一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒，包括导流筒外导和导流筒内胆，导流筒外导和导流筒内胆之间为保温材质，导流筒内胆在轴向上为多层的环形阶梯结构，环形阶梯结构的内径从下至上逐渐增大，所述导流筒内胆内设有与导流筒内胆的环形阶梯结构相同的水冷热屏，水冷热屏的上部高于导流筒内胆。本实用新型专利技术大大提升单晶硅拉制时的拉速，从而减少拉制整根单晶硅棒的耗时。拉制整根单晶硅棒的耗时。拉制整根单晶硅棒的耗时。

【技术实现步骤摘要】
一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒


[0001]本技术属于光伏制造
，涉及一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒。

技术介绍

[0002]现有的传统导流筒无法将拉速到2.0mm/min，并且，随着单晶硅行业的不断崛起，单晶硅片的不断降价，必须要做到低成本、高盈利，传统导流筒适合拉制8.5吋单晶硅，已经局限了单晶硅生产尺寸，而新型导流筒弥补其不足。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术存在的传统导流筒局限了单晶硅生产尺寸，提供一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒，包括导流筒外导和导流筒内胆，导流筒外导和导流筒内胆之间为保温材质，所述导流筒内胆在轴向上为多层的环形阶梯结构，环形阶梯结构的内径从下至上逐渐增大，所述导流筒内胆内设有与导流筒内胆的环形阶梯结构相同的水冷热屏，水冷热屏的上部高于导流筒内胆。
[0006]作为更进一步的优选方案，所述水冷热屏最下层的环形阶梯的内径为300mm。
[0007]作为更进一步的优选方案，所述水冷热屏最下层的环形阶梯侧壁与导流筒外导之间的距离30mm。
[0008]作为更进一步的优选方案，所述水冷热屏总高480mm，共有四层至六层的环形阶梯。
[0009]作为更进一步的优选方案，水冷热屏每层环形阶梯的宽度为4mm。
[0010]本技术通过改变导流筒内胆和水冷热屏的结构，大大提升单晶硅拉制时的拉速，从而减少拉制整根单晶硅棒的耗时。可以增加产能约25%；本技术的导流筒适用于大直径9吋单晶硅拉制，每根单晶硅棒相比8.5吋单晶硅棒增加产量约9%。
附图说明
[0011]图1为本技术的结构示意图；
[0012]其中：1—导流筒外导，2—导流筒内胆，3—保温材质，4—水冷热屏。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0014]如图1所示的一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒，本专利针对大尺寸9吋单晶硅在高拉速下拉制出成品单晶硅棒，整个导流筒结构主要分为四部分，即导流筒外导1、导流
筒内胆2、保温材质3、水冷热屏4，导流筒外导1和导流筒内胆2之间为保温材质3，该材质为软碳毡，竖立层层排列，所述导流筒内胆2在轴向上为多层的环形阶梯结构，环形阶梯结构的内径从下至上逐渐增大，所述导流筒内胆2内设有与导流筒内胆2的环形阶梯结构相同的水冷热屏4，水冷热屏4的上部高于导流筒内胆2。
[0015]在直拉单晶硅工艺时，在等经阶段，为了使大尺寸9吋单晶硅能够高速正常生长，将水冷热屏4最下层的环形阶梯的内径改为300mm，加快单晶的凝结度，导流筒内胆从石墨圆弧面改为钼材质阶梯面，可以提高单晶硅等经状态中温度的稳定性并且提高生长拉速，增加保温性能。
[0016]具体的说，在原有结构中导流筒内胆2为石墨内胆，其外表面是圆弧面，导热系数151W/（m
·
K）。在改进结构中导流筒内胆2改为钼材质的环形阶梯面，导热系数为135W/（m
·
K）。由原来的圆弧面改为阶梯面，更改结构加强水冷，根据增加温度梯度来提拉速，加大了纵向温度梯度，增加单晶硅等经状态中温度的稳定性并且提高生长拉速，减小导热系数，增加保温性能。
[0017]在本专利中，导流筒内胆2与水冷热屏4完美衔接，间隙≤1mm，而且导流筒内胆2下沿距离导流筒外导下沿距离为30mm，在调温及等径过程中水冷热屏4最下层的环形阶梯侧壁与导流筒外导1之间的距离从原有的40mm改为30mm，极好的控制了单晶硅的径向温度梯度，提高单晶硅拉制过程中温度的稳定性。
[0018]其具体尺寸要求如下，水冷热屏4总高480mm，共有四层至六层的环形阶梯；水冷热屏4每层环形阶梯的宽度为4mm。
[0019]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒，包括导流筒外导（1）和导流筒内胆（2），导流筒外导（1）和导流筒内胆（2）之间为保温材质（3），其特征在于：所述导流筒内胆（2）在轴向上为多层的环形阶梯结构，环形阶梯结构的内径从下至上逐渐增大，所述导流筒内胆（2）内设有与导流筒内胆（2）的环形阶梯结构相同的水冷热屏（4），水冷热屏（4）的上部高于导流筒内胆（2）。2.根据权利要求1所述的一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒，其特征在于：所述水冷热屏（4...

【专利技术属性】
技术研发人员：段俊飞，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：新型
国别省市：