本发明专利技术提供一种适用于制造ＭＥＭＳ装置的设备及方法。所揭示设备的一个方面提供一种衬底，所述衬底包含一暴露至一固态蚀刻剂的可蚀刻材料，其中所述衬底及所述固态蚀刻剂设置于一蚀刻室中。在某些实施例中，所述固态蚀刻剂移动至紧靠所述衬底的位置。在其他实施例中，在所述衬底与所述固态蚀刻剂之间开有一可配置的间隔件。所述固态蚀刻剂形成一适用于蚀刻所述可蚀刻材料的气相蚀刻剂。在某些较佳实施例中，所述固态蚀刻剂是固体二氟化氙。所述设备及方法可在制作光学调制器时有利地用于实施一释放蚀刻。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体而言涉及制作电子装置。更具体而言，本专利技术涉及一种适用于制作微机电系统装置的设备及方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激励器及电子元件。微机械元件可采用沉积、蚀刻或其他可蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的若干部分或可添加若干层以形成电和机电装置的微机械加工工艺制成。这些工艺中的某些工艺类似于那些最初开始用于半导体制造的工艺。空间光调制器即为MEMS的一例子。许多种不同类型的空间光调制器可用于成像应用。其中一种类型的空间光调制器是干涉式调制器。干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或二者均可部分地透明且在施加一个适当的电信号时能够相对运动。其中一个板可包含一沉积在一衬底上的静止层，另一个板可包含一悬挂在该静止层上的金属隔板。上述装置具有广泛的应用范围，且在此项技术中，利用及/或修改这些类型装置的特性、以使其性能可用于改善现有产品及制造目前尚未开发的新产品将颇为有益。
技术实现思路
本专利技术的系统、方法及装置均具有多个方面，任一单个方面均不能单独决定其所期望特性。现在，对其更主要的特性进行简要说明，此并不限定本专利技术的范围。在查看这一论述，尤其是在阅读了标题为“具体实施方式”的部分之后，人们即可理解本专利技术的特性如何提供各种优点，例如包括产量提高、控制及工艺具有灵活性等。本文提供一种适用于制造MEMS装置的设备及方法。所揭示设备的一个方面提供一种衬底，所述衬底包含一暴露至一固态蚀刻剂的可蚀刻材料，其中所述衬底及所述固态蚀刻剂设置于一蚀刻室中。在某些实施例中，所述固态蚀刻剂移动至紧密靠近所述衬底。在其他实施例中，在所述衬底与所述固态蚀刻剂之间开有一可配置的间隔件。所述固态蚀刻剂形成一用于蚀刻所述可蚀刻材料的气相蚀刻剂。在某些较佳实施例中，所述固态蚀刻剂是固体二氟化氙。所述设备及方法可在制作光学调制器时有利地用于实施一释放蚀刻。某些实施例提供一种用于蚀刻的设备，其包括一室、一用于一上面形成有一微机电系统装置的衬底的支撑件、及固体二氟化氙，其中所述支撑件及所述固体二氟化氙设置于所述室内。本文所揭示的其他实施例提供一种用于蚀刻的设备，其包括一蚀刻剂模块及一蚀刻室，其中所述蚀刻室包括一内部、一外部、及一用于其中的一衬底的支撑件，其中所述设备具有一第一配置及一第二配置，在所述第一配置中，所述蚀刻剂模块设置于所述蚀刻室的内部并与一设置于所述支撑件上的衬底流体连通，在所述第二配置中，所述蚀刻剂模块不与设置于所述支撑件上的衬底流体连通。在某些实施例中，所述蚀刻剂模块可在一缩回位置与一伸出位置之间移动，在所述缩回位置中，所述蚀刻剂模块基本处于所述蚀刻室外，而在所述伸出位置中，所述蚀刻剂模块基本处于所述蚀刻室内。其他实施例提供一种用于蚀刻的设备，其包括一蚀刻室；一用于一上面形成有微机电装置的衬底的支撑件；一蚀刻剂模块；及一用于在所述蚀刻室内将所述支撑件上的衬底暴露至所述蚀刻剂模块的构件。其他实施例提供一种用于蚀刻的设备，其包括一用于一上面形成有一微机电系统装置的衬底的支撑件及固体二氟化氙，其中所述支撑件及所述固体二氟化氙相靠近，以使由所述固体二氟化氙形成的蒸气蚀刻一含有一可蚀刻材料的衬底。在某些实施例中，所述支撑件与固体二氟化氙相隔小于约10cm。本文所揭示的其他实施例提供一种用于制作一微机电系统装置的方法及一根据该方法制成的微机电系统装置，其中所述方法包括将一衬底支撑于一蚀刻室中，所述蚀刻室包括一内部、一外部、及一用于一衬底的支撑件；并设置一蚀刻剂模块，所述蚀刻剂模块位于所述蚀刻室的内部并与所述衬底流体连通，其中一固态蚀刻剂支撑于所述蚀刻剂模块中。在某些实施例中，所述微机电系统装置是一干涉式调制器。其他实施例提供一种用于制作一微机电系统装置的方法及一种根据该方法制成的微机电系统装置，其中所述方法包括在一蚀刻室内设置一包含一可蚀刻材料的衬底，及在所述蚀刻室内设置一固体蚀刻剂，其中所述固体蚀刻剂形成一能够蚀刻所述可蚀刻材料的气相蚀刻剂。其他实施例提供一种用于制作一微机电系统装置的方法及一种根据该方法制成的微机电系统装置，其中所述方法包括在一蚀刻室内设置一衬底，使一蚀刻剂模块伸入所述蚀刻室内，并容许所述气相蚀刻剂蚀刻所述材料。一固体蚀刻剂支撑于所述蚀刻剂模块上，且所述固体蚀刻剂形成一能够蚀刻所述衬底上的一材料的气相蚀刻剂。其他实施例提供一种用于制作一微机电系统装置的方法及一种根据该方法制成的微机电系统装置，其中所述方法包括在一蚀刻室内提供固体二氟化氙；在所述蚀刻室内支撑一包含一可蚀刻材料的衬底；及使用由所述固体二氟化氙产生的蒸气自所述衬底蚀刻掉所述可蚀刻材料。其他实施例提供一种用于制作一微机电系统装置的方法及一种根据该方法制成的微机电系统装置，其中所述方法包括在所述蚀刻室内支撑一含有一可蚀刻材料的衬底；及将固体二氟化氙足够靠近所述衬底地定位，以使所述固体二氟化氙所形成的蒸气蚀刻所述可蚀刻材料。在某些实施例中，所述支撑件与固体二氟化氙相隔小于约10cm。其他实施例提供一种用于蚀刻的设备，其包括用于容装一待蚀刻的衬底的构件。所述设备进一步包括用于支撑所述衬底的构件。所述设备进一步包括用于支撑一蚀刻剂的构件。所述设备进一步包括用于使所述支撑件与所述蚀刻剂模块紧密靠近地定位于所述蚀刻室内的构件。附图说明根据下文说明及附图(未按比例绘制)将易知本专利技术的这些及其他方面，这些附图旨在例示而非限定本专利技术。图1为一等角图，其显示一干涉式调制器显示器的一实施例的一部分，其中一第一干涉式调制器的一可移动镜处于一距一固定镜一预定距离处的反射位置或“开(on)”位置，且一第二干涉式调制器的可移动镜处于一非反射位置或“关(off)”位置。图2为一系统方框图，其显示一包含一3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一实施例。图3为图1所示干涉式调制器的一实例性实施例的可移动镜位置与所施加电压的关系图。图4为一组可用于驱动干涉式调制器显示器的行和列电压的示意图。图5A及图5B显示可用于向图3所示3×3干涉式调制器显示器写入一显示数据帧的行和列信号的一实例性时序图。图6A为一图1所示装置的剖面图。图6B为一干涉式调制器的一替代实施例的剖面图。图6C为一干涉式调制器的另一替代实施例的剖面图。图7A-图7E以剖面图形式显示在制作一干涉式调制器的实施例的过程中的某些中间结构。图8显示一适用于在制作MEMS装置过程中实施一释放蚀刻的设备的一实施例。图9为一流程图，其显示一种使用图8所示设备实施一释放蚀刻的方法的一实施例。图10A为一适用于在制作MEMS装置的过程中实施一释放蚀刻的设备的一实施例的透视图。图10B及图10C为图10A所示设备的一模块的详图，图10D及图10E分别为一蚀刻室的另一实施例的俯视图及剖面图。图11A-图11D显示一蚀刻剂模块的替代实施例。图12A及图12B显示蚀刻室的替代实施例。图13为一流程图，其显示一种使用图10A或12A所示设备实施一释放蚀刻的方法的一实施例。具体实施例方式如下文所更详细说明，本文所揭示的较佳实施例提供一种蚀刻室，其包括一用于一MEMS衬底的支撑件及一设置于所述蚀刻室内的固体蚀刻剂。在某些实施例中，所述固体蚀刻剂支撑于一模块上，所述模块可在所述MEMS衬底的支撑件远侧的一位置与所述支撑件的近侧的一位置本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于蚀刻的设备，其包括一蚀刻室及一蚀刻剂模块，其中：所述蚀刻剂模块可在一缩回位置与一伸出位置之间移动，在所述缩回位置中，所述蚀刻剂模块基本处于所述蚀刻室外，及在所述伸出位置中，所述蚀刻剂模块基本处于所述蚀刻室内。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：菲利浦D弗洛伊德，威廉J卡明斯，
申请(专利权)人：IDC公司，
类型：发明
国别省市：US[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。