TVS二极管两片式框架组件制造技术

TVS二极管两片式框架组件。涉及半导体器件技术领域，具体涉及TVS二极管的两片式框架。包括上框架组件和下框架组件，所述下框架组件包括下框架上边、下框架下边，以及连接在所述下框架上边和所述下框架下边之间的若干下框架筋条，在所述下框架筋条的两侧均布有若干下框架单元；所述上框架组件包括上框架上边、上框架下边，以及连接在所述上框架上边和所述上框架下边的一根上框架筋条；所述上框架筋条的两侧均布有若干上框架单元；所述上框架组件叠加在所述下框架组件上时，所述下框架单元和所述上框架单元一一对位。本实用新型专利技术减少了应力对TVS二极管的影响，提高TVS二极管在后期使用中的稳定性，并延长了TVS二极管的使用寿命。并延长了TVS二极管的使用寿命。并延长了TVS二极管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
TVS二极管两片式框架组件


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体涉及TVS二极管的两片式框架。

技术介绍

[0002]TVS二极管，又称为瞬态抑制二极管,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。
[0003]TVS二极管作为电路中的保护器件，自身的质量就显得尤为重要。目前TVS二极管在生产过程中，切筋和弯脚过程中产生的应力。在后期使用过程中，应力的释放会影响TVS二极管稳定性，从而导致其失效。

技术实现思路

[0004]本技术针对以上问题，提供了一种能削弱生产过程中产生的振动力和应力的TVS二极管两片式框架组件。
[0005]本技术的技术方案是：TVS二极管框架组件，包括上框架组件和下框架组件，所述下框架组件包括下框架上边、下框架下边，以及连接在所述下框架上边和所述下框架下边之间的若干下框架筋条，在所述下框架筋条的两侧均布有若干下框架单元；所述上框架组件包括上框架上边、上框架下边，以及连接在所述上框架上边和所述上框架下边的一根上框架筋条；所述上框架筋条的两侧均布有若干上框架单元；所述上框架组件叠加在所述下框架组件上时，所述下框架单元和所述上框架单元一一对位。
[0006]所述上框架组件的所述上框架上边和所述上框架下边上分别设有上框架组件定位孔；所述下框架组件的所述下框架上边和所述下框架下边分别设有下框架组件定位孔；所述上框架组件定位孔与所述下框架组件定位孔的位置相对位。
[0007]所述上框架组件的上框架上边的一端设有倒角。
[0008]所述下框架组件的下框架上边的另一端设有倒角。
[0009]所述上框架单元通过上引脚连接所述上框架筋条，在所述上引脚的表面开设有至少一根上压槽。
[0010]在所述上引脚的表面还开设有至少一根上压痕。
[0011]所述下框架单元通过下引脚连接所述下框架筋条，在所述下引脚的表面开设有至少一根下压槽。
[0012]在所述下引脚的表面开设有至少一根下压痕。
[0013]本技术的有益效果是：若干个上框架组件在下框架组件上是断开不连续的。在切筋落料的工序中，切筋产生的振动只会沿着下框架组件向后传递，不但削弱了上框架组件和下框架组件整体振动的力度，而且避免上框架组件和下框架组件对TVS二极管产生
交变应力。除了上框架组件结构的改变，上引脚和下引脚表面都有至少一根压槽，也减少了在弯脚工序时产生的折弯应力。本技术通过上述途径，减少了应力对TVS二极管的影响，提高TVS二极管在后期使用中的稳定性，并延长了TVS二极管的使用寿命。
附图说明
[0014]图1是上框架组件结构示意图，
[0015]图2是下框架组件结构示意图，
[0016]图3是上框架组件与下框架组件叠合结构示意图，
[0017]图4是引脚折弯处预压痕示意图，
[0018]图5是TVS二极管结构示意图，
[0019]图6是TVS二极管剖面示意图。
[0020]图中1是上框架组件，11是上框架单元，111是上引脚，112是上框架单元芯片连接面，12是上框架筋条，131是上框架上边，132是上框架下边，14是上框架组件定位孔，2是下框架组件，21是下框架单元，211是下引脚，212是下框架单元芯片承载面，22是下框架筋条，231是下框架上边，232是下框架下边，24是下框架组件定位孔，25是下框架组件安装定位孔，3是引脚压槽，4是引脚压痕，5是TVS二极管。
具体实施方式
[0021]以下结合附图，进一步地说明本技术，TVS二极管框架组件，包括上框架组件1和下框架组件2，下框架组件2包括下框架上边231、下框架下边232，以及连接在下框架上边231和下框架下边232之间的若干下框架筋条22，在下框架筋条22的两侧均布有若干下框架单元21；上框架组件1包括上框架上边131、上框架下边132，以及连接在上框架上边131和上框架下边132的一根上框架筋条12；上框架筋条12的两侧均布有若干上框架单元11；上框架组件1叠加在下框架组件2上时，下框架单元21和上框架单元11一一对位。
[0022]上框架组件1的上框架上边131和上框架下边132上分别设有上框架组件定位孔14，上框架组件定位孔14是上框架筋条12上下两侧的圆孔；下框架组件2的下框架上边231和下框架下边232分别设有下框架组件定位孔24，下框架组件定位孔24是下框架上边231上两个腰圆孔间夹着的一个圆孔以及与之正对的下框架下边232圆孔。上框架组件定位孔14与下框架组件定位孔24的位置相对位，从而使上框架单元11和下框架单元21一一对位。
[0023]下框架组件2的下框架上边231和下框架下边232分别还设有下框架组件安装定位孔25。下框架组件安装定位孔25是下框架筋条22分别正对下框架上边231和下框架下边232的一个圆孔。
[0024]上框架组件1的上框架上边131的一端设有倒角，倒角设在上框架上边131左上边，用于快速区别上框架组件1的正反面。
[0025]下框架组件2的下框架上边231的另一端设有倒角，倒角设在下框架上边231右上边，用于快速区别下框架组件2的正反面。
[0026]上框架单元11通过上引脚111连接上框架筋条12，在上引脚111的表面开设有至少一根上压槽3；下框架单元21通过下引脚211连接下框架筋条22，在下引脚211的表面开设有至少一根下压槽3，可以根据不同的折弯需求在上引脚111和/或下引脚211表面开设数量不
等的压槽3。
[0027]在上引脚111的表面还开设有至少一根上压痕4，在下引脚211的表面开设有至少一根下压痕4。压痕4是为了提高塑封料与上引脚111和/或下引脚211表面的粘合度。
[0028]TVS二极管框架组件加工TVS二极管的方法，按以下步骤进行：
[0029]1）、将下框架组件2定位安置于焊接治具内，并在若干下框架单元21的芯片承载面212上逐一放置TVS二极管芯片；
[0030]2）、再将上框架组件1逐个定位堆叠到下框架组件2上，使上框架单元21的芯片连接面112覆盖在TVS二极管芯片的顶面；
[0031]3）、焊接，封装；
[0032]4）、低振动传导切断，制得。
[0033]在步骤4）后，可以根据不同的需要，将上引脚111和/或下引脚211沿上压槽3和/或下压槽3折弯。
[0034]本技术并不局限于上述实施例，在本技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.TVS二极管两片式框架组件，包括上框架组件和下框架组件，所述下框架组件包括下框架上边、下框架下边，以及连接在所述下框架上边和所述下框架下边之间的若干下框架筋条，在所述下框架筋条的两侧均布有若干下框架单元；其特征在于，所述上框架组件包括上框架上边、上框架下边，以及连接在所述上框架上边和所述上框架下边的一根上框架筋条；所述上框架筋条的两侧均布有若干上框架单元；所述上框架组件叠加在所述下框架组件上时，所述下框架单元和所述上框架单元一一对位。2.根据权利要求1所述的TVS二极管两片式框架组件，其特征在于，所述上框架组件的所述上框架上边和所述上框架下边上分别设有上框架组件定位孔；所述下框架组件的所述下框架上边和所述下框架下边分别设有下框架组件定位孔；所述上框架组件定位孔与所述下框架组件定位孔的位置相对位。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛伟，吕强，肖宝童，金铭，熊鹏程，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：