一种拉晶设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：加料装置和单晶炉；所述加料装置包括储料部和运料通道；所述储料部用于储存硅料；所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内，所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内；所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道；所述缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置；所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。本实用新型专利技术实施例中，所述缓料通道能有效减缓所述硅料对坩埚内硅液的冲击，避免由于添加硅料导致硅液溅射引起硅液温度波动，进而可以有效提升单晶硅品质。以有效提升单晶硅品质。以有效提升单晶硅品质。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶设备


[0001]本技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种拉晶设备。

技术介绍

[0002]随着光伏技术的发展，单晶硅的使用也越来越广泛。近些年，单晶硅的需求量不断增大，因此，单晶硅生产效率的提升就尤为重要。
[0003]目前，单晶硅的生产工艺主要为直拉法。连续直拉法(ContinuousCzocharlski，CCZ)为直拉法的一种，由于晶棒拉制与加料熔化同时进行，省去了单独的熔料时间，提升了生产效率，而且，通过引入内坩埚有效延长了坩埚的使用寿命，降低了生成成本，因此被广泛应用。然而，在CCZ生产中，由于添加新的硅料时，会出现溅料，导致晶棒生长界面的温度波动较大，从而会影响单晶硅的品质。而且，由于CCZ生产工艺中增加了内坩埚，内坩埚也会与硅液发生反应，导致硅液中被引入的杂质增多，从而也会影响单晶硅品质。

技术实现思路

[0004]为了解决或部分的解决上述问题，本技术公开了一种拉晶设备及方法。
[0005]本技术公开了一种拉晶设备，所述设备包括：加料装置和单晶炉；
[0006]所述加料装置包括储料部和运料通道；
[0007]所述储料部用于储存硅料；
[0008]所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内，所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内；
[0009]所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道；
[0010]所述缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置；
[0011]所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。
[0012]可选的，所述单晶炉内还设有保温盖，所述保温盖设置于所述坩埚的上方；
[0013]所述保温盖开设有第一通孔，所述导料通道的一端穿过所述第一通孔与所述缓料通道连通。
[0014]可选的，所述缓料通道设置于所述保温盖远离所述坩埚的一侧，所述导料通道穿过所述第一通孔设置在所述保温盖与所述坩埚之间。
[0015]可选的，所述单晶炉的侧面炉壁对应所述保温盖的上方处开设有第二通孔；
[0016]所述运料通道水平设置，且所述运料通道穿过所述第二通孔与所述缓料通道连通。
[0017]可选的，所述缓料通道与所述导料通道为一体成型结构或可拆卸连接。
[0018]可选的，所述单晶炉内具有位于所述坩埚上方的热屏，所述热屏的中心开设有供晶棒通过的拉晶通道，所述导料通道设置于所述热屏远离所述拉晶通道的一侧。
[0019]可选的，所述单晶炉内还设有隔热件；
[0020]所述隔热件夹设于所述缓料通道与所述导料通道之间。
[0021]可选的，所述隔热件为碳碳隔热件或石墨隔热件。
[0022]可选的，所述坩埚包括内坩埚和外坩埚，所述内坩埚设置于所述外坩埚内，且所述内坩埚的埚壁与所述外坩埚的埚壁之间形成间隙；
[0023]所述导料通道的另一端与所述间隙相对。
[0024]本技术还公开了一种拉晶方法，所述方法应用于上述拉晶设备，所述方法包括：
[0025]对设置于单晶炉内的坩埚加热，以将所述坩埚内的硅料熔化形成硅液；
[0026]在所述单晶炉内执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒；
[0027]其中，在所述等径操作的过程中，通过所述单晶炉内的缓料通道、导料通道向所述硅液加入硅料。
[0028]可选的，所述通过所述单晶炉内的缓料通道、导料通道向所述硅液加入硅料的步骤，包括：
[0029]以预设加料频率向所述硅液加入硅料，以使所述硅料在所述坩埚内的落入点不同；其中，所述预设加料频率根据所述坩埚的埚转设定。
[0030]可选的，所述通过所述单晶炉内的缓料通道、导料通道向所述硅液加入硅料的步骤，还包括：
[0031]以预设加料量向所述硅液加入硅料，以使所述坩埚内硅液的液面高度持续降低；其中，所述预设加料量根据所述拉晶的速度设定。
[0032]与现有技术相比，本技术实施例包括以下优点：
[0033]本技术实施例中，由于缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置，因此，通过缓料通道和导料通道向坩埚内添加硅料时，所述缓料通道能有效减缓所述硅料对坩埚内硅液的冲击，避免由于添加硅料导致硅液溅射引起硅液温度波动，进而可以使单晶硅品质得到有效提升。
附图说明
[0034]图1是本技术实施例的一种拉晶设备的结构示意图；
[0035]图2是本技术实施例图1所示拉晶设备的剖面示意图；
[0036]图3是本技术实施例图2中A位置的放大示意图；
[0037]图4是本技术实施例的一种拉晶方法的步骤流程图。
[0038]附图标记说明：
[0039]10-单晶炉，101-坩埚，102-缓料通道，103-导料通道，104-保温盖，105
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热屏，20-加料装置，201-储料部，202-运料通道，30-隔离阀，40-驱动装置， 50-弹性连接件，204-振动组件，205-称重传感器，206-掺料组件，207-隔热件，1041-第一通孔，11-第二通孔，12-拉晶通道，1011-内坩埚，1012-外坩埚，1013-间隙。
具体实施方式
[0040]为使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附
图和具体实施方式对本技术实施例作进一步详细的说明。
[0041]本技术实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：加料装置和单晶炉；所述加料装置包括储料部和运料通道；所述储料部用于储存硅料；所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内，所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内；所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道；所述缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置；所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。
[0042]本技术实施例中，由于缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置，因此，通过缓料通道和导料通道向坩埚内添加硅料时，所述缓料通道能有效减缓所述硅料对坩埚内硅液的冲击，避免由于添加硅料导致硅液溅射引起硅液温度波动，进而可以使单晶硅品质得到有效提升。
[0043]参照图1，示出了本技术实施例的一种拉晶设备的结构示意图。参照图2，示出了本技术实施例图1所示拉晶设备的剖面示意图。如图1 和图2所示，所述设备具体可以包括：加料装置20和单晶炉10；加料装置 20包括储料部201和运料通道202；储料部201用于储存硅料；运料通道202 的一端与储料部201相连，另一端穿过单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶设备，其特征在于，所述拉晶设备包括：加料装置和单晶炉；所述加料装置包括储料部和运料通道；所述储料部用于储存硅料；所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内，所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内；所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道；所述缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置；所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。2.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述单晶炉内还设有保温盖，所述保温盖设置于所述坩埚的上方；所述保温盖开设有第一通孔，所述导料通道的一端穿过所述第一通孔与所述缓料通道连通。3.根据权利要求2所述的拉晶设备，其特征在于，所述缓料通道设置于所述保温盖远离所述坩埚的一侧，所述导料通道穿过所述第一通孔设置在所述保温盖与所述坩埚之间。4.根据权利要求3所述的拉晶设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建波，周锐，李侨，邓浩，付泽华，张龙龙，徐战军，张永辉，张伟建，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：