一种磁控溅射镀膜装置，其中，磁控溅射镀膜装置包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒，所述磁控溅射源与所述待镀面之间具有间隙。利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。膜均一性好。膜均一性好。
【技术实现步骤摘要】
磁控溅射镀膜装置
[0001]本技术涉及真空溅射领域，尤其涉及一种磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
[0002]近年来，磁控溅射镀膜装置在工业化镀膜生产中的应用日益广泛，特别是，随着触摸屏相关的终端产品市场持续升温，利用磁控溅射镀膜装置制备性能优良的触摸屏所需的镀膜成为趋势之一。
[0003]现有的磁控溅射镀膜装置通常包括真空真空镀膜室、可旋转工件架和磁控溅射源，其中，所述可旋转工件架可沿其中心轴在所述真空真空镀膜室内旋转，为了更好的承载多个平板型待镀膜工件，将所述可旋转工件架设置为多面体结构，而所述多面体结构的外侧壁用于承载待镀膜工件，所述磁控溅射源用于向待镀膜工件表面溅射镀膜材料。
[0004]然而，在所述可旋转工件架旋转的过程中，所述待镀膜工件上每个点的旋转半径不同，使得所述磁控溅射源到待镀膜工件不同区域的距离不同，从而导致在待镀膜工件表面所形成的镀膜的厚度不一致，这将给终端产品带来颜色、光学性能的不一致。
技术实现思路
[0005]本技术提供了一种磁控溅射镀膜装置，以提高制备出的镀膜的均一性。
[0006]本技术公开一种磁控溅射镀膜装置，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒，且所述磁控溅射源与所述待镀面之间具有间隙。
[0007]可选的，所述待镀膜工件位于所述可旋转工件架的外侧壁，所述磁控溅射源位于所述可旋转工件架外。
[0008]可选的，所述待镀膜工件位于所述可旋转工件架的内侧壁，所述磁控溅射源位于所述可旋转工件架内。
[0009]可选的，所述侧壁向远离中心轴的方向凸出。
[0010]可选的，所述侧壁为平面；还包括：支撑台，位于所述侧壁上，具有向远离中心轴方向凸出的支撑面，所述支撑面用于支撑所述待镀膜工件。
[0011]可选的，所述待镀膜工件全部支撑于所述侧壁或者支撑面上。
[0012]可选的，所述侧壁的中心到中心轴具有第一距离，所述侧壁的边缘到中心轴具有第二距离，所述待镀面向远离中心轴方向凸出的距离小于等于第二距离与第一距离之差的2倍。
[0013]可选的，所述待镀面向远离中心轴方向凸出的距离小于等于第二距离与第一距离之差。
[0014]可选的，所述待镀面向远离中心轴方向凸出的距离大于等于第二距离与第一距离
之差的80％小于等于第二距离与第一距离之差的1.2倍。
[0015]可选的，所述可旋转工件架沿其中心轴旋转的过程中，所述磁控溅射源与待镀面的不同区域相对时，所述待镀面到磁控溅射源的距离相等。
[0016]可选的，所述待镀膜工件的材料包括有机材料或无机材料。
[0017]可选的，当所述待镀膜工件的材料为氧化硅、硅或者碳化硅时，所述待镀膜工件的厚度小于等于0.7毫米。
[0018]可选的，所述待镀膜工件通过固定装置承载于所述侧壁上。
[0019]可选的，沿所述可旋转工件架的高度方向，所述待镀膜工件的个数为1个或者多个。
[0020]可选的，所述待镀膜工件的形状为圆形或者多边形。
[0021]可选的，沿所述可旋转工件架的高度方向上，所述磁控溅射源的尺寸大于或等于待镀膜工件的尺寸。
[0022]可选的，沿所述可旋转工件架的高度方向上，所述磁控溅射源的尺寸小于待镀膜工件的尺寸，还包括：高度调节装置，用于使所述磁控溅射源沿所述可旋转工件架高度方向移动。
[0023]可选的，还包括：等离子源，位于所述真空镀膜室内。
[0024]与现有技术相比，本技术技术方案具有以下有益效果：
[0025]本技术提供的磁控溅射镀膜装置中，所述可旋转工件架具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出，使得待镀面的不同区域与磁控溅射源相对时，所述磁控溅射源到待镀面的距离差异较小，则所述磁控溅射源到待镀面不同区域溅射的镀膜材料颗粒的量差异较小，因此，有利于提高待镀膜工件不同区域所形成镀膜厚度的均一性。
附图说明
[0026]图1是本技术一种磁控溅射镀膜装置的俯视示意图；
[0027]图2是图1中磁控溅射镀膜装置的一种侧视示意图；
[0028]图3是图1中磁控溅射镀膜装置的另一种侧视示意图；
[0029]图4是本技术另一种磁控溅射镀膜装置的俯视示意图；
[0030]图5是本技术又一种磁控溅射镀膜装置的俯视示意图。
具体实施方式
[0031]本技术提供一种磁控溅射镀膜装置，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒，且所述磁控溅射源与所述待镀面之间具有间隙。利用所述磁控溅射镀膜装置制备出的镀膜的均一性较好。
[0032]为使本技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施例做详细的说明。
[0033]图1是本技术一种磁控溅射镀膜装置的俯视示意图。
[0034]请参考图1，真空镀膜室10；可旋转工件架6，可沿其中心轴O在所述真空镀膜室10内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件S，所述待镀膜工件S具有待镀面A，所述待镀面A向远离中心轴O的方向凸出；至少一个磁控溅射源7，设置于所述真空镀膜室10内，用于向所述待镀膜工件S的表面溅射镀膜材料颗粒，且所述磁控溅射源7与所述待镀面A之间具有间隙。
[0035]所述真空镀膜室10内为真空环境，所述磁控溅射源7向待镀膜工件S的待镀面A溅射镀膜材料颗粒，以在所述待镀面A形成镀膜。
[0036]在本实施例中，所述待镀膜工件S位于所述可旋转工件架6的外侧壁61，所述磁控溅射源7位于所述可旋转工件架6外。
[0037]在本实施例中，所述外侧壁61为平面，还包括：支撑台20，位于所述外侧壁61上，具有向远离中心轴O方向凸出的支撑面B，所述支撑面B用于支撑所述待镀膜工件S。
[0038]所述待镀膜工件S通过固定装置承载于所述支撑台20上，所述固定装置包括：卡槽，所述待镀膜工件S的边缘通过卡槽与所述支撑台20固定在一起。
[0039]所述待镀膜工件S是否能折弯且不断裂与待镀膜工件S基材的材料相关，所述待镀膜工件S的材料包括有机材料或无机材料，当所述待镀膜工件S基材的材料较柔软，则所述待镀膜工件S较易折弯且不断裂。但是，较脆的材料厚度越厚越容易断裂。随着待镀膜工件S制造工艺的发展，较脆的所述待镀膜工件S的厚度越来越薄，而较薄的脆性待镀膜工件S在折弯时不易断裂。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件，所述待镀膜工件具有待镀面，所述待镀面向远离中心轴的方向凸出；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒，且所述磁控溅射源与所述待镀面之间具有间隙。2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件位于所述可旋转工件架的外侧壁，所述磁控溅射源位于所述可旋转工件架外。3.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件位于所述可旋转工件架的内侧壁，所述磁控溅射源位于所述可旋转工件架内。4.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述侧壁向远离中心轴的方向凸出。5.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述侧壁为平面；还包括：支撑台，位于所述侧壁上，具有向远离中心轴方向凸出的支撑面，所述支撑面用于支撑所述待镀膜工件。6.如权利要求4或5所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件全部支撑于所述侧壁或者支撑面上。7.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述侧壁的中心到中心轴具有第一距离，所述侧壁的边缘到中心轴具有第二距离，所述待镀面向远离中心轴方向凸出的距离小于等于第二距离与第一距离之差的2倍。8.如权利要求7所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀面向远离中心轴方向凸出的距离小于等于第二距离与第一距离之差。9.如权利要求7所述的磁控溅射镀膜装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜志游，郭世平，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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