的粉末会通过两个出料斗排出；
[0025]S4粉末混合：再将铬铝硅铸锭粉末和铜镍合金粉末混合好的粉末放入混合筒顶部左侧的进料斗中，将5-8份金属镁放置于混合筒顶部右侧的进料斗中，然后再启动电机，通过混合机构对金属镁粉末和铬铝硅铸锭、铜镍合金的混合后的粉末进行混合，金属镁粉末和铬铝硅铸锭、铜镍合金的混合粉末会从两个出料斗中排出，再将金属镁粉末、铬铝硅铸锭和铜镍合金，再将3-6份锡合金的粉末放置于混合筒顶部的右侧的进料口内部，然后再启动电机，通过混合机构对金属镁粉末、铬铝硅铸锭和铜镍合金混合后的粉末和锡合金粉末进行混合，混合后的铬铝硅铸锭粉末、铜镍合金粉末、金属镁粉末和锡合金粉末会从出料斗中排出；
[0026]S5放入模具：将混合好的粉末放置于模具内部；
[0027]S6高温热压：通过液压机以600kgf/cm 2-1500kgf/cm 2的压力单轴向加压，同时通过高温对其进行烧结；
[0028]S7成型冷却：将成型的溅射靶材和模具拿出，再通过风机对其进行冷却。
[0029]本专利技术的有益效果是：
[0030]1、本专利技术通过混合机构的设计，可以通过多个混合组件对原料进行多次混合，而且在混合时，每次加入的一种新的原料进行混合，在通过多个混合组件来进行多次混合，充分的保证了原料的混合效果，同时通过转动板和横板等结构的设计，使得进料斗和出料斗在进料和出料时都是间接性出料，避免进料或者出料时速度过快导致原料混合不均的问题；
[0031]2、本专利技术通过铬金属的设计，使得靶材质极硬而脆，耐腐蚀，通过铝金属和硅金属的设计，使得靶材质量轻、导热性能好，又具有一定强度、硬度以及耐蚀性能，通过铜镍合金的设计，纯铜加镍能显著提高强度、耐蚀性、硬度、电阻和热电性，并降低电阻率温度系数，因此使得靶材的机械性能、物理性能都异常良好，延展性好、硬度高、色泽美观、耐腐蚀富有深冲性能，通过金属镁的设计，使得靶材具有一定的延展性和热消散性，通过锡合金的设计，使得靶材强度、硬度低，塑性高。
附图说明
[0032]图1为本专利技术提供的整体结构示意图；
[0033]图2为本专利技术提供的转动板的立体图；
[0034]图3为本专利技术提供的异形轮的立体图；
[0035]图中：1混合筒、2电机、3转动杆、4固定箱、5本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种靶材的半导体器件加工设备，包括混合筒(1)，其特征在于：所述混合筒(1)内部设有混合机构，所述混合机构延伸出混合筒(1)外部；所述混合机构包括电机(2)，所述电机(2)固定设于混合筒(1)顶部，所述电机(2)通过输出轴固定连接有转动杆(3)，所述转动杆(3)设于混合筒(1)顶部并延伸入混合筒(1)内部，所述混合筒(1)内部固定设有多个混合组件；所述混合组件包括固定箱(4)，所述固定箱(4)固定设于混合筒(1)内部，所述转动杆(3)贯穿固定箱(4)并与固定箱(4)通过密封轴承连接，所述固定箱(4)顶部进料口(5)，所述转动杆(3)外部固定设有多个混合板(6)，多个所述混合板(6)均设于固定箱(4)内部，所述固定箱(4)底部两侧均开设有出料口(7)，所述混合筒(1)内腔两侧均固定设有伸缩杆(8)，所述伸缩杆(8)设于固定箱(4)底部，两个所述伸缩杆(8)外部均固定设有弹簧(9)，所述伸缩杆(8)一侧固定设有横板(10)，所述横板(10)顶部与固定箱(4)底部相接触，所述转动杆(3)外部固定设有异形轮(11)，所述异形轮(11)两侧分别与两个横板(10)相接触；所述缓冲机构还包括辅助组件，所述辅助组件包括转动板(12)，所述转动板(12)固定设于转动杆(3)外部，所述转动板(12)设于混合筒(1)内腔顶部，所述转动板(12)上开设有两个通槽(13)。2.根据权利要求1所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：所述辅助组件还包括两个进料斗(14)，两个所述进料斗(14)分别设于电机(2)两侧，两个所述进料斗(14)均延伸入混合筒(1)内部，两个所述进料斗(14)分别设于两个通槽(13)顶部。3.根据权利要求1所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：所述转动杆(3)底部与混合筒(1)内腔底部通过轴承连接。4.根据权利要求1所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：所述横板(10)截面形状设为L形。5.根据权利要求1所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：所述混合筒(1)底部固定设有两个出料斗(15)，两个所述出料斗(15)分别设于混合筒(1)底部两侧。6.根据权利要求5所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：两个所述出料斗(15)底部均固定设有连接管(16)。7.根据权利要求1所述的一种靶材及应用该靶材的半导体器件加工设备，其特征在于：所述混合筒(1)底部两侧均固定设有支撑板(17)。8.一种靶材，其特征在于：包括铬铝硅铸锭、铜镍合金、金属镁和锡合金，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀文，黄军浩，
申请(专利权)人：昆山全亚冠环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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