在涂覆形成的夹层绝缘膜上具有透明导电膜的液晶显示器制造技术

制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为１００℃－１７０℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为１％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ＩＴＯ膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ＩＴＯ膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺陷。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器及其制造方法。更具体地说，本专利技术涉及具有高分辨显示板的液晶显示器，其中使用通过涂覆例如有机膜等形成的绝缘膜来用作夹层绝缘膜。
技术介绍
通常，广泛地使用透明型液晶显示器，其中薄膜晶体管(TFT)或金属绝缘体绝缘(MIM)器件用作驱动和控制每一象素的开头元件。图22A是局部放大的平面图，示出了在日本专利公开出版物No.9-152625中公开的使用TFT的常规透射式液晶显示器之有源矩阵基片的象素部分。图22B是沿图22A的线B-B所取的横截面图。在该透明式液晶显示器的有源矩阵基片中，以矩阵的方式形成多个象素电极。如图22A所示，在象素电极1的周围，设置有扫描线2a和信号线2b。扫描线2a相互平行设置并用于将扫描信号供给象素电极1。信号线2b相互平行设置并且与扫描线2a垂直。使用信号线2b将显示信号供给象素电极1。这样设置扫描线2a和信号线2b，每一扫描线2a的一部分和每一信号线的一部分重叠放置在象素电极的外围部分上。在扫描线2a和信号线2b之间相交的每一部分的附近，设置有与象素电极1耦合的薄膜晶体管(TFT)3。TFT3的栅极电极与扫描线2a耦合，TFT3的源极与信号线2b耦合。TFT3的漏极通过电极并通过接触孔5与象素电极耦合，并且通过连接电极4a与附加电容电极4b耦合。如图22B所示，在透明绝缘基片6上按所提到的顺序层叠栅极电极3a，栅极绝缘膜7a和半导体层8a。在半导体层的中间部分，设置沟道保护层8b。此外，设置一非晶硅(n+a-Si)层，该非晶硅层履盖半导体层8a，并且将非晶硅层在沟道保护层8a上分成源电极3b和漏电极3c。在源电极3b的端部设有信号线2b，信号线2b具有包括透明导电膜和金属层的两层结构。而且，在漏电极3c的端部设有透明导电膜和金属层，透明导电膜作为连接电极4a延伸，以便与漏电极3c和象素电极一起耦合。连接电极4a还与附加电容电极4b相连。此外，设有夹层绝缘膜(纯化膜)来履盖TFT3、扫描线、信号线和连接电极4a。下面将对具有上述结构的有源矩阵基片的制作过程进行解释。首先，在由例如玻璃等制造的透明绝缘基片6上形成栅电极3a。在包括栅电极3a等的区域，以提到的顺序一个接一个地形成栅极绝缘膜7a和非晶硅(n-Si)层。制作非晶硅(n-Si)层的图案以形成半导体层8a。接着，在半导体层8a上并在栅电极3a的上方，形成沟道保护膜8b。然后，形成非晶硅(n+-Si)层来履盖沟道保护层8b和半导体层8a，并制作图案以形成源电极3b和漏电极3c。在漏电极3b和漏电极3c上形成包括有机膜的夹层绝缘膜9，并在夹层绝缘膜9中开有接触孔5。此后，通过溅射形成履盖夹层绝缘膜9的氧化铟锡(ITO)膜，并制作ITO膜的图案来形成多个由ITO膜制成的透明象素电极。在上述过程中，最好是，在形成接触孔5之后，通过使用氧等离子体除去(ashed)包括有机膜的夹层绝缘膜9的表面。从而可以改进ITO膜和有机膜之间的粘着，并避免ITO膜和附加电容电极金属膜之间不良耦合。使用与无机膜相比具有较低介电常数的有机膜作为夹层绝缘膜来代替目前所用无机膜的原因是，减少信号线和象素电极之间的干扰。也就是说，通过使用有机膜作为夹层绝缘膜9，能够当象素电极和信号线部分重叠以改进孔径比时减少在信号线和象素电极之间的电容耦合，从而，能够减少干扰。通常，当在包括有机膜的夹层绝缘膜9上形成ITO膜时，使用高温溅射方法加热透明绝缘基片6，以改善ITO膜的制作图案特性。在日本专利No.2520399中公开了一种使用高温溅射制作ITO膜的方法的例子。在该专利中，描述了形成不引起滤色器变坏的高质量ITO膜的条件是，将基片的温度设置在180℃和250℃之间。在日本专利公开出版物No.9-152625中，根本没有描述形成ITO膜的条件。然而，当使用高温溅射形成ITO膜时，ITO膜会因为有机绝缘膜的除气作用而变坏，并且由于腐蚀残渣的产生而使制作的图案不好。这一点在使用湿蚀刻时尤为突出。为了避免这种缺限，可以想到使用低温溅射或非加热条件溅射在有机绝缘膜上形成ITO膜。然而，当使用低温溅射时，ITO膜和低层的金属膜之间的接触电阻变大。当接触电阻变大时，不可能实现基片区域中接触电阻足够均匀。接触电阻不足够均匀会引起显示在显示板表面上的图象之垂直条纹不均匀。接触电阻不足够均匀对在高分辨液晶显示板中的显示图象有较大影响，在该液晶显示板中由于各信号线之间的窄的间隔，与信号线耦合的信号接线端交替设置在相对侧，或者每隔一定量的这样的信号接线端交替设置在相对侧。而且，当接触电阻增大时，横向干扰现象将会出现在具有公用存储结构的扭转向列(TN)型液晶显示板中或出现在平面内转换(in-planeswitching)(IPS)型液晶显示板中。也就是说，在具有公用存储结构的TN型液晶显示板中，将公用电位(voltage potential)施加在用于形成存储电容的公用布线导体上。因此，必须使公用布线导体相互耦合。当使用在夹层绝缘膜(纯化膜)上的ITO膜使公用布线导体相互耦合的TFT基片结构时，接触电阻会因夹层绝缘膜由有机绝缘膜制成而变高。因此，公用布线导体的总电阻不可避免地会变高。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种液晶显示器及其制作方法，当在通过涂覆例如有机绝缘膜形成的夹层绝缘膜上形成ITO膜时，不产生腐蚀残渣，并能形成ITO膜和制作合适的ITO膜图案。本专利技术的另一目的是提供一种液晶显示器及其制作方法，其中在通过涂覆例如有机绝缘膜形成的夹层绝缘膜上形成ITO膜，并且能减少在ITO膜和下金属膜之间的接触电阻。本专利技术的另一目的是提供一种液晶显示器及其制作方法，能减少在ITO膜与下金属膜之间的接触电阻，从而能克服在液晶显示板上显示图象的缺限。本专利技术的另一目的是提供一种液晶显示器及其制作方法，能减少在ITO膜与下金属膜之间的接触电阻，从而能克服显示在液晶显示板上的图象的垂直条纹不均匀。本专利技术的另一目的是提供一种液晶显示器及其制作方法，能减少在ITO膜与下金属膜之间的接触电阻，从而能避免在液晶显示板中的横向干扰现象。本专利技术的另一目的是克服常规液晶显示器及其制作方法的缺点。根据本专利技术的第一方面，提供了一种制作液晶显示器的方法，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置在基片上的总线、与总线耦合的开关元件、由在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的透明导电膜来形成的象素电极，象素电极通过夹层绝缘膜形成的接触通孔与开关元件耦合，所述方法包括当在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片的温度控制为100℃-170℃。在此情况下，最好是，在加热室中先加热基片，然后将基片传送到形成透明导电膜的室中。最好是，在加热室中先加热基片并溅射刻蚀基片，然后将基片输送到形成透明导电膜的室中。进一步地，在同一真空状态下，先进行基片加热，在加热之后溅射刻蚀，然后形成透明导电膜。最好是，由涂覆形成的夹层绝缘膜是有机绝缘膜。更有利的是，液晶显示器具有与透明导电膜耦合的金属膜，透明导电膜由ITO膜制成，与透明导电膜耦合的金属膜由铬或铬为主要成分的合金制成。根据本专利技术的另一方面。提供了一种制作液晶显示器的方法，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置在基片上的总线、与总线耦合的开关元件、由在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作液晶显示器的方法，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置在基片上的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的由透明导电膜形成的象素电极，象素电极通过夹层绝缘膜形成的接触通孔与开关元件耦合，所述方法包括：在非加热状 态和氧流速比为１％或更少的状态下，在夹层绝缘膜上形成透明导电膜；在形成透明导电膜之后进行退火。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：木村茂，前田明寿，土居悟史，石野隆行，
申请(专利权)人：NEC液晶技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]