一种化学机械研磨设备制造技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨设备，包括：研磨垫、研磨盘以及研磨液供给装置，研磨盘包括上研磨盘和下研磨盘，上研磨盘中设置有研磨液通道，研磨液供给装置与研磨液通道的第一端连接，下研磨盘中设置有多个第一通孔，研磨液通道的第二端与多个通孔连接；研磨垫上设置有多个第一通孔对应的第二通孔；研磨液供给装置供给的研磨液通过研磨液通道、第一通孔以及第二通孔流至研磨垫下方的晶圆上。这样，利用下研磨盘中的多个第一通孔实现研磨液的分散，分散后的研磨液通过与第一通孔对应的第二通孔均匀分布于晶圆表面上，提高研磨后晶圆表面的均匀度。并且该设备无需在研磨垫与晶圆接触的表面上设置分流沟槽，延长研磨垫的寿命，缩短更换研磨垫的周期。更换研磨垫的周期。更换研磨垫的周期。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种化学机械研磨设备。

技术介绍

[0002]在化学机械研磨过程中，通常采用化学机械研磨设备对晶圆进行研磨，例如DGP8761HC。为了提高研磨后晶圆表面的均匀度，通常在研磨垫与晶圆接触的表面上设置沟槽，利用沟槽分散研磨液，使得研磨液较为均匀的分布于晶圆表面。但是该方法会缩小研磨垫表面的工作区域，缩短研磨垫的寿命。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种化学机械研磨设备，提高研磨后晶圆表面的均匀度，延长研磨垫的寿命。
[0004]为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：
[0005]一种化学机械研磨设备，包括：研磨盘、研磨垫以及研磨液供给装置；所述研磨盘包括上研磨盘和下研磨盘；
[0006]所述上研磨盘中设置有研磨液通道，所述研磨液通道的第一端与所述研磨液供给装置连接；所述下研磨盘中设置有多个第一通孔，所述研磨液通道的第二端与所述多个第一通孔连接；
[0007]所述研磨垫上设置有多个第二通孔，所述第二通孔分别与所述第一通孔对应；
[0008]所述研磨液供给装置用于供给研磨液，所述研磨液通过所述研磨液通道、所述多个第一通孔以及所述多个第二通孔流向所述研磨垫下方的晶圆上。
[0009]可选的，所述上研磨盘中设置有储液室，
[0010]则所述研磨液通道的第二端与所述储液室的第一端连接，所述储液室的第二端与所述多个第一通孔连接。
[0011]可选的，所述上研磨盘中设置有多个导流沟槽，每个所述导流沟槽具有一一对应的所述第一通孔；
[0012]则所述储液室的第二端通过所述多个导流沟槽与所述多个第一通孔连接。
[0013]可选的，每个所述导流沟槽上设置有控制阀，每个所述控制阀分别用于控制向对应的所述第一通孔流入的研磨液的流量和/或速度。
[0014]可选的，所述研磨液的流量和/或速度是根据所述第一通孔对应的第二通孔下方的晶圆的研磨程度确定的。
[0015]可选的，还包括：监控模块和控制模块；
[0016]所述监控模块用于监控所述晶圆的研磨程度；
[0017]所述控制模块用于在所述监控模块监控到所述晶圆的研磨程度后，调整每个所述导流沟槽流至对应的所述第一通孔的研磨液，以控制流向所述晶圆不同区域的研磨液。
[0018]可选的，还包括：
[0019]显示模块，所述显示模块用于显示所述研磨盘、所述研磨垫的损耗情况以及所述通孔的堵塞情况。
[0020]可选的，还包括：
[0021]报警模块，所述报警模块用于在至少一个所述第一通孔堵塞时进行报警。
[0022]可选的，所述储液室中设置有液位传感器，所述液位传感器用于监测所述储液室中的研磨液的液位。
[0023]可选的，还包括：控制塞，所述控制塞用于阻塞所述第一通孔和/或所述第二通孔，以调节所述研磨液在所述晶圆上的分布。
[0024]可选的，所述多个第一通孔均匀分布于所述下研磨盘上。
[0025]可选的，还包括：晶圆承载装置，所述晶圆承载装置位于所述研磨垫的下方，所述晶圆承载装置用于承载晶圆。
[0026]可选的，还包括：研磨垫支撑装置，所述研磨垫支撑装置位于所述下研磨盘和所述研磨垫之间，所述研磨垫支撑装置用于支撑所述研磨垫。
[0027]可选的，还包括：研磨固定装置，所述研磨盘固定装置位于所述上研磨盘上，所述研磨盘固定装置用于固定所述研磨盘。
[0028]本专利技术实施例提供的一种化学机械研磨设备，包括：研磨垫、研磨盘以及研磨液供给装置，研磨盘包括上研磨盘和下研磨盘，上研磨盘中设置有研磨液通道，研磨液供给装置与研磨液通道的第一端连接，下研磨盘中设置有多个第一通孔，研磨液通道的第二端与多个通孔连接；研磨垫上设置有多个第一通孔对应的第二通孔；研磨液供给装置供给的研磨液通过研磨液通道流向多个第一通孔，而后通过与第一通孔对应的第二通孔流至研磨垫下方的晶圆上。这样，利用下研磨盘中的多个第一通孔实现研磨液的分散，分散后的研磨液通过与第一通孔对应的第二通孔均匀分布于晶圆表面上，提高研磨后晶圆表面的均匀度。并且该设备无需在研磨垫与晶圆接触的表面上设置分流沟槽，延长研磨垫的寿命，缩短更换研磨垫的周期。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0030]图1示出了本专利技术实施例提供的一种化学机械研磨设备的结构示意图；
[0031]图2示出了本专利技术实施例提供的一种下研磨盘的结构示意图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。
[0033]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0034]正如
技术介绍
的描述，在化学机械研磨过程中，通常采用化学机械研磨设备对晶圆进行研磨，例如DGP8761HC。为了提高研磨后晶圆表面的均匀度，通常在研磨垫与晶圆接触的表面上设置沟槽，利用沟槽分散研磨液，使得研磨液较为均匀的分布于晶圆表面。但是该方法会缩小研磨垫表面的工作区域，缩短研磨垫的寿命。
[0035]为此，本申请实施例提供一种化学机械研磨设备，包括：研磨盘、研磨垫110以及研磨液供给装置120，所述研磨盘包括：上研磨盘102和下研磨盘104，参考图1所示；
[0036]所述上研磨盘102中设置有研磨液通道106，所述研磨液通道106的第一端与所述研磨液供给装置120连接；所述下研磨盘104中设置有多个第一通孔108，所述研磨液通道106的第二端与所述多个第一通孔108连接；
[0037]所述研磨垫110上设置有多个第二通孔112，所述第二通孔112分别与所述第一通孔108对应；
[0038]所述研磨液供给装置120用于供给研磨液，所述研磨液通过所述研磨液通道106、所述多个第一通孔108以及所述多个第二通孔112流向所述研磨垫110下方的晶圆130上。
[0039]本申请实施例中，上研磨盘102和下研磨盘104接触连接，上研磨盘102中设置有研磨液通道106，研磨液通道106的第一端与研磨液供给装置120连接，研磨液供给装置120供给的研磨液通过研磨液通道106流向下研磨盘104。下研磨盘104中设置有多个第一通孔108，研磨液通道106的第二端与多个第一通孔108连接，研磨液通过上研磨盘102中的研磨液通道106流向下研磨盘104中的多个第一通孔108中。下研磨盘104的下方设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨设备，其特征在于，包括：研磨盘、研磨垫以及研磨液供给装置；所述研磨盘包括上研磨盘和下研磨盘；所述上研磨盘中设置有研磨液通道，所述研磨液通道的第一端与所述研磨液供给装置连接；所述下研磨盘中设置有多个第一通孔，所述研磨液通道的第二端与所述多个第一通孔连接；所述研磨垫上设置有多个第二通孔，所述第二通孔分别与所述第一通孔对应；所述研磨液供给装置用于供给研磨液，所述研磨液通过所述研磨液通道、所述多个第一通孔以及所述多个第二通孔流向所述研磨垫下方的晶圆上。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述上研磨盘中设置有储液室，则所述研磨液通道的第二端与所述储液室的第一端连接，所述储液室的第二端与所述多个第一通孔连接。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述上研磨盘中设置有多个导流沟槽，每个所述导流沟槽具有一一对应的所述第一通孔；则所述储液室的第二端通过所述多个导流沟槽与所述多个第一通孔连接。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，每个所述导流沟槽上均设置有控制阀，每个所述控制阀分别用于控制向对应的所述第一通孔流入的研磨液的流量和/或速度。5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述研磨液的流量和/或速度是根据所述第一通孔对应的第二通孔下方的晶圆的研磨程度确定的。6.根据权利要求1-3任意一项所述的设备，其特征在于，还包括：监控模块和控制模块；所述监控模块用于监控所述晶圆的研磨程度...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯铭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：