半导体封装制造技术

公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。线路部分的厚度。线路部分的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0088551的优先权，其全部内容通过引用合并在此。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体封装，更具体地，涉及一种包括重新分布衬底的半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0004]提供半导体封装以实现符合在电子产品中使用的集成电路芯片。半导体封装通常如此配置：半导体芯片安装在印刷电路板上，并使用键合线或凸块将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了各种研究来提高半导体封装的可靠性和耐久性。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有增强的可靠性和耐用性的半导体封装及其制造方法。
[0006]本专利技术构思的一些示例实施例提供了小型半导体封装及其制造方法。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：凸块下图案；下介电层，覆盖凸块下图案的侧壁；以及下介电层上的第一重新分布图案，第一重新分布图案包括第一线路部分，其中凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度，以及其中凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。
[0008]根据本专利技术构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：凸块下图案；介电层，覆盖凸块下图案的侧壁；以及凸块下图案上的重新分布图案，重新分布图案耦接至凸块下图案，其中凸块下图案的侧壁和底表面之间的角度在105
°
至 135
°
的范围内。
[0009]根据本专利技术构思的一些示例实施例，本公开涉及一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，重新分布衬底包括：导电端子焊盘；下介电层，覆盖导电端子焊盘的侧壁；下介电层上的线路图案；以及导电端子焊盘与线路图案之间的过孔，过孔与导电端子焊盘的顶表面接触，其中导电端子焊盘的厚度大于线路图案的厚度，以及其中过孔的宽度小于导电端子焊盘的宽度。
附图说明
[0010]图1A、图1C、图1E、图1G、图1H、图1I、图1K、图1L、图1M、图1O和图1Q图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法的截面图。
[0011]图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。
[0012]图1D图示了示出图1C的部分I的放大图。
[0013]图1F图示了示出图1E的部分I的放大图。
[0014]图1J图示了示出图1I的部分I的放大图。
[0015]图1L图示了示出图1K的部分I的放大图。
[0016]图1N图示了示出图1M的部分I的放大图。
[0017]图1P图示了示出图1O的部分I的放大图。
[0018]图1R图示了示出图1Q的部分I的放大图。
[0019]图2A、图2C和图2E图示了示出根据一些示例性实施例的制造半导体封装的方法的截面图。
[0020]图2B图示了示出图2A的部分I的放大图。
[0021]图2D图示了示出图2C的部分I的放大图。
[0022]图2F图示了示出图2E的部分I的放大图。
[0023]图3A和图3B图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法的截面图。
[0024]图4图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
[0025]图5图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
[0026]图6A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的平面图。
[0027]图6B图示了沿图6A的线II-III截取的截面图。
[0028]图6C图示了图6B的IV部分的放大图。
[0029]图6D图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
[0030]图6E图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
[0031]图7A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
[0032]图7B图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的截面图。
具体实施方式
[0033]在本说明书中，相同的附图标记可以表示相同的组件。下面将描述根据本专利技术构思的半导体封装及其制造方法。
[0034]图1A、图1C、图1E、图1G、图1H、图1I、图1K、图1L、图1M、图1O和图1Q图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法的截面图。图1B图示了示出图1A的部分I的放大图。图1D图示了示出图1C的部分I的放大图。图1F图示了示出图1E的部分I的放大图。图1J图示了示出图1I的部分I的放大图。图1L图示了示出图 1K的部分I的放大图。图1N图示了示出图1M的部分I的放大图。图 1P图示了示出图1O的部分I的放大图。图1R图示了示出图1Q的部分I的放大图。
[0035]参照图1A和图1B，可以在载体衬底900上形成下部种子层151 和第一介电层101。释放层910还可以介于载体衬底900和下部种子层151之间。下部种子层151可以形成在载体衬底900上，并且可以覆盖释放层910的顶表面。下部种子层151可以通过沉积工艺形成。下部种子层151可以包括导电材料。例如，下部种子层151可以包括铜、钛及其合金中的一种或多种。释放层910可以将下部种子层151 附接到载体衬底900。
[0036]第一介电层101可以形成在下部种子层151的顶表面上。例如，第一介电层101可以
接触下部种子层151的顶表面。第一介电层101 可以通过诸如旋涂或狭缝涂覆等涂覆工艺形成。第一介电层101可以包括例如光敏聚合物。光敏聚合物可包括例如光敏聚酰亚胺、聚苯并恶唑、酚醛聚合物和苯并环丁烯聚合物中的一种或多种。
[0037]可以对第一介电层101进行图案化以在第一介电层101中形成第一初步开口119P。第一介电层101的图案化可以通过曝光和显影工艺来执行。第一初步开口119P可以暴露释放层910或载体衬底900上的下部种子层151。第一初步开口119P可以具有基本上垂直于第一介电层101的底表面101b的侧壁119c。
[0038]参照图1C和图1D，第一介电层101可以经历固化工艺以形成第一开口119。第一介电层101的固化工艺可以包括热固化工艺。在固化工艺期间，如图1D所示，第一介电层101的一部分可以流向第一初步开口119P，从而形成第一开口119。第一开口119可以具有渐缩形状。例如，第一开口119的直径可以在其顶部大于其底部。第一开口 119的宽度可以在其顶部大于其底部。第一开口119的底部可以比第一开口119的顶部靠近载体衬底900。第一开口119可以暴露第一介电层101的内壁101c。第一介电层101的内壁101c可以对应于第一开口119的侧壁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及所述重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，所述重新分布衬底包括：凸块下图案；下介电层，覆盖所述凸块下图案的侧壁；以及所述下介电层上的第一重新分布图案，所述第一重新分布图案包括第一线路部分，其中，所述凸块下图案在顶表面处的宽度大于所述凸块下图案在底表面处的宽度，以及其中，所述凸块下图案的厚度大于所述第一线路部分的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一重新分布图案还包括所述凸块下图案与所述第一线路部分之间的第一过孔部分。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一过孔部分的宽度小于所述凸块下图案在顶表面处的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述凸块下图案的厚度是所述第一线路部分的厚度的2.5倍至10倍。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一重新分布图案包括：所述下介电层的顶表面上的第一导电层；以及所述下介电层的顶表面与所述第一导电层之间的第一种子层，所述第一种子层延伸到所述凸块下图案的顶表面上并与所述凸块下图案的顶表面接触。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一线路部分包括彼此间隔开的多个第一线路部分，以及其中，所述下介电层的底表面与所述第一线路部分的底表面之间的最大间隔为所述下介电层的底表面与所述第一线路部分的底表面之间的最小间隔的100％至130％。7.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：所述下介电层上的上介电层；以及所述上介电层的顶表面上的第二重新分布图案，所述第二重新分布图案包括第二线路部分，其中，所述凸块下图案的厚度大于所述第二线路部分的厚度。8.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括所述凸块下图案的底表面上的外部端子。9.根据权利要求8所述的半导体封装，还包括：所述凸块下图案与所述外部端子之间的下部凸块下图案；以及所述下部凸块下图案与所述凸块下图案之间的种子图案，其中，所述下部凸块下图案包括与所述凸块下图案的材料不同的材料。10.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：所述重新分布衬底上的连接衬底，所述连接衬底包括多个基层和导电结构，其中，所述连接衬底具有孔，以及其中，所述半导体芯片设置在所述孔中。11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
所述重新分布衬底的顶表面上的导电结构，所述导电结构与所述半导体芯片间隔开；以及所述重新分布衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：全光宰，金东奎，朴正镐，张延镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：