一种衬底处理设备和抬升销对齐设备，所述衬底处理设备包括：腔室；衬底板，衬底可放置在衬底板上；多个可移动抬升销，其位于衬底板中，以支承衬底；调平传感器，其被配置为可装载于腔室中，位于抬升销上；控制器，其被配置为接收抬升销的平面的横摇φ和纵摇θ的测量值，以根据横摇φ和纵摇θ的测量值计算所述平面的旋转矩阵T，并且使用旋转矩阵T计算抬升销的用于将所述平面调平为与水平参考平面平行的行进距离，并且输出用于对齐抬升销的抬升销控制信号；以及抬升销驱动器，其根据抬升销控制信号移动抬升销。移动抬升销。移动抬升销。
【技术实现步骤摘要】
抬升销对齐方法和对齐设备以及衬底处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2019年7月25日在韩国知识产权局提交的标题为“抬升销对齐方法和对齐设备以及衬底处理设备”的韩国专利申请No.10-2019-0090330以引用方式全文并入本文中。
[0003]实施例涉及一种抬升销(lift pin)对齐方法和对齐设备以及衬底处理设备。
技术介绍
[0004]一种用于执行半导体单元处理的衬底处理设备可以包括腔室中的衬底板，衬底可安装于所述衬底板上，所述半导体单元处理用于制造半导体装置的光掩模。用于将衬底抬升的多个抬升销可以安装在衬底板中以彼此间隔开。
技术实现思路
[0005]可以通过提供一种衬底处理设备来实现实施例，所述衬底处理设备包括：腔室，其用于提供用于处理衬底的空间；衬底板，其位于腔室中，并且衬底可放置在所述衬底板上；多个抬升销，其从衬底板中突出，以支承衬底，所述多个抬升销被配置为上下移动；调平传感器，其被配置为可装载于腔室中，并位于从衬底板突出的所述多个抬升销上；控制器，其被配置为从调平传感器接收表示所述多个抬升销的平面的角度的横摇(φ)和纵摇(θ)的测量值，以根据横摇(φ)和纵摇(θ)的测量值计算所述平面的旋转矩阵(T)，通过使用旋转矩阵(T)计算抬升销的用于将所述平面调平以与水平参考平面平行的行进距离，并且输出用于将所述多个抬升销在水平平面内对齐的抬升销控制信号；以及抬升销驱动器，其被配置为根据抬升销控制信号移动所述多个抬升销。
[0006]可以通过提供一种衬底处理设备来实现实施例，所述衬底处理设备包括：腔室，其用于提供用于处理衬底的空间；衬底板，其位于腔室中，并且衬底可放置在所述衬底板上；多个抬升销，其从衬底板中突出，所述多个抬升销被配置为上下移动；调平传感器，其被配置为可装载于腔室中，并位于从衬底板突出的所述多个抬升销上；控制器，其被配置为基于来自调平传感器的感测值计算所述多个抬升销的平面相对于水平参考平面的倾斜，并且输出用于将所述多个抬升销调平在水平平面中的抬升销控制信号；以及抬升销驱动器，其被配置为根据抬升销控制信号使所述多个抬升销移动行进距离。
[0007]可以通过提供一种抬升销对齐设备来实现实施例，所述抬升销对齐设备包括：调平传感器，其位于从衬底板突出的多个抬升销上，以检测抬升销的平面相对于水平参考平面的倾斜；控制器，其被配置为基于来自调平传感器的感测值计算抬升销的平面相对于水平参考平面的倾斜，并且输出用于将抬升销调平在水平平面中的抬升销控制信号；以及抬升销驱动器，其被配置为根据抬升销控制信号将抬升销移动行进距离。
附图说明
[0008]通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域技术人员变得明显，其中：
[0009]图1示出了根据示例实施例的衬底处理设备的剖视图；
[0010]图2示出了图1的抬升销和衬底板的立体图；
[0011]图3示出了连接至图1的衬底处理设备的抬升销装置的控制器；
[0012]图4示出了图1的衬底板的平面图；
[0013]图5示出了根据示例实施例的抬升销对齐设备的框图；
[0014]图6和图7示出了根据示例实施例的调平传感器的平面图；
[0015]图8示出了图2的升起的抬升销上的调平传感器的立体图；
[0016]图9示出了图8的抬升销上的调平传感器的倾斜状态的剖视图；
[0017]图10示出了图9的倾斜调平传感器的旋转的立体图；
[0018]图11示出了根据示例实施例的抬升销对齐方法的流程图；
[0019]图12示出了抬升销构成的平面和用于调平的抬升销的行进距离的曲线图；
[0020]图13示出了根据示例实施例的制造光掩模的方法的流程图。
具体实施方式
[0021]图1示出了根据示例实施例的衬底处理设备的剖视图。图2示出了图1的衬底板上的抬升销的立体图。图3示出了连接至图1的衬底处理设备的抬升销装置的控制器。图4示出了图1的衬底板的平面图。
[0022]参照图1至图4，衬底处理设备10可以包括：腔室20，其被配置为提供用于处理衬底S(诸如光掩模衬底或晶圆W)的空间；以及衬底支承件100，其位于室20内，并且被配置为支承衬底。衬底支承件100可以包括衬底板(衬底可安放或者可放置于其上)和在衬底板中具有可上下(例如，在竖直Z方向上)移动以支承衬底的多个抬升销210的抬升销装置。另外，例如，衬底处理设备10还可以包括等离子体电源、偏置电源、气体源和排气部分。
[0023]在实施方式中，衬底处理设备10可以是使用等离子体对衬底进行蚀刻的等离子体处理设备。在实施方式中，衬底处理设备10可以是利用例如在腔室20中产生的感应耦合的等离子体(ICP)对衬底(诸如腔室20内的光掩模衬底)上的层进行蚀刻的设备。在实施方式中，可以通过衬底处理设备产生电容耦合等离子体、微波等离子体等。在实施方式中，例如，衬底处理设备可以是沉积设备、清洁设备等。在实施方式中，例如，由衬底处理设备10处理的衬底包括半导体衬底、玻璃衬底等。
[0024]腔室20可以提供密封的空间，在该密封的空间对衬底执行等离子体蚀刻处理。腔室20可以包括金属，例如铝、不锈钢等。腔室20可以包括覆盖腔室20的上部的盖体22。盖体22可以利用腔室20的上部形成气密密封。盖体22可以包括电介质窗。
[0025]在实施方式中，衬底支承件100可以安装在腔室20中，以支承衬底S。衬底支承件100可以被提供为用于使用静电力托持衬底S的静电吸盘。例如，衬底支承件100可以包括支承板110、绝缘板120和下盖体130。
[0026]支承板110可以位于衬底支承件100的一个部分(例如，上部)或者一侧。支承板110可以在其中包括静电电极。静电电极可以经由导通-关断(ON-OFF)开关电连接至DC电源。当
ON-OFF开关导通时，静电电极可以在支承板110上的衬底S上施加静电力，并且因此，衬底S可以通过静电力被托持在支承板110上。
[0027]绝缘板120可以在支承板110与下盖130之间，以在支承板110与下盖130之间电绝缘。
[0028]下盖体130可以位于衬底支承件100的另一部分(例如，下部)或者另一侧。下盖体130可以在其中具有(例如，面对绝缘板120的)上端开口的空间。下盖体130的上端可以被绝缘板120覆盖。包括用于将抬升销210上下(例如，在竖直Z方向上)移动的抬升销致动器的驱动机构可以位于下盖体130的空间中。
[0029]在实施方式中，加热器和多个通路可以在支承板110中。加热器可以电连接至电源，以通过支承板110加热衬底S。加热器可以包括螺旋线圈。通路可以用作传热流体通过其循环的通道。通路可以形成在支承板110中，以具有螺旋形。
[0030]在实施方式中，等离子体电源可以包括源RF电源42，以将等离子体电源电力输出施加至上电极40。源RF电源42可以产生射频(RF)信号。上电极40可以包括本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：腔室，其用于提供用于处理衬底的空间；衬底板，其位于所述腔室中，并且所述衬底能够放置在所述衬底板上；多个抬升销，其从所述衬底板中突出，以支承所述衬底，所述多个抬升销被配置为上下移动；调平传感器，其被配置为能够装载于所述腔室中并位于从所述衬底板突出的所述多个抬升销上；控制器，其被配置为从所述调平传感器接收表示所述多个抬升销的平面的角度的横摇φ和纵摇θ的测量值，以根据横摇φ和纵摇θ的所述测量值计算所述平面的旋转矩阵T，使用所述旋转矩阵T计算抬升销的用于将所述平面调平为与水平参考平面平行的行进距离，并且输出用于将所述多个抬升销在水平平面内对齐的抬升销控制信号；以及抬升销驱动器，其被配置为根据所述抬升销控制信号移动所述多个抬升销。2.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述控制器被配置为计算绕X轴旋转横摇φ的第一旋转矩阵Rx和绕Y轴旋转纵摇θ的第二旋转矩阵Ry，并且将所述第二旋转矩阵Ry与所述第一旋转矩阵Rx相乘以获得所述旋转矩阵T。3.如权利要求2所述的衬底处理设备，其中，由以下等式1表示所述第一旋转矩阵Rx，由以下等式2表示所述第二旋转矩阵Ry，并且由以下等式3表示所述旋转矩阵T：以下等式2表示所述第二旋转矩阵Ry，并且由以下等式3表示所述旋转矩阵T：T＝RyRx
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等式3。4.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述多个抬升销的所述行进距离是在竖直方向上距离所述水平平面的距离。5.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述控制器被配置为计算所述多个抬升销的最终行进距离，使得所述多个抬升销的高度向所述多个抬升销的平均高度收敛。6.如权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述控制器被配置为通过将所述行进距离分别减去所述多个抬升销的高度值的平均值来计算所述最终行进距离。7.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述控制器被配置为确定所述衬底板上的所述调平传感器的对齐状态。8.如权利要求7所述的衬底处理设备，其中，所述控制器被配置为确定所述调平传感器的滑动方向是否与所述衬底板的XYZ坐标对齐。9.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，在所述多个抬升销移动了计算出的所述行进距离之后，所述控制器被配置为从所述调平传感器接收横摇φ和纵摇θ的测量值，并且确定所述多个抬升销的平面在水平参考范围以内。10.如权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述调平传感器具有与光掩模衬底或者晶圆对应的形状...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏真镐，金建佑，金周喜，金珉成，金乙泰，尹宝拉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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