当前位置: 首页 > 专利查询>皖西学院专利>正文

霍山石斛培养基及其制备方法技术

技术编号:27139502 阅读:29 留言:0更新日期:2021-01-27 20:57
本发明专利技术公开了霍山石斛培养基及其制备方法,包含如下重量份计的原料:香蕉1

【技术实现步骤摘要】
霍山石斛培养基及其制备方法


[0001]本专利技术涉及石斛培养
,尤其涉及霍山石斛培养基及其制备方法。

技术介绍

[0002]霍山石斛(DendrobiumhuoshanenseC.Z.TangetS.J.Cheng)又称为米斛,属于兰科植物的一种,是一种名贵的中草药。野生的霍山石斛大多生长在水边的苔藓上或湿度较大的岩石缝隙间,还有一些古老的参天大树上也能找到它的足迹,它常与苔藓等喜阴凉的植物附生在一起。霍山石斛中富含能有效提高机体免疫功能的物质,如多糖、氨基酸类物质,还有多种石斛碱类,这些都是现在天然产物开发研究的热门话题。霍山石斛作为一种珍贵的中药,对于那些经常熬夜的加班族、身体虚弱的病人以及抽烟喝酒无节制的人群具有很好的保健作用。霍山石斛对人体各个器官的疾病都有特殊疗效,它对人的眼睛、血液还有人体的肾脏、肺等器官都有好处。霍山石斛还能有效减慢生物体衰老,起到美容养颜的作用,所以受到很多人的欢迎。它还有防止细胞突变和抵抗肿瘤的作用,成为想要保健和长寿的人群的首选。
[0003]传统的霍山石斛培养基对霍山石斛进行无性繁殖培养时,霍山石斛生长速率慢,产率低。

技术实现思路

[0004]基于
技术介绍
存在的技术问题,本专利技术提出了霍山石斛培养基及其制备方法,提高了霍山石斛的生长速率。
[0005]本专利技术提出的霍山石斛培养基,包含如下重量份计的原料:
[0006]香蕉1-5份、土豆1-5份、生长素0.1-0.5份、路易斯酸1-3份、MS培养基质5-15份。
[0007]优选地,所述路易斯酸为氯化铝、氯化铁、三氟化硼、五氯化铌、三氟甲磺酸盐中的一种或几种。
[0008]本专利技术提出的霍山石斛培养基制备的方法步骤如下:
[0009]S1:向霍山石斛培养基制备装置中加入MS培养基所需原料和水,加热搅拌至原料完全溶解;
[0010]S2:向S1的混合液中加入香蕉和土豆,并混合均匀;
[0011]S3:向S2的混合液中加入生长素和路易斯酸并混合均匀;
[0012]S4:混合后溶液经滤网过滤后进入霍山石斛培养基制备装置中的暂存腔,并通过进料管对溶液进行定容,最后经分配组件添加至容器中即得霍山石斛培养基。
[0013]优选地,所述S1中加热的温度为80-100℃,搅拌转速300-400r/min。
[0014]优选地,所述霍山石斛培养基制备装置包括具有一容纳空间的壳体,所述壳体上端可拆卸地设有端盖,所述端盖连通有进料管,所述壳体的容纳空间从上至下依次包括第一混合腔、第二混合腔和第三混合腔,所述第一混合腔与所述第二混合腔之间可拆卸地设有第一滤网,所述第二混合腔与所述暂存腔连通有连接管,所述第一混合腔内设有第一搅
拌轴,所述第一搅拌轴一端贯穿所述端盖并与固定在所述端盖上端的搅拌电机的输出轴固定连接,所述第一搅拌轴另一端与贯穿所述第一滤网并与第二混合腔内的第二搅拌轴可拆卸连接,所述第一搅拌轴与所述第一滤网转动连接,所述第一混合腔内壁还固定设有加热管,所述暂存腔一侧还连通有出料管。
[0015]优选地,还包括分配组件,所述分配组件一侧连通有第一管道和第二管道,所述第一管道远离所述分配组件的一端与所述出料管连通,所述分配组件的内腔还滑动设有活塞,所述活塞远离所述第一管道的一端固定设有拉杆,所述拉杆远离所述第一管道的一端贯穿所述分配组件远离所述第一管道的一端的侧壁并与驱动组件固定连接。
[0016]优选地,所述驱动组件包括驱动块,所述驱动块内腔上下两侧固定设有齿条,所述驱动块的内腔还包括与所述齿条啮合的不完全齿轮,所述不完全齿轮与驱动电机传动连接。
[0017]优选地,还包括循环管,所述循环管一端与所述第二混合腔连通,所述循环管另一端与所述第一混合腔连通,所述循环管上固定设有输送泵。
[0018]优选地,所述连接管靠近所述第二混合腔的一端固定设有第二滤网。
[0019]与现有技术相比,本专利技术的有益技术效果:
[0020]本专利技术的培养基中加入了香蕉、土豆和路易斯酸,提高了霍山石斛的代谢分解速率;本专利技术的霍山石斛培养基质制备装置具有很好的混合效果,且其中的分配组件能够定量分配培养基,提高培育效率。
附图说明
[0021]图1为本专利技术提出的霍山石斛培养基制备装置的结构示意图;
[0022]图2为本专利技术提出的分配组件的结构示意图。
[0023]图中:1-第二混合腔、2-加热管、3-端盖、4-第一混合腔、5-第一搅拌轴、6-搅拌电机、7-进料管、8-输送泵、9-循环管、10-第一滤网、11-连接管、12-暂存腔、13-第二滤网、14-第二搅拌轴、15-壳体、16-出料管、17-分配组件、18-驱动块、19-不完全齿轮、20-齿条、21-拉杆、22-第一管道、23-第二管道、24-活塞。
具体实施方式
[0024]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。
[0025]实施例1
[0026]本专利技术提出的霍山石斛培养基,包含如下重量份计的原料:
[0027]香蕉1份、土豆1份、生长素0.1份、路易斯酸1份、MS培养基质5份。
[0028]路易斯酸为氯化铝、氯化铁、三氟化硼。
[0029]实施例2
[0030]香蕉5份、土豆5份、生长素0.5份、路易斯酸3份、MS培养基质15份。
[0031]路易斯酸为五氯化铌、三氟甲磺酸盐。
[0032]实施例3
[0033]香蕉3份、土豆3份、生长素0.3份、路易斯酸2份、MS培养基质10份。
[0034]路易斯酸为氯化铁、三氟化硼、五氯化铌、三氟甲磺酸盐。
[0035]对于本申请中的MS培养基来说,采用常规的霍山石斛培养用的组分即可。
[0036]上述实施例1-3培养基制备的方法步骤如下:
[0037]S1:向霍山石斛培养基制备装置中加入MS培养基所需原料和水,加热搅拌至原料完全溶解;
[0038]S2:向S1的混合液中加入香蕉和土豆,并混合均匀;
[0039]S3:向S2的混合液中加入生长素和路易斯酸并混合均匀;
[0040]S4:混合后溶液经滤网过滤后进入霍山石斛培养基制备装置中的暂存腔,并通过进料管对溶液进行定容,最后经分配组件添加至容器中即得霍山石斛培养基。
[0041]S1中加热的温度为90℃,搅拌转速350r/min。
[0042]霍山石斛培养基制备装置包括具有一容纳空间的壳体,所述壳体上端可拆卸地设有端盖,所述端盖连通有进料管,所述壳体的容纳空间从上至下依次包括第一混合腔、第二混合腔和第三混合腔,所述第一混合腔与所述第二混合腔之间可拆卸地设有第一滤网,所述第二混合腔与所述暂存腔连通有连接管,所述第一混合腔内设有第一搅拌轴,所述第一搅拌轴一端贯穿所述端盖并与固定在所述端盖上端的搅拌电机的输出轴固定连接,所述第一搅拌轴另一端与贯穿所述第一滤网并与第二混合腔内的第二搅拌轴可拆卸连接,所述第一搅拌轴与所述第一本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.霍山石斛培养基,其特征在于,包含如下重量份计的原料:香蕉1-5份、土豆1-5份、生长素0.1-0.5份、路易斯酸1-3份、MS培养基质5-15份。2.根据权利要求1所述的霍山石斛培养基,其特征在于,所述路易斯酸为氯化铝、氯化铁、三氟化硼、五氯化铌、三氟甲磺酸盐中的一种或几种。3.一种如权利要求1所述的霍山石斛培养基的制备方法,其特征在于,方法步骤如下:S1:向霍山石斛培养基制备装置中加入MS培养基所需原料和水,加热搅拌至原料完全溶解;S2:向S1的混合液中加入香蕉和土豆,并混合均匀;S3:向S2的混合液中加入生长素和路易斯酸并混合均匀;S4:混合后溶液经滤网过滤后进入霍山石斛培养基制备装置中的暂存腔,并通过进料管对溶液进行定容,最后经分配组件添加至容器中即得霍山石斛培养基。4.根据权利要求3所述的霍山石斛培养基的制备方法,其特征在于,所述S1中加热的温度为80-100℃,搅拌转速300-400r/min。5.根据权利要求3所述的霍山石斛培养基的制备方法,其特征在于,所述霍山石斛培养基制备装置包括具有一容纳空间的壳体,所述壳体上端可拆卸地设有端盖,所述端盖连通有进料管,所述壳体的容纳空间从上至下依次包括第一混合腔、第二混合腔和第三混合腔,所述第一混合腔与所述第二混合腔之间可拆卸地设有第一滤网,所述第二混合腔与所述暂存腔连通有连接管,...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪玉娟戴军徐重磊常子恩吴蒙娜张帅赵宇朱珊珊朱荣荣
申请(专利权)人:皖西学院
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利