一种显示基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种显示基板及显示装置，该显示基板包括：衬底基板；形成于衬底基板之上的栅金属图形，栅金属图形包括多根栅金属走线；形成于栅金属图形的远离衬底基板的一侧的源漏金属图形，包括多根源漏金属走线；栅金属走线与源漏金属走线交叉设置，且栅金属走线在与源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且第一走线部分和第二走线部分在第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，第一分界线与源漏金属走线的走线方向相同。本实用新型专利技术的显示基板及显示装置，能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。所造成的显示不良。所造成的显示不良。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及显示装置


[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着液晶显示的广泛应用，解决各种显示不良和优化显示效果的技术和设计也在逐步发展。在相关技术中，显示器件有一种显示不良是：基于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板工艺制作流程，数据线(即Data线，由源漏金属层形成)在栅线和公共电极线(即Gate&Com线，由栅金属层形成)上面形成，由于栅线和公共电极线具有一定的厚度，因此，数据线在跨越栅线和公共电极线时会形成一定的坡度跨越，而数据线较细，在爬坡处容易断开造成显示不良，降低产品良率，降低收益。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本技术提供一种显示基板及显示装置，能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。
[0004]为了达到上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0005]本技术一方面提供了一种显示基板，包括：
[0006]衬底基板；
[0007]形成于所述衬底基板之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线；
[0008]及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线；
[0009]其中所述栅金属走线与所述源漏金属走线交叉设置，且所述栅金属走线在与所述源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，所述第一分界线与所述源漏金属走线的走线方向相同。
[0010]示例性的，所述预定距离为0.9～1.1μm。
[0011]示例性的，所述预定距离为1μm。
[0012]示例性的，所述栅金属走线包括栅线和/或公共电极线；
[0013]所述源漏金属走线包括数据线。
[0014]示例性的，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽相同。
[0015]示例性的，所述栅线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为24
±
1μm；
[0016]所述公共电极线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为10
±
1μm。
[0017]示例性的，所述源漏金属走线在垂直于所述源漏金属走线的走线方向上的线宽为
7
±
1μm。
[0018]本技术的另一方面提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0019]本技术所带来的技术效果如下：
[0020]本公开实施例所提供的显示基板及显示装置，栅金属走线在与源漏金属走线交叉的位置划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，也就是说，将栅金属走线在与源漏金属走线的走线方向垂直的方向上分为两部分走线，并且两部分走线进行错位设计，这样，源漏金属走线跨越栅金属走线上的错位结构所在位置时，跨越处由水平线变成具有一定倾角的斜线，从而，既能增大源漏金属走线爬坡跨越宽度，而改善断线，又不会增加源漏金属走线与栅金属走线之间的电容，不会增加像素Load。
附图说明
[0021]图1表示本公开实施例中的显示基板中栅金属线和源漏金属线交叉位置的局部结构示意图；
[0022]图2表示本公开一些示例性实施例中显示基板中栅线、公共电极线与数据线交叉位置的具体结构示意图。
具体实施方式
[0023]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在对本公开实施例提供的显示基板进行详细说明之前，有必要对于现有技术进行以下说明：
[0026]随着液晶显示的广泛应用，解决各种显示不良和优化显示效果的技术和设计也在逐步发展。在相关技术中，显示器件有一种显示不良是：基于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板工艺制作流程，数据线(即Data线，由源漏金属层形成)在栅线和公共电极线(即Gate&Com线，由栅金属层形成)上面形成，由于栅线和公共电极线具有一定的厚度，因此，数据线在跨越栅线和公共电极线时会形成一定的坡度跨越，而数据线较细，在爬坡处容易断开造成显示不良，降低产品良率，降低收益。
[0027]而在相关技术中，为了解决数据线在爬坡处容易断开导致的不良，采用的改善方式是，在爬坡处增加数据线的宽度，但是在爬坡处增加数据线的宽度同时会增大数据线与栅线和公共电极线之间电容，而降低充电率，从而影响产品的显示质量。
[0028]针对上述问题，如图1所示，本技术实施例中提供了一种显示基板，包括：
[0029]衬底基板100；
[0030]形成于所述衬底基板100之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线200；
[0031]及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板100的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线300；
[0032]其中所述栅金属走线200与所述源漏金属走线300交叉设置，且所述栅金属走线200在与所述源漏金属走线300交叉的位置，以第一分界线K为界线，划分为第一走线部分210和第二走线部分220，且所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，并连接为一体，所述第一分界线K与所述源漏金属走线300的走线方向相同。
[0033]上述公开实施例中，所述栅金属走线200在与所述源漏金属走线300交叉的位置划分为第一走线部分210和第二走线部分220，且所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，并连接为一体，也就是说，将所述栅金属走线200在与源漏金属走线300的走线方向垂直的方向上分为两部分走线，且两部分走线进行错本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；形成于所述衬底基板之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线；及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线；其中所述栅金属走线与所述源漏金属走线交叉设置，且所述栅金属走线在与所述源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，所述第一分界线与所述源漏金属走线的走线方向相同。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述预定距离为0.9～1.1μm。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述预定距离为1μm。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅金属走线包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓颖，闫岩，田丽，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：