一种显示基板及其制备方法，所述显示基板包括：基底、设置在所述基底上的有源层、第一栅金属层、第二栅金属层、绝缘层，所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层，在平行于所述基底的平面上，所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域，所述栅金属覆盖层被过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内，且，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。本实施例提供的方案，可以保护栅金属主体层，还可以具备良好的弯折、卷曲、可拉伸等机械性能。可拉伸等机械性能。可拉伸等机械性能。
【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示装置
[0001]本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置的尺寸越来越大，但大尺寸有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)产品中，存在屏幕边缘和中心区域亮度不均匀、画面显示均匀性较差的问题。
技术实现思路
[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的有源层，设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅金属层和第二栅金属层，设置在所述第二栅金属层远离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露所述第一栅金属层，所述第二过孔暴露所述第二栅金属层，所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或所述第二过孔暴露；在平行于所述基底的平面上，所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的正投影无交叠，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或第二过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内，且，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。
[0005]在一示例性实施例中，在平行于所述基底的平面上，所述栅金属主体层的正投影位于所述栅金属覆盖层的正投影内。
[0006]在一示例性实施例中，所述栅金属覆盖层的硬度大于所述栅金属主体层的硬度。
[0007]在一示例性实施例中，所述栅金属主体层的材料包括以下至少之一：铝、铝合金。
[0008]在一示例性实施例中，所述栅金属覆盖层的材料包括氮化钛、钛。
[0009]在一示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的栅金属覆盖层的厚度为1200埃至1500埃。
[0010]在一示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述第二区域的栅金属覆盖层厚度为300埃至500埃。
[0011]在一示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述栅金属主体层的厚度为为1000埃至3000埃。
[0012]本申请实施例提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
[0013]本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
[0014]在基底上形成有源层；
[0015]在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层；
[0016]在所述第二栅金属覆盖层远离所述基底一侧形成绝缘层；所述绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露所述第一栅金属层，所述第二过孔暴露所述第二栅金属层；其中，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或所述第二过孔暴露；在平行于所述基底的平面上，所述金属覆盖层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的正投影无交叠，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或第二过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内，且，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。
[0017]在一示例性实施例中，所述在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第一栅金属层包括：
[0018]在所述有源层远离基底一侧依次沉积第一栅金属主体层薄膜和第一栅金属覆盖层薄膜，构图形成第一栅金属主体层图案和第一栅金属覆盖层初始层图案；
[0019]对所述第一栅金属覆盖层初始层图案进行构图，形成第一栅金属覆盖层图案；
[0020]所述在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第二栅金属层包括：
[0021]在所述第一栅金属覆盖层远离基底一侧依次沉积第二栅金属主体层薄膜和第二栅金属覆盖层薄膜，构图形成第二栅金属主体层图案和第二栅金属覆盖层初始层图案；
[0022]对所述第二栅金属覆盖层初始层图案进行构图，形成第二栅金属覆盖层图案。
[0023]在一示例性实施例中，所述在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第一栅金属层包括：
[0024]在所述有源层远离基底一侧依次沉积第一栅金属主体层薄膜和第一栅金属覆盖层薄膜，构图形成第一栅金属主体层图案和第一栅金属覆盖第一子层图案；
[0025]通过剥离工艺在所述第一栅金属覆盖第一子层上形成第一栅金属覆盖第二子层图案，所述第一栅金属覆盖第一子层和所述第一栅金属覆盖第二子层即构成所述第一栅金属覆盖层；
[0026]所述在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第二栅金属层包括：
[0027]在所述有源层远离基底一侧依次沉积第二栅金属主体层薄膜和第二栅金属覆盖层薄膜，构图形成第二栅金属主体层图案和第二栅金属覆盖第一子层图案；
[0028]通过剥离工艺在所述第二栅金属覆盖第一子层上形成第二栅金属覆盖第二子层图案，所述第二栅金属覆盖第一子层和所述第二栅金属覆盖第二子层即构成所述第二栅金属覆盖层。
[0029]本申请实施例包括
[0030]显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的有源层，设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅金属层和第二栅金属层，设置在所述第二栅金属层远离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露所述第一栅金属层，所述第二过孔暴露所述第二栅金属层，所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或所述第二过孔暴露；在平行于所述基底的
平面上，所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的正投影无交叠，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或第二过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内，且，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。本申请实施例提供的方案，通过设置栅金属主体层和栅金属覆盖层，栅金属覆盖层对栅金属主体层进行保护，且栅金属覆盖层在过孔对应的位置设置较大厚度，在非过孔位置设置较小厚度，既实现对栅金属主体层的保护，又提高耐弯折、卷曲和可拉伸性能。
[0031]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0032]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0033]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的有源层，设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅金属层和第二栅金属层，设置在所述第二栅金属层远离所述基底一侧的绝缘层，所述绝缘层包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露所述第一栅金属层，所述第二过孔暴露所述第二栅金属层，所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金属覆盖层，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或所述第二过孔暴露；在平行于所述基底的平面上，所述栅金属覆盖层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的正投影无交叠，所述栅金属覆盖层被所述第一过孔或第二过孔暴露的区域的正投影位于所述第一区域的正投影内，且，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的所述栅金属覆盖层的厚度大于所述第二区域内的所述栅金属覆盖层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在平行于所述基底的平面上，所述栅金属主体层的正投影位于所述栅金属覆盖层的正投影内。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅金属覆盖层的硬度大于所述栅金属主体层的硬度。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅金属主体层的材料包括以下至少之一：铝、铝合金。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅金属覆盖层的材料包括以下至少之一：氮化钛、钛。6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一区域的栅金属覆盖层的厚度为1200埃至1500埃。7.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第二区域的栅金属覆盖层厚度为300埃至500埃。8.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述栅金属主体层的厚度为为1000埃至3000埃。9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一所述的显示基板。10.一种显示基板的制备方法，包括：在基底上形成有源层；在所述有源层远离所述基底一侧依次形成第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层和所述第二栅金属层至少之一包括如下结构：从靠近所述基底一侧至远离所述基底一侧，包括依次设置的栅金属主体层和栅金...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊宜冰，屈财玉，赵梦，李良坚，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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