一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板；第一栅极，设置于基板上方；有源层，设置于第一栅极上方，有源层包括沟道区；栅极绝缘层，设置于有源层上方；第二栅极，设置于栅极绝缘层上方，第二栅极覆盖有源层的沟道区；源极以及漏极，源极和漏极设置在有源层的两端；其中，第二栅极和第一栅极在沿有源层沟道区的方向上部分重叠。本申请通过设计底部栅极相对顶部栅极进行水平方向的偏差，及底部栅极宽度相对顶部栅极的变化，使得阵列基板中通过沟道区的电流增强，减小阈值电压漂移以及饱和电流波动。和电流波动。和电流波动。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置、有机电致发光二极管显示装置及微发光二极管等平板显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。
[0003]OLED及Micro LED作为电流驱动器件，需要较大的电流通过能力及较好的器件稳定性以及面内电压(Vth)均匀性。顶栅型IGZO TFT等类似的氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的迁移率，比较适合作为电流驱动显示电路。然而，在顶栅型IGZO TFT中通过沟道区的电流相对较低，会影响器件在后续操作中的稳定性。
[0004]当采用双栅极设计以提高TFT器件通过电流时，普通双栅极设计需要考虑底部栅极及底部栅极及其绝缘层对TFT器件的影响，因此工艺窗口较小；另外，双栅设计也会影响TFT沟道电阻分布特性，影响输出特性曲线形貌。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，用以能够有效增强阵列基板中通过沟道区的电流，减小阈值电压漂移以及饱和电流波动。
[0006]为了实现上述效果，本申请提供的技术方案如下：
[0007]一种阵列基板，包括：
[0008]基板；
[0009]第一栅极，设置于所述基板上方；
[0010]有源层，设置于所述第一栅极上方，所述有源层包括沟道区；
[0011]栅极绝缘层，设置于所述有源层上方；
[0012]第二栅极，设置于所述栅极绝缘层上方，所述第二栅极覆盖所述有源层的沟道区；
[0013]源极以及漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层的两端；
[0014]其中，所述第二栅极和所述第一栅极在沿所述有源层沟道区的方向上部分重叠。
[0015]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0016]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离大于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0017]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离大于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0018]本申请的阵列基板中，所述有源层包括与所述源极相接触的源极接触区，以及包括与所述漏极相接触的漏极接触区；所述源极接触区和所述漏极接触区之间由所述沟道区隔开；所述源极和所述漏极均位于所述有源层与所述基底之间；其中，所述源极、所述漏极以及所述第一栅极同层且间隔设置。
[0019]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0020]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离大于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0021]本申请的阵列基板中，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离大于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。
[0022]本申请还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：
[0023]步骤S10：提供一基板，在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成第一栅极；
[0024]步骤S20：在所述第一栅极上依次形成缓冲层和有源层，所述有源层包括沟道区、源极接触区以及漏极接触区，所述源极接触区和所述漏极接触区之间由所述沟道区隔开；
[0025]步骤S30：在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和第二金属层，对所述第二金属层图和所述栅极绝缘层案化处理，形成第二栅极，所述第二栅极覆盖所述有源层的沟道区；
[0026]步骤S40：在所述第二栅极上形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层图案化处理，形成位于所述源极接触区上的过孔，以及位于所述漏极接触区上方的过孔；
[0027]步骤S50：在所述层间绝缘层上形成与所述源极接触区相接触的源极，以及与所述漏极接触区相接触的漏极；
[0028]步骤S60：在所述源极和所述漏极上依次形成钝化层和电极层。
[0029]本申请的制备方法中，所述第二栅极和所述第一栅极在沿所述有源层沟道区的方向上部分重叠。
[0030]有益效果：本申请通过设计底部栅极相对顶部栅极进行水平方向的偏差，及底部栅极宽度相对顶部栅极的变化，使得阵列基板中通过沟道区的电流增强，从而减小阈值电压漂移以及饱和电流波动。
附图说明
[0031]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其他有益效果显而易见。
[0032]图1为本申请实施例一所提供的阵列基板的第一种结构示意图；
[0033]图2为本申请实施例一所提供的阵列基板的第二种结构示意图；
[0034]图3为本申请实施例一所提供的阵列基板的第三种结构示意图；
[0035]图4为本申请实施例二所提供的阵列基板的第一种结构示意图；
[0036]图5为本申请实施例二所提供的阵列基板的第二种结构示意图；
[0037]图6为本申请实施例二所提供的阵列基板的第三种结构示意图；
[0038]图7为本申请实施例所提供的阵列基板的制备方法的步骤流程图；
[0039]图8A～图8F为本申请实施例所提供的阵列基板的制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0041]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；第一栅极，设置于所述基板上方；有源层，设置于所述第一栅极上方，所述有源层包括沟道区；栅极绝缘层，设置于所述有源层上方；第二栅极，设置于所述栅极绝缘层上方，所述第二栅极覆盖所述有源层的沟道区；源极以及漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层的两端；其中，所述第二栅极和所述第一栅极在沿所述有源层沟道区的方向上部分重叠。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离大于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离小于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与所述源极之间的距离，所述第二栅极与所述漏极之间的距离大于所述第一栅极与所述漏极之间的距离。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括与所述源极相接触的源极接触区，以及包括与所述漏极相接触的漏极接触区；所述源极接触区和所述漏极接触区之间由所述沟道区隔开；所述源极和所述漏极均位于所述有源层与所述基底之间；其中，所述源极、所述漏极以及所述第一栅极同层且间隔设置。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，沿所述有源层的沟道区方向，所述第二栅极与所述源极之间的距离小于所述第一栅极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：