一种离子布植方法、装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括：提供带状离子束流；样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明专利技术实施例提供的技术方案，在缩短样片离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种离子布植方法、装置及设备


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种离子布植方法、装置及设备。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造过程中，采用离子布植方法对样片进行掺杂是一种常用的工艺。
[0003]目前的离子布植方法通常是样片相对点状离子束流或者带状离子束流作直线运动，点状离子束流或者带状离子束流对样片进行离子布植，其直线运动方向垂直于点状离子束流或者带状离子束流的延伸方向。使用点状离子束流对样片进行离子布植的时间过长。使用带状离子束流对样片进行离子布植获得的离子掺杂浓度不均匀。
[0004]因此，亟需一种离子布植时间短且掺杂浓度均匀的离子布植方法。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种离子布植方法、装置及设备，在缩短离子布植时间的基础上，以提高样片表面离子掺杂的均匀度。
[0006]本专利技术实施例提供了一种离子布植方法，包括：
[0007]提供带状离子束流；
[0008]样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时，控制所述带状离子束流对所述样片进行离子布植，其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向。
[0009]可选的，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：
[0010]样片从所述带状离子束流的第一端顺时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
[0011]可选的，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：
[0012]样片从所述带状离子束流的第一端逆时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
[0013]可选的，样片相对所述带状离子束流作旋转运动的圆心位于所述带状离子束流所在的直线。
[0014]可选的，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：
[0015]样片相对所述带状离子束流作直线运动，且相对样片中心作旋转运动，其中，所述样片相对所述带状离子束流作直线运动的方向与所述带状离子束流的延伸方向相同。
[0016]可选的，样片相对所述带状离子束流作直线运动包括：
[0017]样片相对所述带状离子束流以恒定线速度作直线运动。
[0018]可选的，样片相对样片中心作旋转运动包括：
[0019]样片相对样片中心以恒定角速度作旋转运动。
[0020]本专利技术实施例还提供了一种离子布植装置，包括：
[0021]带状离子束产生单元，用于产生带状离子束流；
[0022]控制单元，用于样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时，控制所述带状离子束产生单元产生带状离子束流对所述样片进行离子布植，其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向。
[0023]可选的，还包括运动单元，用于带动样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端。
[0024]本专利技术实施例还提供了一种离子布植设备，包括：
[0025]带状离子束产生源，用于产生带状离子束流；
[0026]控制器，所述控制器的输出端与所述带状离子束产生源的控制端电连接，所述控制器用于样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时，控制所述带状离子束产生源产生对所述样片进行离子布植的带状离子束流，其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向。
[0027]本实施例提供的技术方案，样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向，带状离子束流在样片表面扫描的图形是弧形曲线，分散了带状离子束流中离子束密度较高或者较低的点在样片上的扫描范围，且带状离子束流本身的离子束密度较高，可以在短时间内使得样片表面的离子浓度达到预设离子浓度，因此，本实施例提供的技术方案在缩短离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。
附图说明
[0028]图1为现有技术中的离子布植方法各步骤对应的结构图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的一种离子布植方法的流程示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的一种离子布植方法的各步骤对应的结构图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的一种离子布置装置的结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0033]正如上述
技术介绍
中所述，目前的离子布植方法通常是样片相对点状离子束流或者带状离子束流作直线运动，点状离子束流或者带状离子束流对样片进行离子布植，其直线运动方向垂直于点状离子束流或者带状离子束流的延伸方向。用点状离子束流对样片进行离子布植的时间过长。使用带状离子束流对样片进行离子布植获得的离子掺杂浓度不均匀。图1为现有技术中的离子布植方法各步骤对应的结构图。其中图1a-图1c为采用点状离子束流进行离子布植方法的流程图，图1d-图1f为采用带状离子束流进行离子布植方法的
流程图。参见图1，究其原因，采用点状离子束流进行离子布植时，由于点状离子束流B1自身的限制，点状离子束流B1的离子流密度比较低，导致点状离子束流B1对样片10进行离子布植的时间过长。采用带状离子束流B2进行离子布植时，可以将带状离子束流B2看成由排成一条线的多个点状离子束流组成，示例性的，点a1和点a2的扫描区域为样片10表面的线性区域L1和线性区域L2，由于点a1和点a2对应的离子流密度较高，因此导致线性区域L1和线性区域L2的离子浓度高于其他区域。综上，采用上述现有技术对样片进行离子掺杂时，高的离子掺杂浓度和掺杂均匀度不可兼得。
[0034]针对上述技术问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案：
[0035]图2为本专利技术实施例提供的一种离子布植方法的流程示意图。参见图2，该离子布植方法包括如下步骤：
[0036]步骤110、提供带状离子束流。
[0037]在具体应用过程中，离子源产生的离子经过加速聚焦成高能的带状离子束流。带状离子束流的离子流密度高，在样片表面得到的掺杂区的离子浓度更高。
[0038]步骤120、样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。
[0039]简单来说，本实施例中的离子布植方法是利用带状离子束流和样片之间的相对运动，使得带状离子束流扫描样片表面来完成对样片表面的离子掺杂。示例性的，在本实施例中，选取晶圆作为待掺杂的样片。
[0040]图3为本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子布植方法，其特征在于，包括：提供带状离子束流；样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端时，控制所述带状离子束流对所述样片进行离子布植，其中所述带状离子束流的第一端指向第二端的方向为所述带状离子束流的延伸方向。2.根据权利要求1所述的离子布植方法，其特征在于，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：样片从所述带状离子束流的第一端顺时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。3.根据权利要求1所述的离子布植方法，其特征在于，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：样片从所述带状离子束流的第一端逆时针旋转运动至所述带状离子束流的第二端。4.根据权利要求1所述的离子布植方法，其特征在于，样片相对所述带状离子束流作旋转运动的圆心位于所述带状离子束流所在的直线。5.根据权利要求1所述的离子布植方法，其特征在于，样片从所述带状离子束流的第一端旋转运动至所述带状离子束流的第二端包括：样片相对所述带状离子束流作直线运动，且相对样片中心作旋转运动，其中，所述样片相对所述带状离子束流作直线运动的方向与所述带状离子束流的延伸方向相同。6.根据权利要求5所述的离子布植方...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨学人，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：