IGBT控制模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种IGBT控制模块，属于功率单元器件散热技术领域。包括IGBT模块，所述IGBT模块包括设置在两端的两个IGBT模块，两个IGBT模块之间设有若干个滤波电容，两个IGBT模块与滤波电容采用汇流排连接；其中一个所述的IGBT模块通过铜排与整流桥连接，所述IGBT模块底部设有内部中空的水冷箱，所述汇流排两侧固定连接设有两根铜管。本实用新型专利技术结构设计合理，利用水冷箱和铜管配合解决了IGBT模块运行时的发热问题。时的发热问题。时的发热问题。

【技术实现步骤摘要】
IGBT控制模块


[0001]本技术涉及一种IGBT控制模块，属于功率单元器件散热


技术介绍

[0002]IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的大功率设备，如大功率的网带炉设备。IGBT 模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管模块)与FWD(续流二极管模块)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块可直接应用于设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便等特点，目前市场上销售的多为此类模块化产品，随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
[0003]但是，IGBT模块跟其他电子设备一样，运行时会产生大量的热，如不及时散热，则会影响其性能和寿命。IGBT等功率元件的损耗在有限空间达到了几十千瓦，然而采用传统的风冷式散热已经很难满足高损耗功率元件的需求。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提出一种IGBT控制模块，用于解决IGBT模块运行时过热的问题。
[0005]本技术所述的一种IGBT控制模块，包括IGBT模块，所述IGBT模块包括设置在两端的两个IGBT模块，两个IGBT模块之间设有若干个滤波电容，两个IGBT模块与滤波电容采用汇流排连接；其中一个所述的IGBT模块通过铜排与整流桥连接，所述 IGBT模块底部设有内部中空的水冷箱，所述汇流排两侧固定连接设有两根铜管。
[0006]优选的，所述水冷箱两侧分别设有进水口和出水口。
[0007]优选的，所述铜管两侧设有进水口和出水口，所述进水口和出水口向上翘起。
[0008]本技术与现有技术相比所具有的有益效果是：
[0009]本技术结构设计合理，利用水冷箱和铜管配合解决了IGBT模块运行时的发热问题。
附图说明
[0010]图1是本技术结构示意图；
[0011]图2是本技术结构侧面示意图；
[0012]图中：1、IGBT模块；2、滤波电容；3、汇流排；4、螺栓；5、铜排；6、整流桥； 7、水冷箱；8、铜管。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本技术做进一步描述：
[0014]如图1和图2所示，本技术所述的一种IGBT控制模块，包括IGBT模块，所述IGBT模块包括设置在两端的两个IGBT模块1，两个IGBT模块1之间设有若干个滤波电容2，两个IGBT模块1与滤波电容2采用汇流排3连接，所述汇流排3通过螺栓 4固定在滤波电容2上；其中一个所述的IGBT模块1通过铜排5与整流桥6连接，所述IGBT模块底部设有内部中空的水冷箱7，所述滤波电容2、IGBT模块1、整流桥6 通过螺栓固定在水冷箱7上，所述汇流排3两侧固定连接设有两根铜管8。所述水冷箱 7两侧分别设有进水口和出水口。
[0015]所述铜管8两侧设有进水口和出水口，所述进水口和出水口向上翘起。
[0016]目前水冷散热可以取代风冷式散热，水冷式使用冷却液在泵的带动下强制循环带走散热元件的热量，与风冷式散热相比，具有安静、降温稳定、对环境依赖小的优点，是一种良好的散热方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT控制模块，其特征在于，包括IGBT模块，所述IGBT模块包括设置在两端的两个IGBT模块(1)，两个IGBT模块(1)之间设有若干个滤波电容(2)，两个IGBT模块(1)与滤波电容(2)采用汇流排(3)连接；其中一个所述的IGBT模块(1)通过铜排(5)与整流桥(6)连接，所述IGBT模块底部设...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪圣辉，李磊，王怀义，
申请(专利权)人：淄博延展电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：