具有光遮蔽膜的液晶显示装置制造方法及图纸

在夹着液晶的一对基板之一上，形成有一对信号线、与之直交的一对扫描线、设于这些线所围区域内的图象元素电极以及进行了第一方向的取向处理的第一取向层。另一基板上，形成有一反电极及进行了第二方向的取向处理的第二取向层。第一、二取向层的取向处理是互相关联地进行的以使图象元素电极的缘于旋错的光泄漏最大的一侧靠近该对信号线之一。在一基板上，光遮蔽膜形成为与图象元素电极的包括光泄漏最大边的一或多边重叠。在光泄漏较小边重叠宽度可设小些以提高孔径比。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有一光遮蔽膜的有源型液晶显示装置。矩阵型液晶显示装置包括有源矩阵寻址的扭转向列液晶显示装置(以原称为TN-LCD)，如图22所示。该TN-LCD具有位于两偏振器1和2之间的一液晶单元3。该液晶单元3包括由玻璃或类似物制成的彼此相对的一下基板4和一上基板5以及一液晶层6。该液晶层6包括一连续90°扭转的向列液晶。多数的图象元素电极7以矩阵的形式设置在下基板4的上表面上，其上又设有一下取向膜8。多数的扫描线即门线(未示)以及多数的信号线即漏线9设置在下基板4的上侧。未示出的薄膜晶体管(TFT)设在各扫描线及信号线的交叉点之间。各TFT是连接至图象元素电极7和扫描线及信号线9的开关元件。一公共电极(一反电极)10设于上基板5的下表面上且其下表面上又设有一上取向膜11。当对应于图象数据的电压信号被输入到一列上的一信号线9而所有接至一行上的一扫描线的TFT由于扫描信号输入到该扫描线上而处于ON(接通)状态时，一个电压经由该ON状态的TFT自信号线9施加给一图象元素电极7。其结果，一个电压被作用给在该施加有电压的图象元素电极7和该公共电极10之间的液晶层6，使得作用了该电压的液晶分子的方向被改变。由该方向改变引起的一光学变化通过偏振器1和2而可看出。因此，一个需要的显示，便如一个墨或白显示即被得到。在这种TN-LCD(扭转向列液晶显示器)中，由于旋错(disclination)的出现而使显示质量下降是一个严重的问题，特别是在具有大量图象元素电极7的高信息容量显示器中尤其如此。即，在一正常的白色模式的TN-LCD中，当一个约6伏的电压被施加给图象元素电极7时，例如，在示于图22的一个图象元素部分12中，一虚线12a的在侧成为正常显示，其包括一个正常倾斜畴(domain)的区域12b，该正常倾斜畴具有与液晶分子相同的倾斜方向，该方向为液晶分子的预倾斜方向。该虚线12a的右侧成为一非正常显示，其包括反倾斜畴的区域12c，该反倾斜畴即引起一个光泄漏而形成一个空隙。示于其间的该虚线12a给出了一旋错线，该线为正常倾斜畴的区域12b与反倾斜畴的区域12c之间的边界。该图象元素部分12的平面视图示于图23。在该图中，由斜线示出的区域为包含反倾斜畴的区域12c的非正常显示12c，该反倾斜畴引起光泄漏而形成一空隙。当有这样一个空隙形成在该图象元素部分12的一部分中时，该TN-LCD的整体对比度急剧下降，使得其显示质量大大地降低。下面将说明这种旋错的出现位置。旋错出现在这样的位置，即，在基于下和上取向层8和11的取向方向如磨擦方向的预倾斜方向(即液晶层6与下和上取向层8和11之间的界面处的液晶分子的长轴的倾斜角方向)上的直线，与在图象元素电极7和扫描线以及图象元素电极7和信号线9之间产生的横向电场的方向上的直线以直角相交的位置。其原因在于液晶分子的取向子(director)具有正电各向异性，即，在液分子的长轴优先取向的方向上的单位矢量沿着局部电场的方向取向，在由预处理方向上的直线和横向电场方向上的直线以直角相交的位置形成的该边界的右侧和左侧的取向子以彼此相反的倾斜角取向。这种旋错易于出现在使用具有小间距的很小的图象元素的情况、使用使在液晶层与取向层界面处的液晶分子具有小预倾斜角的取向层的情况、由于具有小于以室温驱动的预倾斜角的预倾斜角而以较高温度驱动的情况、以及出现强横向电场的情况。特别地，图象地素的间距越小，正常显示区域12b与图象元素部分12的相对面积比变得越小。因此显示器的对比度亦大大下降。当预倾斜角较小时，反倾斜现象易于出现，且预倾斜方向上的直线与横向电场方向上的直线以直角相交的位置，即旋错出现的位置向图象元素部12的内侧移动。因此，这种旋错易于出现在具有小尺寸图象元素及要求较高温度驱动的TN-LCD中，例如使用于小汽车等交通工具及放映机中的TN-LCD。通常，由于各光遮蔽膜的开口的边缘设置在距最近的扫描线或信号线9等于旋错的最大透过距离的距离(例如大约两倍于取向层8和11间的间隙即单元间隙)处的一直线上以减小这种旋错，使得出现了孔径比大大减小的问题。本专利技术即是针对上述问题而开发的。本专利技术的一个目的即在于提供一种液晶显示装置，其能够使缘于旋错的光泄漏最小而不降低其孔径比。根据本专利技术，可以提供一种液晶显示装置，其包括第一基板；第二基板；形成在第一基板的对着第二基板的表面上的图象元素电极；一对信号线及一对扫描线，设置在距图象元素电极的周边预定距离处；第一取向层，在其上已进行了第一取向方向上的取向处理，该第一取向层覆盖着上述图象电极、信号线及扫描线；一反电极，形成在该第二基板的对着第一基板的表面上；第二取向层，在其上已进行了在与第一取向层的处理方向不同的第二取向方向上的取向处理，该第二取向层覆盖着该反电极；一液晶层，位于该第一和第二取向层之间；以及一光遮蔽膜，沿着该信号线或扫描线形成在第一或第二基板上，其中，该光遮蔽膜具有尺寸小于该图象元素电极的开口，该开口的边缘位于图象元素电极的边缘内侧，且该开口边缘距信号线或扫描线的距离，在对应于图象元素电极的由液晶的旋错引起的光泄漏较大的一侧的那一侧，比对应于图象元素电极的由液晶的旋错引起的光泄漏较小的一侧的那一侧要大。附图说明图1是显示根据本专利技术的一实施例的一有源矩阵型液晶显示装置的主要部分的平面图；图2沿图1的线X-X的剖面图；图3是显示一图象元素电极及其周围的扫描和信号线的平面视图；图4是显示沿图3的Z-Z线的剖视的这些电极之间的位置关系的视图；图5A是一个视图，其中，在示于图3的一取向条件下液晶的取向矢量和等电位曲线相互重叠；图5B是一个视图，其中在与图5A相同的取向条件下液晶的取向矢量与Y值相重叠；图6是显示当示于图3的取向条件被顺时针旋转45°时的一取向条件的示意性平面图；图7A是一个视图，其中在示于图6的取向条件下液晶的取向矢量与等电位曲线相重叠；图7B是一个视图，其中在与图7A相同的取向条件下液晶的取向矢量和Y值相重叠；图8是显示当示于图6的取向条件顺时针旋转45°时的一取向条件的示意性平面图；图9A是一个视图，其中示于图8的取向条件下的液晶的取向矢量和等电位曲线相互重叠；图9B是一个视图，其中示出与图9A相同的取向条件下的液晶的取向矢量和Y值相互重叠；图10是显示当图8中所示的取向条件顺时针旋转45°时的一取向条件的平面示意图；图11A是一个视图，其中在示于图10的取向条件下的液晶的取向矢量和一等电位曲线相互重叠；图11B是一个视图，其中在与图11A相同的取向条件下的液晶的取向矢量和Y值相重叠；图12A是用于说明示于图3的取向条件下旋错的出现位置的视图；图12B分别是用于说明在示于图12A中的取向条件分别顺时针旋转90°、180°及270°的备取向条件下旋错的出现位置的视图；图13A是用于说明在示于图6的取向条件下旋错的出现位置的视图；图13B-13D分别是用于说明在示于图13A的取向条件分别顺时针旋转90°、180°及270°的各取向条件下旋错的出现位置的视图；图14是显示在示于图12B的取向条件下用于存储电容的电极的配置情况的视图；图15是显示在示于图12D的取向条件下用于存储电容的电极的配置情况的视图；图16是显示在示于图13A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，其包括： 第一基板； 第二基板； 形成在第一基板的对着第二基板的表面上的图象元素电极； 一对信号线及一对扫描线，设置在距图象元素电极的周边预定距离处； 第一取向层，在其上已进行了第一取向方向上的取向处理，该第一取向层覆盖着上述图象元素电极、信号线及扫描线； 一反电极，形成在该第二基板的对着第一基板的表面上； 第二取向层，在其上已进行了在与第一取向层的处理方向不同的第二取向方向上的取向处理，该第二取向层覆盖着该反电极； 一液晶层，位于该第一和第二取向层之间；以及 一光遮蔽膜，沿着该信号线或扫描线形成在第一或第二基板上，其中，该光遮蔽膜具有尺寸小于该图象元素电极的开口，该开口的边缘位于图象元素电极的边缘内侧，且该开口边缘距信号线或扫描线的距离，在对应于图象元素电极的由液晶的旋错引起的光泄漏较大的一侧的那一侧，比对应于图象元素电极的由液晶的旋错引起的光泄漏较小的一侧的那一侧要大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽善永，
申请(专利权)人：卡西欧计算机公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]